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Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

Name: Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Détails de produit

Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Numéro de modèle: 6H-P SiC

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 10 pour cent

Prix: by case

Détails d'emballage: boîte en plastique sur mesure

Délai de livraison: dans 30days

Conditions de paiement: T/T

Capacité d'approvisionnement: 1000pc/month

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Détails de produit

Description de produit

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Substrate de carbure de silicium Sic de qualité zéro, 350 μm Sic Substrate de carbure de silicium, 5.0*5.0mm Sic Substrate au carbure de silicium
                              

Dureté de surface:	HT0,3>2500	Densité:	3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:	4,5 X 10-6/K	Constante diélectrique:	9,7
Résistance à la traction:	>400MPa	Matériel:	Monocristal SiC
Taille:	5.0*5.0mm	Voltage de rupture:	5,5 MV/cm

Dureté de surface:	HT0,3>2500
Densité:	3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:	4,5 X 10-6/K
Constante diélectrique:	9,7
Résistance à la traction:	>400MPa
Matériel:	Monocristal SiC
Taille:	5.0*5.0mm
Voltage de rupture:	5,5 MV/cm

Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

Description du produit:

Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

Le 6H-SiC (carbure de silicium hexagonal) est un matériau semi-conducteur à large bande avec une bonne conductivité thermique et une résistance à haute température,qui est largement utilisé dans les appareils électroniques à haute puissance et haute fréquenceLe dopage de type P est réalisé par l'introduction d'éléments tels que l'aluminium (Al), ce qui rend le matériau électropositif et adapté à des conceptions spécifiques de dispositifs électroniques.qui est adapté au fonctionnement dans des environnements à haute température et haute tensionLa conductivité thermique est supérieure à celle de nombreux matériaux semi-conducteurs traditionnels et contribue à améliorer l'efficacité du dispositif..

Dans le domaine de l'électronique de puissance, il peut être utilisé pour fabriquer des appareils d'alimentation à haut rendement, tels que les MOSFET et les IGBT.il a d'excellentes performances dans les applications à haute fréquence et est largement utilisé dans les équipements de communicationDans le domaine de la technologie LED, il peut être utilisé comme matériau de base pour les appareils LED bleus et ultraviolets.

Caractéristiques:

·L'écart de bande large: l'écart de bande est d'environ 3,0 eV, ce qui le rend approprié pour les applications à haute température, haute tension et haute fréquence.

·Excellente conductivité thermique: avec une bonne conductivité thermique, aide à la dissipation de chaleur, améliore les performances et la fiabilité de l'appareil.

·Haute résistance et dureté: haute résistance mécanique, anti-fragmentation et anti-usure, adaptée à une utilisation dans des environnements difficiles.

·Mobilité des électrons: le dopage de type P maintient encore une mobilité relativement élevée des porteurs, ce qui favorise des dispositifs électroniques efficaces.

·Propriétés optiques: avec des propriétés optiques uniques, adaptées au domaine de l'optoélectronique, telles que les LED et les lasers.

·Stabilité chimique: bonne résistance à la corrosion chimique, adaptée aux environnements de travail difficiles.

·Forte adaptabilité: peut être combinée avec une variété de matériaux de substrat, adaptée à une variété de scénarios d'application.

Paramètres techniques:

Applications:

·L'électronique de puissance: Utilisée pour fabriquer des appareils électriques à haut rendement, tels que les MOSFET et les IGBT, qui sont largement utilisés dans les convertisseurs de fréquence, la gestion de l'énergie et les véhicules électriques.
·Équipement RF et micro-ondes: utilisé dans les amplificateurs à haute fréquence, les amplificateurs de puissance RF, adaptés aux systèmes de communication et de radar.

·Optoélectronique: Utilisé comme substrat dans les LED et les lasers, en particulier dans les applications bleues et ultraviolettes.

·Capteurs à haute température: en raison de leur bonne stabilité thermique, ils conviennent aux capteurs à haute température et aux équipements de surveillance.

·Énergie solaire et systèmes énergétiques: utilisés dans les onduleurs solaires et autres applications d'énergie renouvelable pour améliorer l'efficacité de la conversion d'énergie.

·Electronique automobile: optimisation des performances et économie d'énergie dans le système d'alimentation des véhicules électriques et hybrides.

·Équipement électrique industriel: modules de puissance pour une large gamme d'équipements et de machines d'automatisation industrielle pour améliorer l'efficacité énergétique et la fiabilité.

Personnalisation:

Notre substrat SiC est disponible dans le type 6H-P et est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois.5.0*5,0 mmLe lieu d'origine est la Chine.

Nos services:

1- Fabrication directe et vente.

2Des citations rapides et précises.

3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.

4. ODM: la conception sur mesure est disponible.

5Rapide et précieux.

Questions fréquentes

Q1. Est-ce que votre entreprise est une usine ou une entreprise commerciale?

Nous sommes l'usine et nous pouvons également exporter nous-mêmes.

Q2.Où est située votre entreprise?
Notre société est située à Shanghai, en Chine.

Q3. Combien de temps faut-il pour obtenir les produits?
Généralement, il faudra 3 à 4 semaines pour le traitement. Cela dépend de la taille des produits.

Tags:

12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli Silicium Carbide Ingot Prime Grade 4H-N Type conducteur solaire photovoltaïque

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2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, plaquettes de carbure de silicium, SiC 4H-N, de qualité factice, Rrime, de haute dureté, matériaux semi-conducteurs.

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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

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Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

Substrate de carbure de silicium Sic de qualité zéro

350 μm Sic Substrate de carbure de silicium

5.0*5.0mm Sic Substrate au carbure de silicium

Description du produit:

Caractéristiques:

Paramètres techniques:

Applications:

Personnalisation:

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Questions fréquentes

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