| Nom De Marque: | ZMSH |
| Numéro De Modèle: | Plateau SiC personnalisé |
| MOQ: | 25 |
| Prix: | Fluctuates with market |
| Délai De Livraison: | 2-4 semaines |
| Conditions De Paiement: | T/T |
Informations sur le produit
Un plateau en carbure de silicium (SiC) est un support de précision en céramique haute performance conçu pour le traitement des plaquettes de semi-conducteurs, le traitement thermique à haute température, les systèmes CVD/PECVD, les fours à vide et d'autres environnements industriels exigeants.
Ses fonctions principales comprennent :
Notre plateau de plaquettes en SiC disponible publiquement est conçu pour le traitement des plaquettes de semi-conducteurs, les systèmes CVD/PECVD, les fours à vide et les applications industrielles à haute température. Selon l'application, du SiC CVD de haute pureté ou du SSiC peut être utilisé.
Processus de fabrication
Le processus de fabrication réel varie en fonction du système de matériaux SiC et des exigences de l'application. Une voie de fabrication typique comprend :
1. Sélection et préparation des matières premières
Le SiC CVD, le SSiC ou un autre matériau SiC approprié est sélectionné en fonction de la pureté et des exigences de l'application.
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2. Façonnage / Préparation de la préforme
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3. Frittage / Densification
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4. Usinage de précision
L'usinage et la rectification CNC sont utilisés pour obtenir les dimensions requises, les trous de montage, les fentes et les caractéristiques structurelles.
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5. Rectification / Polissage
Les surfaces fonctionnelles peuvent être rectifiées, rodées ou polies avec précision selon les exigences de l'application.
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6. Nettoyage et inspection
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7. Emballage protecteur et expédition
Nos informations publiques sur les produits identifient le façonnage, le frittage et l'usinage CNC de précision comme faisant partie de la voie de fabrication et listent également la rectification/le polissage de précision comme méthodes de finition disponibles. ![]()
Caractéristiques clés
1. Excellente stabilité à haute température
Les plateaux en SiC conviennent aux environnements de traitement à haute température et peuvent maintenir une stabilité structurelle dans des conditions thermiques exigeantes. Vos données produit publiées spécifient une température de fonctionnement de ≤1600°C, bien que la capacité de température réelle dépende de la qualité spécifique du SiC et de l'environnement du processus.
2. Excellente conductivité thermique
Le SiC offre une conductivité thermique élevée, contribuant à un transfert de chaleur efficace et à une distribution de température plus uniforme.
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3. Excellente résistance aux chocs thermiques
Il est bien adapté aux applications impliquant des cycles de chauffage et de refroidissement répétés.
4. Haute résistance mécanique
Les céramiques SiC offrent une résistance mécanique et une rigidité élevées, contribuant à maintenir la stabilité dimensionnelle pendant le fonctionnement à haute température à long terme.
5. Résistance chimique et au plasma
Le SiC offre une bonne stabilité chimique et une bonne résistance dans les environnements de semi-conducteurs exigeants impliquant des gaz corrosifs et du plasma.
6. Usinage de précision
Le plateau peut être usiné selon les dessins du client, y compris les dimensions, les fentes, les trous et les structures complexes, avec rectification ou polissage disponibles selon les exigences de l'application.
7. Entièrement personnalisable
Diamètre
Épaisseur
Fentes
Trous de montage
Structure
Finition de surface
Votre page produit publique prend explicitement en charge la personnalisation OEM/ODM basée sur les dessins du client ou les exigences de l'application.
