Effectateur de fin de porteuse en céramique Sic personnalisé pour la manipulation des wafers

Effectateur de fin de support de céramique Sic personnalisé pour la manipulation des gaufres

L'effecteur d'extrémité de manipulation des plaquettes, fabriqué avec une technologie d'usinage ultra-précise, atteint une précision dimensionnelle au niveau du micron (± 0,01 mm) et une stabilité thermique exceptionnelle (CTE ≤ 4,5 × 10 / 6 K).Sa surface est dotée d'une couche protectrice nanocristalline de SiC déposée en CVD (pureté > 99.995%), offrant une finition de surface supérieure (Ra<0,05 μm) et une résistance à l'usure (taux d'usure <0,1 μm/1000 cycles), tout en assurant un transfert de gaufre sans dommage à haute vitesse (1.5 m/s) avec une production minimale de particules (< 5 particules/ft3)Notre effecteur de fin recouvert de SiC de haute pureté démontre une stabilité de performance exceptionnelle à des températures extrêmes (-200°C~1200°C),une excellente uniformité thermique (±1°C@wafer de 150 mm) pour une épaisseur de croissance épitaxielle cohérente (±10,5%), et une résistance chimique remarquable (pH1-13), maintenant un fonctionnement fiable pendant > 100 000 cycles.

Spécification technique:

Principales caractéristiquesEffectant final pour la manipulation des plaquettes

1Une couche protectrice à l' échelle nanométrique de SiC via la technologie CVD

- déposé à l'aide d'un réacteur CVD à paroi chaude (1200°C) avec une taille de grain de 20 à 50 nm

- Densité de revêtement ≥ 3,18 g/cm3, porosité < 0,1%

2Stabilité à haute température et uniformité thermique exceptionnelles

- Maintient une conductivité thermique ≥ 120 W/m·K à 1000°C

- Déformation thermique < 0,02 mm/100 mm (certifié ASTM E228)

3. revêtement cristallin SiC ultra-fin pour une douceur au niveau atomique

- Slurry de diamants poli à Ra < 0,3 nm (vérifié par AFM)

- Coefficient de frottement de surface μ < 0,15 (par rapport aux plaquettes de silicium)

4Résistance chimique et durabilité au nettoyage

- Vitesse de gravure < 0,01 μm/cycle dans les solutions SC1/SC2

- Passe le test de purification de l'eau par l'ozone à 2000 cycles (80°C)

5. Conception structurelle exclusive empêchant les fissures/délamination

- Conception de la couche tampon de contrainte (transition du gradient SiC/Si)

- Résiste à 1000 cycles de choc thermique (de 196°C à 300°C) (conforme à la norme MIL-STD-883)

Principales applications deEffectant final pour la manipulation des plaquettes

1. Processus d'interface des semi-conducteurs:

· Le transport des plaquettes dans les usines (AMHS)

· Chargement/déchargement des outils de lithographie

2Emballage avancé:

· Alignement de précision pour l'empilage des circuits intégrés à ventilation et 3D

· Traitement des plaquettes ultra fines (< 100 μm) pour les semi-conducteurs composés GaN/SiC

3Environnements sous vide:

· Transfert de plaquettes dans des chambres PVD/CVD

Compatibilité des procédés, matériaux et applications

Produits photos deEffectant final pour la manipulation des plaquettes

ZMSH est un fournisseur de premier plan de solutions de manutention de wafers en carbure de silicium (SiC) de haute performance, spécialisée dans les plaques porteuses de précision et les effetors finaux pour la fabrication de semi-conducteurs.Nos composants SiC avancés sont dotés de revêtements CVD ultra-purs avec une rugosité de surface inférieure à 0.1μm Ra, assurant un fonctionnement exempt de particules dans les environnements de salle blanche de classe 1. Les produits démontrent une stabilité thermique exceptionnelle, en maintenant une précision dimensionnelle de ± 0.03 mm à travers une plage de température extrême de -200°C à 1300°C, avec des coefficients de dilatation thermique aussi bas que 4,1 × 10−6/K.