Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces

Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type zéro MPD production de qualité Dia 4 pouces 6 pouces

Wafer au carbure de silicium 6H P-Type & résumé de 4H P-Type

Cette étude explore les propriétés et les applications des plaquettes de carbure de silicium (SiC) dans les polytypes 6H et 4H de type P,en mettant l'accent sur les plaquettes de qualité de production et de qualité factice à densité de micropoies zéro (Zero MPD) de diamètres de 4 pouces et 6 poucesLes plaquettes SiC de type 6H et 4H P possèdent des structures cristallines uniques, offrant une haute conductivité thermique, de larges bandes et une excellente résistance aux températures élevées, aux tensions et aux rayonnements.Ces caractéristiques les rendent idéales pour des applications de haute performance telles que l'électronique de puissanceLa propriété MPD zéro des plaquettes améliore encore leur qualité en éliminant les micropipes.qui améliore considérablement la fiabilité et les performances de l'appareilCe document détaille le processus de fabrication, les caractéristiques des matériaux et les cas d'utilisation potentiels de ces plaquettes SiC dans les systèmes électroniques avancés, en particulier pour les appareils de puissance à haut rendement,Composants RF, et d'autres applications industrielles nécessitant des substrats à semi-conducteurs robustes.

Graphique des données de la gaufre en carbure de silicium 6H P-Type et 4H P-Type

4 pouces de diamètre de carbure de silicium (SiC) Spécification du substrat

Niveau			精选级 ((Z 级)) Production zéro MPD Grade (grade Z)	工业级 (P 级) Production standard Grade (grade P)	测试级 ((D 级) 级) Grade de factice (grade D)
Diamètre			99.5 mm à 100 mm
厚度 Épaisseur			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Orientation de la gaufre			À l'extérieur de l'axe: 2,0°-4,0° vers [1120] ± 0,5° pour 4H/6H-P, sur l'axe: ∆111 ∆± 0,5° pour 3C-N
微管密度 ※ Densité des micropipes			0 cm à 2
电 阻 率 ※ Résistivité	Le type P est le type 4H/6H-P.		≤ 0,1 Ω ̊cm		≤ 0,3 Ω ̊cm
	Type n 3C-N		≤ 0,8 mΩ cm		≤ 1 m Ω ̊cm
Principale position à côté de la directionorientation principale à plat		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
主定位边长度 Principale longueur plate			32.5 mm ± 2,0 mm
Secondary Flat Length Légèreté secondaire			18.0 mm ± 2,0 mm
À l'intérieur de l'appareil			Sicile face vers le haut: 90° CW. à partir de Prime flat ± 5,0°
边缘除 Edge Exclusion			3 mm		6 mm
局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow/Warp			Pour les appareils de traitement des eaux usées, les mesures suivantes doivent être prises:		Pour le calcul de la résistance à l'humidité
surface rugueuse ※ rugosité			Ra≤1 nm polonais
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
边缘裂纹 (强光灯观测) Les fissures de bord par la lumière de haute intensité			Aucune		Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm
六方空洞 ((强光灯测)) ※ Plaques hexagonales par haute intensité de lumière			Surface cumulée ≤ 0,05%		Surface cumulée ≤ 0,1%
Plusieurs types de lampes à haute intensité			Aucune		Surface cumulée ≤ 3%
Éclairage de l'éclairage			Surface cumulée ≤ 0,05%		Surface cumulée ≤ 3%
# La surface du silicium est rayée par la lumière de haute intensité			Aucune		Longueur cumulée ≤ 1 × diamètre de la plaque
崩边 ((强光灯观测) Les puces de bord à haute intensité lumineuse			Aucune largeur et profondeur ≥ 0,2 mm		5 permis, ≤ 1 mm chacune
La contamination de la surface du silicium par une forte intensité			Aucune
包装 Emballage			Cassette à plaquettes multiples ou récipient à plaquette unique

Propriétés de la gaufre en carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type

Les propriétés des plaquettes de carbure de silicium (SiC) dans les polytypes de type 6H et 4H P, en particulier avec production à densité de micropipes zéro (Zero MPD) et de qualité factice, sont les suivantes:

Structure cristalline:

6H-SiC: Structure hexagonale à six bicouches, offrant une mobilité électronique plus faible mais une conductivité thermique plus élevée.

4H-SiC: Structure hexagonale à quatre bicouches, offrant une plus grande mobilité électronique et de meilleures performances dans les appareils à haute puissance et à haute fréquence.

Conductivité de type P:

Les deux plaquettes sont dopées pour créer une conductivité de type P (impuretés acceptrices comme le bore ou l'aluminium), ce qui les rend idéales pour les appareils électriques nécessitant le flux de porteurs de charge positive (trous).

Densité de micropipes nulle (MPD zéro):

Ces plaquettes sont produites sans micropaies, qui sont des défauts qui peuvent affaiblir la fiabilité du dispositif.

Large bande passante:

Les deux polytypes ont de larges bandes, avec 4H-SiC à 3,26 eV et 6H-SiC à 3,0 eV, permettant un fonctionnement à haute tension et à haute température.

Conductivité thermique:

Les plaquettes SiC possèdent une haute conductivité thermique, essentielle pour une dissipation de chaleur efficace dans l'électronique haute puissance.

Voltage de rupture élevé:

Les plaquettes SiC 6H et 4H ont des champs électriques à décomposition élevée, ce qui les rend appropriées pour les applications haute tension.

Diamètre:

Les plaquettes sont disponibles en diamètre de 4 pouces et 6 pouces, prenant en charge diverses tailles de fabrication de dispositifs et normes de l'industrie.

Ces propriétés rendent les plaquettes SiC de type 6H et 4H P avec MPD zéro essentielles pour l'électronique haute performance, les appareils RF et les applications dans des environnements extrêmes.

