Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: zmsh
Numéro de modèle: Carbure de silicium
Conditions de paiement et d'expédition
Délai de livraison: 2 à 4 semaines
Conditions de paiement: T/T
Matériel: |
Carbure de silicium |
Taille: |
Personnalisé |
Épaisseur: |
personnalisé |
Le type: |
4H,6H,3C |
Application du projet: |
Véhicules électriques de communication 5G |
Matériel: |
Carbure de silicium |
Taille: |
Personnalisé |
Épaisseur: |
personnalisé |
Le type: |
4H,6H,3C |
Application du projet: |
Véhicules électriques de communication 5G |
2/4/6/8 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H 6H 3C Type de support personnalisé Industrie des semi-conducteurs Tailles multiples
Description du produit
Le substrat de carbure de silicium est un composé semi-conducteur à cristal unique composé de carbone et de silicium, qui présente les caractéristiques d'un grand espace de bande, d'une conductivité thermique élevée,résistance élevée du champ de rupture critique, et un taux de dérive de saturation électronique élevé.
Il peut dépasser efficacement les limites physiques des dispositifs semi-conducteurs traditionnels à base de silicium et de leurs matériaux,et développer une nouvelle génération de dispositifs semi-conducteurs plus adaptés à la haute pression, haute température, haute puissance, haute fréquence et autres conditions.
Il a le potentiel d'être largement utilisé dans les domaines des "nouvelles infrastructures", tels que la construction de stations de base 5G, les UHV, les chemins de fer interurbains à grande vitesse et le transport ferroviaire urbain,véhicules à énergie nouvelle et piles de recharge, et les grands centres de données.
Types de SiC
Le substrat SiC est principalement divisé en trois structures cristallines: 4H-SiC, 6H-SiC et 3C-SiC, et les scénarios d'application correspondants sont différents.
Le substrat 4H-SiC est privilégié pour sa structure cristalline très symétrique et sa faible densité de défaut, ce qui le rend idéal pour la fabrication deappareils électroniques à haute température et à haute fréquenceDans les domaines de l'électronique de puissance, des communications RF, de l'optoélectronique et de l'éclairage à l'état solide, les substrats 4H-SiC sont utilisés pour fabriquer des convertisseurs de puissance à haut rendement,amplificateurs RF de haute performance, et des LED à haute luminosité.
Le substrat 6H-SiC présente une meilleure conductivité thermique en raison de sa grande distance entre les couches,ce qui le rend particulièrement adapté aux appareils électroniques fonctionnant dans des environnements à haute température et haute pressionDans l'aérospatiale et la technologie militaire, les substrats 6H-SiC sont utilisés pour fabriquer des appareils électroniques de haute puissance capables de fonctionner dans des conditions extrêmes.
Le 3C-SiC est une sorte de semi-conducteur composé à large bande avec d'excellentes propriétés telles qu'une résistance élevée au champ de décomposition, un taux de dérive d'électrons saturés élevé et une conductivité thermique élevée.Il a des applications importantes dans le domaine des véhicules à énergie nouvelleLe 3C-SiC a une mobilité de support plus élevée, une densité d'état de défaut d'interface plus faible et une affinité électronique plus élevée.L'utilisation de 3C-SiC pour fabriquer des FET peut résoudre le problème de la mauvaise fiabilité du dispositif causée par de nombreux défauts de l'interface porte-oxygène.
Paramètres techniques
| Propriété | 4H-SiC, cristal unique | 6H-SiC, cristal unique | 3C-SiC, Cristaux simples |
| Paramètres de la grille | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å | a=4,349 Å |
| Séquence d'empilement | Le code ABC | ABCACB | Le code ABC |
| Dureté de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densité | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 | 20,36 g/cm3 |
| Coefficient de dilatation thermique | 4 à 5 × 10 à 6/K | 4 à 5 × 10 à 6/K | 3.8×10-6/K |
| Indice de réfraction @750 nm |
n = 2.61 ne = 2.66 |
n = 2.60 ne = 2.65 |
n = 2.615 |
| Constante diélectrique | c~9.66 | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductivité thermique (type N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K C ~ 3,7 W/cm·K@298K |
3 à 5 W/cm·K@298K | |
| Conductivité thermique (semi-isolant) |
a~4,9 W/cm·K@298K C ~ 3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K C ~ 3,2 W/cm·K@298K |
|
| - Une bande. | 3.23 eV | 30,02 eV | 2.36 eV |
| Champ électrique de rupture | 3 à 5 × 106 V/cm | 3 à 5 × 106 V/cm | 2 à 5 × 106 V/cm |
| Vitesse de dérive de saturation | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s | 2.7 × 107 m/s |
Application du projet
1. champ des semi-conducteurs: utilisé pour la fabrication de dispositifs de puissance tels que les transistors, les diodes, etc.
2Matériau résistant à haute température: avec un point de fusion élevé et une bonne stabilité à haute température, il peut être utilisé pour fabriquer des pièces à haute température.
3Matériau réfractaire: peut améliorer la résistance au feu.
4Ceramique: améliorer la résistance, la dureté et la résistance à l'usure de la céramique.
5Le domaine aérospatial: il a des applications dans les composants à haute température.
6• champ énergétique: il peut être utilisé pour les cellules solaires et les éoliennes.
Production connexe
FAQ:
1.Q: Soutienez-vous la personnalisation?
R: Oui, nous pouvons personnaliser les plaquettes SiC selon vos exigences, y compris le matériau, les spécifications, la taille et d'autres paramètres.
