Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais 350um de qualité Prime de qualité Dummy

La couche 3C SiC, la couche 3C Silicon Carbide, le substrat SiC, le substrat Silicon Carbide, la couche Prime, la couche Dummy, la couche 4 pouces 3C N, la couche 4C SiC, la couche 6C SiC, la couche 8C SiC, la couche 12C SiC, la couche 3C-N 4H-N, la couche 4H-SEMI, la couche 6H-N,Type HPSI 4H-P 6H-P

À propos de 3C-N SiC

- supporter les personnalisés avec des illustrations de design

- un cristal cube (3C SiC), fabriqué à partir de monocristal SiC

- Haute dureté, dureté de Mohs atteint 9.2, juste derrière le diamant.

- une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements à haute température.

- des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.

Description du SiC 3C-N

La gaufre en carbure de silicium (SiC) de type 3C-N de 4 pouces se caractérise par sa structure cristalline cubique, différente de la structure hexagonale généralement observée dans les gaufres 4H-SiC.

Dans le 3C-SiC, les atomes de silicium et de carbone sont disposés dans un réseau cubique, similaire à la structure du diamant, ce qui lui confère des propriétés uniques qui se démarquent dans certaines applications.

L'un des principaux avantages du 3C-SiC est sa mobilité électronique plus élevée et sa vitesse de saturation.

Comparé au 4H-SiC, le 3C-SiC permet un mouvement d'électrons plus rapide et une capacité de traitement de puissance plus élevée, ce qui en fait un matériau prometteur pour les appareils électroniques de puissance.

Cette propriété, combinée à la relative facilité de fabrication et au coût inférieur, positionne le 3C-SiC comme une solution plus rentable dans la production à grande échelle.

En outre, les plaquettes 3C-SiC conviennent particulièrement aux appareils électroniques de haute efficacité.

L'excellente conductivité thermique et la stabilité du matériau lui permettent de bien fonctionner dans des conditions difficiles impliquant des températures, des pressions et des fréquences élevées.

En conséquence, le 3C-SiC est idéal pour une utilisation dans les véhicules électriques, les onduleurs solaires et les systèmes de gestion de l'énergie, où une efficacité et une fiabilité élevées sont essentielles.

Actuellement, les appareils 3C-SiC sont principalement construits sur des substrats de silicium, bien que des défis demeurent en raison des déséquilibres du réseau et du coefficient d'expansion thermique, ce qui affecte les performances.

Cependant, le développement de gaufres 3C-SiC en vrac est une tendance croissante, qui devrait conduire à des progrès significatifs dans l'industrie de l'électronique de puissance,en particulier pour les appareils de la plage de tension 600-1200 V.

Plus de détails sur le 3C-N SiC

Autres échantillons de 3C-N SiC

*En outre, nous acceptons la personnalisation si vous avez des exigences spécifiques.

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Questions fréquentes