Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

 
Le substrat de carbure de silicium de type 4H-P est un matériau semi-conducteur avec une structure en treillis hexagonale,et la conductivité de type P est obtenue par un procédé de dopage spécifique (comme le dopage de l'aluminium et d'autres éléments)Ces substrats ont généralement des concentrations élevées de dopage et une faible résistivité, ce qui les rend idéales pour la fabrication de dispositifs de haute puissance.Un axe de 0° fait généralement référence au fait qu'une direction cristalline particulière ou un bord de positionnement du substrat a un angle de 0° par rapport à une direction de référence (comme le plan du substrat), ce qui contribue à assurer la cohérence et la fiabilité du dispositif dans les processus de fabrication ultérieurs.
 
 
 

Caractéristiques:

• Distance de large bande:Le carbure de silicium de type 4H-P a un écart de bande large d'environ 3,26 eV, ce qui lui permet de fonctionner de manière stable dans des environnements à haute température et haute tension.

• Conductivité thermique élevée:Avec une conductivité thermique d'environ 4,9 W/m·K, beaucoup plus élevée que les matériaux en silicium, il peut diriger et dissiper efficacement la chaleur, adapté aux applications à haute densité de puissance.

• Faible résistance:Le carbure de silicium dopé de type P a une faible résistivité, adaptée à la construction de jonctions PN, afin de répondre aux besoins des dispositifs de haute puissance.

• Dureté élevée et résistance mécanique:Les matériaux en carbure de silicium présentent une résistance mécanique et une ténacité très élevées pour des applications dans des conditions difficiles.

• Voltage de rupture élevé:Capable de résister à des tensions plus élevées, ce qui contribue à réduire la taille du dispositif et à améliorer l'efficacité énergétique.

Paramètre technique

Applications:

Personnalisation:

ZMSH fournit une gamme complète de services 4H-P (axe 0°) de substrat de carbure de silicium, y compris un traitement personnalisé de précision pour répondre aux besoins spécifiques du client,l'utilisation de canaux logistiques professionnels pour assurer la sécurité des produits et la livraison à temps, et l'utilisation de matériaux d'emballage à l'épreuve des chocs et à l'épreuve de l'humidité, soigneusement emballés et livrés pour assurer une livraison de substrat de carbure de silicium de haute qualité.