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Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Nom De Marque:	ZMSH
Numéro De Modèle:	Plaquette SiC HPSI
MOQ:	25
Prix:	Fluctuates with market
Délai De Livraison:	2-4 semaines
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shanghai, Chine

Polytype:

4H-SiC grand public

Diamètre:

4/6/8 pouces disponibles

Épaisseur:

Les tailles standard sont 350 μm, 500 μm et 650 μm

Résistivité:

≥1×10¹⁰ Ω・cm (spécifications électriques de base HPSI)

Traitement de surface:

Polissage miroir CMP simple face/double face

Densité de Micropipe:

Qualité de production en série ≤1 pièce/cm²

Description de produit

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

Étiquettes:

sic gaufrette

sic substrat

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