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4H-N SiC:Polire SSP/DSP d'épaisseur personnalisée, disponibles pour les onduleurs photovoltaïques et de stockage d'énergie

Name: 4H-N SiC:Polire SSP/DSP d'épaisseur personnalisée, disponibles pour les onduleurs photovoltaïques et de stockage d'énergie
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 4H-N SiC
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Nom De Marque:	ZMSH
Numéro De Modèle:	4H-N SiC
MOQ:	25
Prix:	Fluctuates with market
Délai De Livraison:	4-9 semaines
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shanghai, Chine

Matériau de base:

SIC

Taille:

Adapté aux besoins du client selon le dessin

Épaisseur:

Personnalisé

Forme:

Formes rondes, carrées ou sur mesure

Surface:

Poli ou selon application

Localisation des encoches:

Quantité, taille et position personnalisables

Description de produit

Informations concernant le SiC 4H-N

Cette plaque de carbure de silicium de type 4H-N (4H-N SiC) de haute pureté est un substrat monocristallin fabriqué pour la fabrication de dispositifs de semi-conducteurs de puissance nécessitant une tension de rupture élevée,conductivité thermique élevéeLe produit est caractérisé par un corps circulaire à un seul cristal, un contrôle d'épaisseur précis, une surface polie épi-prête,une orientation cristallographique contrôlée hors axe, et un bord de gaufre soigneusement profilé.

Plutôt que d'être un simple disque plat, la gaufre intègre plusieurs paramètres de matériau contrôlés avec précision qui peuvent fournir une croissance épitaxielle cohérente, des performances fiables du dispositif,caractéristiques électriques uniformesLa surface épi-prête offre une base à défaut minimisé pour le dépôt épitaxial ultérieur,tandis que l'orientation hors axe contrôlée peut aider à la croissance du flux pas à pas et à maintenir une qualité cristalline définie sur toute la zone du dispositif actif. 4H-N SiC:Polire SSP/DSP d'épaisseur personnalisée, disponibles pour les onduleurs photovoltaïques et de stockage d'énergie

La spécification de la gaufre comprend plusieurs paramètres et contrôles de tolérance personnalisables.normes relatives aux équipements de lithographie, ou objectifs de performance pour l'application finale: diamètre, épaisseur, angle hors axe, plage de résistivité, concentration de dopage, finition de surface, profil de bord, planéité (TTV),et arc / tour peuvent tous être personnalisés selon les spécifications techniques du client.

Cette plaque SiC 4H-N est adaptée aux MOSFET de puissance, aux diodes de barrière Schottky, aux IGBT, aux transistors à jonction bipolaire et à d'autres dispositifs à semi-conducteurs de puissance utilisés dans les onduleurs de traction des véhicules électriques,convertisseurs d'énergie renouvelable (soleil et éolien), les moteurs industriels, les sources d'alimentation sans interruption, les systèmes de commutation haute tension,et les applications électroniques à haute température où les substrats de silicium conventionnels peuvent rencontrer une tension de rupture, la conductivité thermique ou les limitations de fréquence de commutation.

Spécifications techniques

Nom de l'article	Spécification
Produit	4H-N SiC Substrate / Wafer
Matériel	Carbure de silicium monocristallin de type 4H N
Méthode de croissance	Transport physique de vapeur (PVT)
Structure cristalline	Hexagonal (4H-SiC polytypes)
Diamètre	4" / 6" / 8" ou personnalisé
Épaisseur	Pour les appareils de traitement des déchets électroniques
Les orientations	(0001) Face Si / face C, angle hors axe personnalisable (typiquement 4° / 8° vers <11-20>)
Finition de surface	SSP (polissé à une face) / DSP (polissé à deux côtés) / Lapé / Poussière
Qualité de la surface	Scratch-Dig par norme SEMI (par exemple, 40/20, 20/10)
TTV (variation totale de l'épaisseur)	≤ 5 μm (ou selon les exigences du client)
Vue d' orbite.	Polissage: ≤ 0,2 nm / éclaboussure: ≤ 0,5 μm
Roughness (Ra)	Polissage: ≤ 0,2 nm / éclaboussure: ≤ 0,5 μm
Type de bordure	Chaffé ou arrondi selon les besoins
Longueur plate	Personnalisé (selon la norme SEMI ou le dessin du client)
Profil de bord	Chaffé ou arrondi selon les besoins
Dopant / Pureté	Nitrogen dopé de type N, cristal unique de haute pureté
Le revêtement	Couche fonctionnelle non revêtue / personnalisée disponible sur demande
Application du projet	MOSFET de puissance, SBD, onduleur de traction électrique, convertisseur d'énergie renouvelable, alimentation industrielle, électronique à haute température

