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Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

Nom De Marque:	ZMSH
Numéro De Modèle:	Plateau SiC personnalisé
MOQ:	25
Prix:	Fluctuates with market
Délai De Livraison:	2-4 semaines
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shanghai, Chine

Matériel:

Carbure de silicium

Type de produit:

Plateau Sic

Forme:

Rond, Assiette, Personnalisé

Taille:

Personnalisé

Épaisseur:

Personnalisé

Finition de surface:

le broyage ou le polissage

Température de fonctionnement:

≤1600°C

Application:

Traitement des plaquettes de semi-conducteurs, CVD/PECVD, traitement à haute température

Description de produit

Product Information A Silicon Carbide (SiC) Tray is a high-performance precision ceramic carrier designed for semiconductor wafer processing, high-temperature thermal processing, CVD/PECVD systems, vacuum furnaces, and other demanding industrial environments. Its main functions include: Supporting wafers and process components Positioning wafers during processing Wafer transfer and handling Supporting components during high-temperature processes Serving as a precision ceramic

Étiquettes:

4H-N SiC:Polire SSP/DSP d'épaisseur personnalisée, disponibles pour les onduleurs photovoltaïques et de stockage d'énergie

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