Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: Substrat SiC
Conditions de paiement et d'expédition
Délai de livraison: 4 à 6 semaines
Conditions de paiement: T/T
Matériel: |
Monocristal de SiC |
Le type: |
4H-P / 6H-P |
Taille: |
4 pouces |
Grade: |
Primo/ Dummy |
personnalisé: |
Soutenue |
Couleur: |
Noir |
Matériel: |
Monocristal de SiC |
Le type: |
4H-P / 6H-P |
Taille: |
4 pouces |
Grade: |
Primo/ Dummy |
personnalisé: |
Soutenue |
Couleur: |
Noir |
- supporter les personnalisés avec des illustrations de design
- un cristal hexagonal (4H SiC), fabriqué à partir de monocristal SiC
- haute dureté, dureté de Mohs atteint 9.2, juste derrière le diamant.
- une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements à haute température.
- des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.
Le substrat SiC de type P est un important matériau semi-conducteur largement utilisé dans les appareils électroniques à haute puissance et à haute fréquence.le substrat SiC de type P présente les caractéristiques de type P, ce qui permet au matériau de fournir une bonne conductivité électrique et une forte concentration de porteurs.Son excellente conductivité thermique et sa tension de rupture élevée lui permettent de maintenir des performances stables dans des conditions extrêmes.
Le substrat SiC de type P a une excellente stabilité à haute température et une résistance aux rayonnements et peut fonctionner normalement dans des environnements à haute température.Les substrats 4H-SiC présentent une perte d'énergie plus faible sous des champs électriques élevés et conviennent pour une utilisation dans les véhicules électriquesEn outre, l'excellente conductivité thermique contribue à améliorer l'efficacité de la dissipation thermique de l'appareil et à prolonger sa durée de vie.
Les substrats SiC de type P sont largement utilisés dans les appareils électriques, les appareils RF et les appareils optoélectroniques.
Ils sont souvent utilisés pour fabriquer des dispositifs tels que les MOSFET de type P et les IGBT pour répondre aux besoins de haute tension, haute température et haute fréquence.Les substrats SiC de type 4H-P joueront un rôle de plus en plus important dans la future électronique de puissance et les réseaux intelligents.
Détails du substrat SiC de type P
|
Propriété |
4H-SiC de type P, cristal unique | 6H-SiC de type P, cristal unique |
| Paramètres de la grille | a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å c=15,084 Å |
| Séquence d'empilement | Le code ABC | Le code de l'équipe |
| Dureté de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densité | 3.23 g/cm3 | 30,0 g/cm3 |
| Coefficient de dilatation thermique | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Indice de réfraction @750 nm | n = 2,621 né = 2.671 | ne = 2,612 ne = 2.651 |
| Constante diélectrique | c~9.66 | c~9.66 |
|
Conductivité thermique |
3 à 5 W/cm·K@298K |
3 à 5 W/cm·K@298K |
| Le band-gap | 3.26 eV | 30,02 eV |
| Champ électrique de rupture | 2 à 5 × 106 V/cm | 2 à 5 × 106 V/cm |
|
Vitesse de dérive de saturation |
2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
Échantillons de substrat SiC de type P
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Questions fréquentes
1. Q: Comparé à la N-Type, que pensez-vous de la P-Type?
R: Les substrats P-type 4H-SiC, dotés d'éléments trivalents comme l'aluminium, ont des trous comme porteurs majoritaires, offrant une bonne conductivité et stabilité à haute température.Substrats de type N, dopé avec des éléments pentavalents comme le phosphore, ont des électrons comme porteurs majoritaires, ce qui entraîne généralement une plus grande mobilité électronique et une résistivité plus faible.
2Q: Quelles sont les perspectives du marché pour le SiC de type P?
R: Les perspectives du marché du SiC de type P sont très positives, en raison de la demande croissante d'électronique de puissance haute performance dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable,et des applications industrielles avancées.