Pourquoi choisir des substrats 4H-N SiC pour les applications de semi-conducteurs de puissance?

Les substrats 4H-N SiC sont des matériaux de base de base de base avancés à large bande passante largement utilisés dans l'épitaxie des semi-conducteurs de puissance, la fabrication de dispositifs électroniques haute tension,et les systèmes de traitement de l'énergie nouvelleServant de support optimal pour la croissance de la couche épitaxielle de GaN et de SiC, ils fonctionnent dans des environnements de fabrication extrêmes caractérisés par une tension ultra-haute, une commutation à haute fréquence, une charge de courant élevée,et à haute température de longue durée.

Par rapport au silicium, au saphir et aux matériaux de substrat céramique courants traditionnels, les substrats de SiC 4H-N monocristallins de haute pureté présentent des propriétés physiques et électriques complètes supérieures.en les rendant irremplaçables pour les semi-conducteurs de haute puissance et les procédés industriels de nouvelles énergiesLes principaux avantages sont les suivants:

Extrême stabilité à haute température: doté d'un point de fusion allant jusqu'à 2830°C, il maintient une structure cristalline stable et des performances électriques dans des conditions d'épitaxie à haute température, de recuit et d'entretien de l'appareil à long terme,éviter efficacement la défaillance du substrat et la fuite thermique du dispositif de puissance. 4H-N SiC:Polire SSP/DSP d'épaisseur personnalisée, disponibles pour les onduleurs photovoltaïques et de stockage d'énergie

Voltage de rupture ultra-haute: doté d'un champ électrique de décomposition 10 fois supérieur à celui des matériaux en silicium, le 4H-N SiC prend en charge la conception de dispositifs à ultra-haute tension, réduisant considérablement l'épaisseur de la puce et

et réaliser la miniaturisation des modules de haute puissance.

Conductivité thermique supérieureAvec une conductivité thermique 3 à 4 fois supérieure à celle du silicium, il dissipe rapidement la chaleur de fonctionnement des appareils électriques.réduire efficacement la température de jonction et améliorer la stabilité de fonctionnement continu des équipements.

Excellente performance à haute fréquence: Une faible perte de commutation et une faible capacité parasitaire permettent un fonctionnement stable dans des conditions de commutation à haute fréquence, améliorant considérablement l'énergie

gy efficacité de conversion pour les équipements à haute puissance.

Caractéristiques conductrices stables de type N: Le dopage uniforme en azote fournit une conductivité constante à faible résistivité, assurant une excellente conductivité du courant et des performances de mise à la terre pour les dispositifs de puissance verticaux.

Résistance chimique et au plasma supérieure: Il résiste à la corrosion de divers gaz de procédé des semi-conducteurs et à des environnements de gravure au plasma forts, conservant un état de surface ultra-stable lors de l'épitaxie, de la gravure et du dépôt de film mince.

Fiabilité à long terme et résistance aux rayonnements: doté d'une excellente stabilité structurelle et d'une capacité anti-radiation, il s'adapte aux conditions de travail difficiles des véhicules à énergie nouvelle, de l'aérospatiale et des équipements industriels de grande puissance,prolongation de la durée de vie du dispositif.

