Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: Substrat SiC
Conditions de paiement et d'expédition
Délai de livraison: 4 à 6 semaines
Conditions de paiement: T/T
Matériel: |
Monocristal de SiC |
Le type: |
4H-P / 6H-P |
Taille: |
4 pouces |
Grade: |
Primo/ Dummy |
personnalisé: |
Soutenue |
Couleur: |
Noir |
Matériel: |
Monocristal de SiC |
Le type: |
4H-P / 6H-P |
Taille: |
4 pouces |
Grade: |
Primo/ Dummy |
personnalisé: |
Soutenue |
Couleur: |
Noir |
- supporter les personnalisés avec des illustrations de design
- un cristal hexagonal (4H SiC), fabriqué à partir de monocristal SiC
- haute dureté, dureté de Mohs atteint 9.2, juste derrière le diamant.
- une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements à haute température.
- des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.
Le 6H-P SiC (carbure de silicium polycristallin hexagonal) est un matériau semi-conducteur important, largement utilisé à haute température,appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance en raison de son excellente stabilité thermique et de ses propriétés électriquesSa structure cristalline hexagonale unique permet au 6H-P SiC de maintenir une bonne conductivité et une résistance mécanique dans des conditions extrêmes.une tension de rupture élevée et une excellente conductivité thermique, il présente donc un grand potentiel d'application dans les appareils électroniques de puissance, les cellules solaires et les LED.
Comparé au SiC de type N, le SiC 6H-P présente des différences évidentes de type de dopage et de mécanisme de conductivité.Le SiC de type N augmente sa conductivité en ajoutant des donneurs d'électrons (tels que l'azote ou le phosphore) pour augmenter la concentration du porteurEn revanche, le type de porteur et la concentration de 6H-P SiC dépendent de la sélection et de la distribution de ses éléments dopants.ce qui lui permet de bien fonctionner dans les applications à haute fréquence, tandis que le 6H-P SiC peut maintenir sa stabilité dans des environnements à haute température et à haute puissance en raison de ses caractéristiques structurelles,le rendant adapté à des applications telles que l'électronique de puissance et les capteurs à haute température.
Le procédé de production du 6H-P SiC est relativement mature, et il est principalement préparé par dépôt chimique de vapeur (CVD) et croissance de fusion.En raison de son excellente résistance mécanique et de sa résistance à la corrosion, le 6H-P SiC est considéré comme un choix idéal pour remplacer les matériaux traditionnels en silicium, en particulier pour les applications dans des environnements difficiles.
Avec la demande croissante de dispositifs à haut rendement, la recherche et le développement du 6H-P SiC progressent constamment, et il devrait jouer un rôle plus important dans les véhicules à énergie nouvelle, les réseaux intelligents,Les deux ont leurs propres avantages, et le choix doit être considéré de manière globale en fonction des exigences spécifiques de l'application.
Détails du substrat SiC de type P
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Propriété |
4H-SiC de type P, cristal unique | 6H-SiC de type P, cristal unique |
| Paramètres de la grille | a=3,082 Å c=10,092 Å |
a=3,09 Å c=15,084 Å |
| Séquence d'empilement | Le code ABC | Le code de l'équipe |
| Dureté de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densité | 3.23 g/cm3 | 30,0 g/cm3 |
| Coefficient de dilatation thermique | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) | 4.3×10-6/K (Caxis) 4.7×10-6/K (Caxis) |
| Indice de réfraction @750 nm | n = 2,621 né = 2.671 | ne = 2,612 ne = 2.651 |
| Constante diélectrique | c~9.66 | c~9.66 |
|
Conductivité thermique |
3 à 5 W/cm·K@298K |
3 à 5 W/cm·K@298K |
| Le band-gap | 3.26 eV | 30,02 eV |
| Champ électrique de rupture | 2 à 5 × 106 V/cm | 2 à 5 × 106 V/cm |
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Vitesse de dérive de saturation |
2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
Échantillons de substrat SiC de type P
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Questions fréquentes
1. Q: Comparé à la N-Type, que pensez-vous de la P-Type?
R: Les substrats P-type 4H-SiC, dotés d'éléments trivalents comme l'aluminium, ont des trous comme porteurs majoritaires, offrant une bonne conductivité et stabilité à haute température.Substrats de type N, dopé avec des éléments pentavalents comme le phosphore, ont des électrons comme porteurs majoritaires, ce qui entraîne généralement une plus grande mobilité électronique et une résistivité plus faible.
2Q: Quelles sont les perspectives du marché pour le SiC de type P?
R: Les perspectives du marché du SiC de type P sont très positives, en raison de la demande croissante d'électronique de puissance haute performance dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable,et des applications industrielles avancées.
