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[silicon carbide substrate ]

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2/4/6/8 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H 6H 3C Type de support personnalisé Industrie des semi-conducteurs Tailles multiples

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Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G

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2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production

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Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

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2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut

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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

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type de la catégorie N de production de substrat de carbure de silicium de gaufrette de 8inch DSP 4H sic pour l'expérience

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6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard

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6 pouces de carbure de silicium 6H-P pour les systèmes de communication et de radar

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Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

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Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

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2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm

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De grande pureté de silicium de carbure gaufrette non dopée sic, substrat de carbure de silicium de 6Inch 4H-Semi sic

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Carbure de silicium (SiC) Substrate 6 pouces 8 pouces gaufre de qualité d'essai pour la découpe laser

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