Pour les raisons susmentionnées, les substrats 4H-N SiC sont devenus le matériau principal de prédilection pour les MOSFET de puissance automobile, les diodes Schottky, les onduleurs photovoltaïques, les modules de stockage d'énergie,et autres composants de base de semi-conducteurs de puissance à haut rendement.

Fabrication sur mesure de substrats 4H-N SiC

Nous sommes spécialisés dans la fabrication de substrats 4H-N SiC personnalisés et standardisés pour les équipements de puissance semi-conducteurs et optoélectroniques,axée sur des solutions sur mesure de haute précision pour la production industrielle en série et la R&D en laboratoireNous dépassons les limites des spécifications standard fixes et personnalisons les substrats SiC entièrement en accord avec les paramètres réels du processus d'épitaxie des clients,exigences en matière de fabrication des plaquettes et normes de conception des dispositifs.

Les options de personnalisation complètes couvrent les paramètres du substrat et les structures de support du processus complet:

Paramètres du noyau du substrat 4H-N SiC

Diamètre de la gaufre (2/4/6/8 pouces et tailles spéciales sur mesure)

Épaisseur du substrat

Orientation des cristaux (face Si / face C, angle hors axe personnalisable 0° ∼ 8°)

Plage de résistance et concentration de dopage d'azote

Forme des bords et spécifications de l'encadrement

Conception de positionnement plat/encoche

Indicateurs de rugosité, de planéité, de TTV et de distorsion/arc de surface

Exigences à double face/à face unique polie (SSP/DSP)

Traitement de surface ultra-propre et traitement de soulagement des contraintes

Compatibilité des composants structurels

Personnalisation de la taille du support de gaufre

Traitement des trous de positionnement et des rainures

Base métallique correspondante et structure de la pochette

Caractéristiques de montage et de fixation des interfaces

Assemblage intégré de substrats et de pièces auxiliaires

Nous pouvons fournir des composants intégrés finis assemblés avec des substrats 4H-N SiC et des pièces métalliques/céramiques correspondantes pour répondre aux besoins d'installation et d'utilisation directs des clients.

Remplacement et service d'ingénierie inverse

pour les substrats 4H-N SiC arrêtés, les plaquettes originales difficiles à obtenir et les substrats non standard sur mesure pour les équipements spéciaux de traitement des semi-conducteurs,Nous fournissons des services professionnels d'ingénierie inverse et de fabrication de remplacementLes clients peuvent fournir les informations suivantes pour évaluation et devis:

Numéro de pièce d'équipement d'origine

Dessin technique détaillé et spécifications des paramètres

Des photos claires du produit et des échantillons physiques (nouveaux/utilisés)

Données de paramètres dimensionnels clés, de cristal et électriques

Modèle d'équipement d'épitaxie à l'appui et informations sur les lots

Scénarios d'application spécifiques et paramètres de l'environnement de processus

Notre équipe d'ingénieurs professionnels effectuera une évaluation complète sur la qualité du cristal du substrat, les performances électriques,difficulté de traitement et faisabilité de fabrication avant la soumission formelleTous les substrats SiC de remplacement personnalisés seront optimisés pour la compatibilité épitaxique et le rendement du dispositif.Les performances de correspondance finale doivent être confirmées conformément aux normes de configuration réelle de l'équipement et du processus de production des clients afin d'assurer une différence nulle dans l'effet d'utilisation..

