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gaufrette de carbure de silicium 8Inch
, De catégorie gaufrettes factices sic
, Gaufrette de carbure de silicium de catégorie de recherches
de 2inch 4inch 6inch 8Inch de silicium de carbure de gaufrette catégorie principale de recherches factices de gaufrettes sic
2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces Wafer à carbure de silicium Wafers à silicone
Une gaufre SiC est un matériau semi-conducteur qui possède d'excellentes propriétés électriques et thermiques.En plus de sa résistance thermique élevée, il présente également une dureté très élevée.
Spécification
Polytypes
晶型 |
4H-SiC |
6H-SiC |
Diamètre
Le diamètre du cristallin |
2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces |
2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces |
Épaisseur
厚度 |
330 μm à 350 μm |
330 μm à 350 μm |
Conductivité
导电类型 |
N type / semi-isolateur
N 型 conducteur électrique / 半绝缘片 |
N type / semi-isolateur
N 型 conducteur électrique / 半绝缘片 |
Dépendant
∆médicaments |
N2 (azote) V (vanadium) |
N2 (azote) V (vanadium) |
Les orientations
晶向 |
Sur l'axe <0001>
En déviation de l'axe <0001> en déviation de 4° |
Sur l'axe <0001>
En déviation de l'axe <0001> en déviation de 4° |
Résistance
résistance électrique |
0.015 ~ 0,03 ohm-cm
4H-N) |
00,02 ~ 0,1 ohm-cm
(6H-N) |
Densité des micropipes (MPD)
微管密度 (densité du micro-tube) |
≤ 10/cm2 ~ ≤ 1/cm2 |
≤ 10/cm2 ~ ≤ 1/cm2 |
TTV
Variation de l'épaisseur totale |
≤ 15 μm |
≤ 15 μm |
Avantages du carbure de silicium
L'utilisation du carbure de silicium présente de nombreux avantages par rapport aux substrats de silicium traditionnels.Applications à haute température et/ou haute tension.
Les plaquettes de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée, ce qui signifie qu'elles peuvent transférer la chaleur d'un point à un autre.l'un des objectifs communs du passage aux plaquettes SiC.
Ils sont résistants aux chocs thermiques, ce qui signifie qu'ils peuvent changer rapidement de température sans se casser. This creates a clear advantage when fabricating devices as it is another toughness characteristic that improves the lifetime and performance of silicon carbide in comparison to traditional bulk silicon.
Chaîne industrielle
La chaîne industrielle du SiC au carbure de silicium est divisée en préparation de matériaux de substrat, croissance de couche épitaxielle, fabrication de dispositifs et applications en aval.Les monocristaux de carbure de silicium sont généralement préparés par transmission de vapeur physique (méthode PVT), puis des feuilles épitaxiales sont générées par dépôt de vapeur chimique (méthode CVD) sur le substrat, et les dispositifs correspondants sont finalement fabriqués.en raison de la difficulté de la technologie de fabrication du substrat, la valeur de la chaîne industrielle est principalement concentrée dans le maillon de substrat en amont.
Avec sa dureté (le SiC est le deuxième matériau le plus dur au monde) et sa stabilité sous la chaleur et le courant de haute tension,ce matériau est largement utilisé dans plusieurs industries.
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Application du projet
Les plaquettes en carbure de silicium (SiC), disponibles dans divers diamètres tels que 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces, sont utilisées dans une gamme d'applications en raison de leur puissance électrique, thermique,et propriétés mécaniquesCes plaquettes sont classées en différentes catégories, telles que le mannequin, la recherche et la qualité supérieure, chacune servant à des fins spécifiques dans des industries telles que l'électronique de puissance, l'optoélectronique et les semi-conducteurs..
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Waffles SiC de qualité supérieure: Ils sont utilisés dans la production de dispositifs de puissance de haute performance, y compris les MOSFET, les diodes et les IGBT, essentiels pour des applications à haut rendement énergétique telles que les véhicules électriques, les onduleurs solaires,et réseaux électriquesLa capacité du SiC à fonctionner à des températures et à des tensions élevées le rend idéal pour des environnements aussi exigeants.
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Waffles SiC de qualité de recherche: principalement utilisé dans les laboratoires et les universités pour le développement de nouveaux matériaux et dispositifs semi-conducteurs.,Il s'agit d'un programme de recherche qui vise à améliorer la qualité de l'information et à améliorer la qualité de l'information, notamment dans le développement de dispositifs plus efficaces à haute fréquence ou à haute tension.
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Waffles à base de silicium de qualité factice: Utilisés dans les processus de fabrication pour l'étalonnage, les essais d'équipement et l'alignement du système, ils aident à optimiser les conditions de production sans risquer de précieux matériaux de première qualité.
La dureté, la conductivité thermique et la stabilité chimique du carbure de silicium en font également un excellent matériau de substrat dans la production de LED et les applications de radiofréquence à haute puissance.en soulignant sa polyvalence en matière de technologie de pointe.
Questions fréquentes
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