La présentation de la gaufre en carbure de silicium 6H P-Type et 4H P-Type

Application de la gaufre en carbure de silicium 6H de type P et 4H de type P

Les plaquettes en carbure de silicium (SiC) de type 6H et 4H P avec densité de micropipes zéro (Zero MPD) ont des applications diverses en raison de leurs propriétés électriques, thermiques et mécaniques supérieures.Les principales applications incluent::

Électronique de puissance:

Les plaquettes SiC 6H et 4H sont utilisées dans les appareils électroniques de haute puissance tels que les MOSFET, les diodes Schottky et les thyristors.systèmes d'énergie renouvelable (réacteurs solaires), éoliennes), et les systèmes d'énergie industrielle en raison de leur capacité à gérer des tensions, des températures et des rendements élevés.

Appareils à haute fréquence:

Le 4H-SiC, avec sa mobilité électronique plus élevée, convient particulièrement aux appareils RF et micro-ondes utilisés dans les systèmes radar, les communications par satellite et les infrastructures sans fil.Ces appareils bénéficient de la capacité du SiC à fonctionner à des fréquences élevées avec une faible perte d'énergie.

Aérospatiale et défense:

La haute conductivité thermique, la résistance aux rayonnements et la MPD zéro rendent les plaquettes SiC idéales pour les applications aérospatiales et de défense, telles que les amplificateurs de puissance, les capteurs,et les systèmes de communication fonctionnant dans des environnements extrêmes.

Véhicules électriques (VE):

Les plaquettes de SiC sont des composants clés des groupes motopropulseurs de véhicules électriques, y compris les chargeurs et les onduleurs embarqués, améliorant l'efficacité énergétique, augmentant l'autonomie et réduisant la production de chaleur dans les voitures électriques.

Électronique à haute température:

Les plaquettes de SiC® résistent à des températures élevées sans dégradation, ce qui les rend idéales pour l'équipement industriel, l'exploration pétrolière et gazière,et systèmes d'exploration spatiale qui doivent fonctionner de manière fiable dans des environnements thermiques difficiles.

Énergie renouvelable:

Les dispositifs d'alimentation à base de SiC contribuent à accroître l'efficacité de la conversion d'énergie dans les systèmes d'énergie solaire et éolienne en minimisant les pertes d'énergie et en permettant un fonctionnement à haute tension et à haute température.

Dispositifs médicaux:

Les plaquettes SiC sont également utilisées dans les technologies médicales avancées, y compris les équipements d'imagerie médicale de haute puissance et les appareils nécessitant des matériaux durables et hautes performances.

Ces applications tirent parti de l'efficacité, de la fiabilité et de la capacité de fonctionner dans des conditions extrêmes élevées des plaquettes, ce qui rend les plaquettes SiC de type 6H et 4H indispensable dans la technologie de pointe.

Questions et réponses

- Je ne sais pas.Quels sont les différents types de carbure de silicium?

A: Je suis désolé. Le carbure de silicium (SiC) existe en plusieurs polytypes, qui sont des structures cristallines différentes qui donnent lieu à des propriétés physiques et électroniques variables.

4H-SiC (hexagonal):

La structure: Structure cristalline hexagonale avec une séquence de répétition en quatre couches.

Propriétés: large bande passante (3,26 eV), mobilité électronique élevée et champ électrique de rupture élevée.

Applications: préféré pour les applications à haute puissance, haute fréquence et haute température telles que l'électronique de puissance, les véhicules électriques et les appareils RF en raison de ses excellentes performances électriques.

6H-SiC (hexagonal):

La structure: Structure cristalline hexagonale avec une séquence répétitive en six couches.

Propriétés: légèrement plus faible bande passante (3,0 eV) et mobilité électronique plus faible par rapport au 4H-SiC, mais offre toujours une haute conductivité thermique et une résistance à haute tension.

Applications: Utilisé dans l'électronique de puissance, les commutateurs haute tension et les appareils nécessitant une grande stabilité thermique.

3C-SiC (cube):

La structure: Structure cristalline cubique, également connue sous le nom de bêta-SiC.

Propriétés: a une bande passante plus petite (2,3 eV) et présente une grande mobilité électronique mais est moins thermiquement stable que les formes hexagonales.

Applications: couramment utilisé dans les appareils optoélectroniques, les capteurs et les systèmes microélectromécaniques (MEMS).

15R-SiC (rhomboédrique):

La structure: Structure cristalline rhomboédrique avec une séquence de répétition de 15 couches.

Propriétés: Il a une bande passante intermédiaire (2,86 eV) et une mobilité électronique entre 4H et 6H-SiC mais est moins couramment utilisé.

Applications: Rarement utilisé dans les applications commerciales en raison de sa disponibilité limitée et de ses propriétés moins favorables que les polytypes 4H et 6H.

Autres polytypes (par exemple, 2H-SiC, 8H-SiC, 27R-SiC):

Il existe plus de 200 polytypes connus de SiC, mais ceux-ci sont moins courants et ne sont pas largement utilisés dans les applications commerciales.Ils ont des séquences d'empilement uniques et des variations dans leurs propriétés électroniques et thermiques.

Les principales différences:

• Les principales différences entre ces types résident dans leur séquence d'empilement, leur énergie de bande passante, leur mobilité électronique et leur aptitude à différentes applications.Les types commercialement les plus importants sont le 4H-SiC et le 6H-SiC en raison de leurs propriétés électriques supérieures., haute conductivité thermique et capacité à fonctionner dans des environnements à haute puissance, haute fréquence et haute température.

Ces polytypes divers font du carbure de silicium un matériau polyvalent pour diverses applications électroniques et industrielles de haute performance.