Contrôle de la qualité

Nous mettons en œuvre une inspection de qualité de précision complète pour tous les substrats 4H-N SiC,et peut fournir des éléments d'inspection ciblés et des rapports d'essais complets selon les exigences du projet du client et les normes du secteur SEMILes principaux contenus de l'inspection sont les suivants:

Inspection de précision en pleine dimension (étalonnage du diamètre, de l'épaisseur et des tolérances)

Détection de l'orientation des cristaux et de la précision des angles hors axe 4H-N SiC:Polire SSP/DSP d'épaisseur personnalisée, disponibles pour les onduleurs photovoltaïques et de stockage d'énergie

Épreuves d'uniformité de résistance et de concentration de dopage

Épreuves de planéité de surface, TTV, arc/déformation et rugosité

Inspection des défauts visuels (égratignures, crevasses, fissures, inclusions de polytypes)

Nettoyage des surfaces et détection des contraintes internes

Inspection de la précision d'assemblage et des tolérances correspondantes

Inspection professionnelle des emballages de plaquettes anti-collision et anti-poussière

Des rapports d'inspection formels contenant des données complètes peuvent être fournis afin d'appuyer la vérification des matériaux entrants du client et la traçabilité de la qualité de la production..

Quelles informations devriez- vous envoyer pour obtenir un devis?

Afin d'assurer un devis précis et un cycle de livraison plus court, veuillez fournir les informations détaillées suivantes:

des informations lors de la consultation:

Des dessins techniques complets du produit et des fiches de paramètres

Exigences relatives au diamètre, à l'épaisseur et aux tolérances du substrat

Orientation du cristal, angle hors axe et plage de résistance

Exigences en matière de finition de surface, de qualité de polissage et de propreté

Paramètres des composants auxiliaires correspondants (le cas échéant)

Marque, modèle et conditions de procédé d'aide des équipements épitaxy

Numéro de pièce OEM d'origine, le cas échéant

Quantité requise et demande de lots

Procédure de demande spécifique et exigences environnementales extrêmes

Si aucun dessin technique complet n'est disponible, veuillez fournir des photos claires en haute définition et des échantillons physiques du substrat SiC afin que notre équipe puisse effectuer des essais de paramètres et une évaluation du schéma.

Questions fréquentes

À quoi sont principalement utilisés les substrats 4H-N SiC?

Les substrats SiC 4H-N sont des matériaux porteurs à large bande passante pour la fabrication de semi-conducteurs de puissance, principalement utilisés dans les MOSFET SiC, les diodes de barrière Schottky, les modules de puissance haute tension,systèmes de commande électrique de véhicules à énergie nouvelle, les onduleurs photovoltaïques, les sources d'alimentation industrielles à haute fréquence et les appareils électroniques aérospatiaux à haute température, adaptés à la haute tension,procédés d'épitaxie et de fabrication de copeaux à haute fréquence et à flux thermique élevé.

Pouvez-vous fournir des pièces d'assemblage de substrat SiC intégré sur mesure?

En plus des plaquettes de substrat 4H-N SiC, nous pouvons personnaliser différents accessoires de plaquette, des bases métalliques,composants de positionnement et ensembles intégrés finis conformément aux dessins et aux exigences relatives aux échantillons, réalisant un guichet unique pour l'approvisionnement.

Pouvez-vous produire des substrats de SiC de remplacement pour les équipements anciens et spéciaux?

Nous offrons un service complet de fabrication personnalisée, y compris la production basée sur des dessins et l'ingénierie inverse des échantillons.échantillons physiques et informations sur l'équipement, et notre équipe va compléter le matching de performance et la fabrication alternative.

Tous les paramètres de base des substrats 4H-N SiC peuvent-ils être personnalisés?

Tous les paramètres clés, y compris la taille de la gaufre, l'épaisseur, l'orientation du cristal, l'angle hors axe, la résistivité, le traitement des bords,la rugosité et la planéité de la surface peuvent être entièrement personnalisées selon les exigences du processus d'épitaxie du client pour répondre aux besoins personnalisés de R&D et de production de masse.

Soutient-on les commandes de petits lots et de prototypes?

Nous soutenons pleinement le développement de prototypes, les tests en laboratoire de petits lots, le remplacement de l'équipement de maintenance et les commandes de production en série.Nous évaluerons le schéma de production et le devis selon les paramètres personnalisés et la difficulté de traitement.

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