Tranche de carbure de silicium de 4 pouces de diamètre x 350 µm, type 4H-N, grade P/R/D pour MOSFETs/SBD/JBS

Description du produit :

Tranche de carbure de silicium de 4 pouces x 350 µm ± 25 µm avec un angle de coupe de 4 degrés ± 0,5 degré vers le plan <1120> avec un angle de coupe de 4 degrés ± 0,5 degré, dopée à la conductivité de type N. En tant que semi-conducteur de troisième génération, il joue un rôle essentiel dans l'industrie automobile en tant qu'onduleur de traction principal et entraînement de moteur à haute vitesse. Sa large bande interdite lui confère une excellente tolérance aux hautes tensions, hautes fréquences et hautes températures. Contrairement au silicium traditionnel, nos tranches de SiC de type 4H offrent une augmentation critique de 3 fois de l'énergie de la bande interdite et une résistance du champ électrique de claquage 10 fois supérieure, ce qui en fait le substrat essentiel pour la prochaine génération d'électronique de puissance.

Caractéristiques :

Excellence du polytype : structure 4H-SiC exclusive pour garantir une mobilité électronique et une conductivité thermique maximales.Intégrité de la surface : Finition avec un processus de polissage mécano-chimique à la pointe de la technologie. Cela garantit une surface Si (0001) atomiquement plane, "prête pour l'épitaxie", avec une rugosité sub-nanométrique (Ra < 0,2 nm), éliminant les dommages sous-jacents.Grade de production : Optimisé pour les onduleurs de traction des véhicules électriques et les onduleurs solaires en chaîne. Faible densité de micropores (MPD) ≤ 0,2 cm⁻² pour garantir des rendements de dispositifs élevés pour les MOSFETs de grande surface.

Grade de recherche : Solutions économiques pour la R&D et les tests de processus, maintenant l'intégrité structurelle 4H avec des tolérances de défauts légèrement plus élevées.Applications :Automobile et E-Mobilité, dans les onduleurs de traction, les MOSFETs SiC remplacent les IGBT en silicium pour convertir le courant continu de la batterie en courant alternatif du moteur avec plus de 99 % d'efficacité.Énergies renouvelables et réseaux intelligents. Le "gardien" de l'efficacité qui peut fonctionner à des fréquences plus élevées, ce qui réduit la taille des composants passifs coûteux comme les inductances et les condensateurs en cuivre jusqu'à 50 %.Dans les tractions ferroviaires, les modules SiC permettent aux locomotives et aux trains à grande vitesse (comme le Shinkansen) d'être 30 % plus légers et nettement plus silencieux.Points forts de la technique de fabrication :Nous utilisons un procédé PVT à haute stabilité optimisé pour la pureté du polytype 4H. Notre processus de croissance comprend un mécanisme de "blocage des défauts" qui empêche efficacement la migration des défauts de type BPD vers la surface épitaxiale, garantissant une fiabilité à long terme.

Paramètres techniques :Matériau : Monocristal de SiCTaille : 4 pouces x 350 µm ± 25 µm Diamètre : 4 pouces / 101,6 mm

Type : 4H-N

Finition de surface : DSP, CMP/MP

Orientation de surface : 4° vers ± 0,5°Emballage : En boîte cassette ou conteneurs pour tranches individuellesApplication : Dispositifs de puissance, énergies renouvelables, communication 5G

Personnalisation :Nous proposons une adaptation géométrique polyvalente. Nous pouvons ajuster l'épaisseur de la tranche et proposer diverses orientations de coupe, allant des inclinaisons standard de 4° aux coupes sur axe, pour correspondre à votre recette de croissance épitaxiale. Nous proposons également différentes options de dopage, en ajustant les niveaux de résistivité pour prendre en charge à la fois la conductivité de type N pour les modules de puissance des véhicules électriques et les structures semi-isolantes pour les applications RF à haute fréquence. En ajustant finement nos cycles de croissance, nous nous concentrons sur la fourniture de la cohérence électrique requise pour des dispositifs stables et performants.

FAQ :

Q : Le "Grade de Recherche" (Grade R) signifie-t-il que la tranche est cassée ? R : Non. Une tranche de Grade R est physiquement intacte et structurellement en 4H-SiC. Cependant, elle présente généralement une densité de micropores plus élevée ou légèrement plus de "creux" en surface que le Grade Prime. Bien qu'elle ne soit pas fiable pour la production en série de puces commerciales haute tension, c'est un choix économique pour les tests universitaires, les essais de polissage ou l'étalonnage d'équipement où un rendement de puce de 100 % n'est pas requis.

Q : Pourquoi le carbure de silicium est-il beaucoup plus cher que le silicium ordinaire ?