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[silicon carbide substrate ]

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Wafer SiC au carbure de silicium 4H-N 2"3"4"6"8"12" N de type Prime / Dummy / de qualité de recherche

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Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

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Wafer de carbure de silicium 4H P-type zéro MPD de qualité de production de qualité 4 pouces 6 pouces

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2" 3" 4" 6" principaux de 4h-Semi 4 H-N Insulating Sic de substrat de silicium de carbure gaufrette sic

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Pour la fabrication de plaquettes de carbure de silicium 6H de type P, qualité de production standard:145Épaisseur 350 μm ± 25 μm

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4H-SEMI sic en cristal 4" gaufrette optique de carbure de silicium

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Plateau en céramique de carbure de silicium de 8 pouces pour le traitement épitaxial de croissance

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Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces

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Silicon Carbide Ceramic Tray for Semiconductor Wafer Processing

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Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

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Gaufrette de carbure de silicium de SIC de substrat de semi-conducteur de 4H-N 8inch pour photovoltaïque solaire

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Wafer en carbure de silicium 55mm/1010mm de type 4H-P de qualité de production pour électronique de puissance

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gaufrettes 6H de carbure de silicium 2Inch ou substrats de type n ou semi-isolants de 4H sic

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catégorie de production de gaufrette de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate pour des dispositifs de radiofréquence

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