Spécifications clés
| Paramètre | Spécification vérifiée |
|---|---|
| Nom du produit | Plateau SiC / Plateau personnalisé en carbure de silicium |
| Matériau | SiC CVD / SSiC / RBSiC* |
| Pureté | Jusqu'à 99,9% |
| Température de fonctionnement | ≤1600°C |
| Densité | 2,3–3,9 g/cm³ |
| Résistance aux chocs thermiques | Excellente |
| Finition de surface | Rectifié / Poli de précision |
| Forme | Rond / Anneau / Plaque / Personnalisé |
| Taille | Personnalisé |
| Épaisseur | Personnalisé |
| Géométrie des fentes | Personnalisé |
| Trous de montage | Personnalisé |
| Structure | Plat / Rainuré / Perforé / Complexe personnalisé |
| Personnalisation | OEM / ODM |
| Applications | Semi-conducteur / CVD / Four |
Nous pouvons sélectionner les matériaux en fonction des exigences du client concernant la température, l'atmosphère, la pureté et le contrôle de la contamination.
Applications
1.Fabrication de semi-conducteurs :
Utilisé pour le support, le transport, le transfert et le traitement à haute température des semi-conducteurs.
2. Traitement CVD / PECVD :
Convient aux systèmes de traitement CVD et PECVD.
3. Diffusion, oxydation et recuit :
Utilisé dans les processus de diffusion, d'oxydation et de recuit à haute température des plaquettes.
4. Traitement RTP / Épitaxial
Applicable à certains systèmes de traitement RTP et épitaxial.
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5. LED et optoélectronique
Les applications comprennent le traitement des plaquettes de saphir, les systèmes de support d'épitaxie de LED et le support de substrat à haute température.
6. Four à vide et thermique
Utilisé comme plateaux de frittage à haute température, supports de four à vide et fixations de traitement thermique.
7. Métallurgie des poudres et matériaux avancés
Au-delà des applications de semi-conducteurs, les plateaux en SiC peuvent également être utilisés en métallurgie des poudres, en frittage de céramiques avancées et en traitement thermique de matériaux de batterie.
FAQ
Q1. À quoi sert un plateau en SiC ?
Il est principalement utilisé pour supporter, transporter, positionner et traiter des plaquettes ou d'autres composants dans des processus de semi-conducteurs à haute température tels que CVD, PECVD, diffusion, oxydation, recuit et RTP.
Q2. Le plateau en SiC peut-il être personnalisé ?
Oui. Les dimensions, l'épaisseur, la forme, la géométrie des fentes, les trous de montage et les structures complexes peuvent être personnalisés en fonction des dessins du client et des exigences de l'application.
Q3. Quelles options de matériaux sont disponibles ?
La gamme de produits publiée comprend le SiC CVD, le SSiC et le RBSiC. Le matériau approprié doit être sélectionné en fonction de la pureté, de la température de fonctionnement, de l'atmosphère du processus, des exigences de contamination et des objectifs de coût.
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Q4. Quelles informations sont nécessaires pour un devis ?
Matériau + Taille + Épaisseur + Structure + Détails des fentes/trous + Finition de surface + Tolérance + Quantité + Application + Température de fonctionnement
Pour les produits non standard, un dessin 2D ou un fichier CAO 3D est fortement recommandé.
Q5. Quelle est la température de fonctionnement maximale ?
Votre page produit actuelle de plateau SiC spécifie une température de fonctionnement de ≤1600°C. La température utilisable réelle doit être confirmée en fonction de la qualité du matériau et de l'environnement du processus.
Q6. La surface peut-elle être polie ?
Oui. La rectification ou le polissage de précision peuvent être fournis selon les exigences de l'application.
Q7. Pouvez-vous fournir OEM/ODM ?
Oui. La personnalisation OEM/ODM est prise en charge sur la base des dessins du client et des exigences de l'application.
Q8. Pourquoi choisir le SiC plutôt que le quartz ou le graphite ?
Le SiC offre des avantages en termes de stabilité à haute température, de résistance mécanique, de performance thermique et de stabilité chimique. Cependant, la sélection des matériaux doit toujours être basée sur le processus réel plutôt que de supposer que le SiC est universellement supérieur au quartz ou au graphite.
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