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Détails des produits

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Sic substrat
Created with Pixso. Plateau SiC personnalisé : SiC CVD SSiC plat rainuré Haute conductivité thermique Faible coefficient de dilatation thermique

Plateau SiC personnalisé : SiC CVD SSiC plat rainuré Haute conductivité thermique Faible coefficient de dilatation thermique

Nom De Marque: ZMSH
Numéro De Modèle: Plateau SiC personnalisé
MOQ: 25
Prix: Fluctuates with market
Délai De Livraison: 2-4 semaines
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shanghai, Chine
Matériel:
Carbure de silicium
Type de produit:
Plateau Sic
Forme:
Rond, Assiette, Personnalisé
Taille:
Personnalisé
Épaisseur:
Personnalisé
Finition de surface:
le broyage ou le polissage
Température de fonctionnement:
≤1600°C
Application:
Traitement des plaquettes de semi-conducteurs, CVD/PECVD, traitement à haute température
Mettre en évidence:

CVD SiC plateau rainuré

,

SSiC plateau haute conductivité thermique

,

Substrat SiC faible dilatation thermique

Description de produit

Informations sur le produit

      Un plateau en carbure de silicium (SiC) est un support de précision en céramique haute performance conçu pour le traitement des plaquettes de semi-conducteurs, le traitement thermique à haute température, les systèmes CVD/PECVD, les fours à vide et d'autres environnements industriels exigeants.

Ses fonctions principales comprennent :

  • Support des plaquettes et des composants de processus
  • Positionnement des plaquettes pendant le traitement
  • Transfert et manipulation des plaquettes
  • Support des composants pendant les processus à haute température
  • Servir de composant de précision en céramique dans les équipements de semi-conducteurs

      Notre plateau de plaquettes en SiC disponible publiquement est conçu pour le traitement des plaquettes de semi-conducteurs, les systèmes CVD/PECVD, les fours à vide et les applications industrielles à haute température. Selon l'application, du SiC CVD de haute pureté ou du SSiC peut être utilisé.   





Processus de fabrication
 

      Le processus de fabrication réel varie en fonction du système de matériaux SiC et des exigences de l'application. Une voie de fabrication typique comprend :
 

1. Sélection et préparation des matières premières
      Le SiC CVD, le SSiC ou un autre matériau SiC approprié est sélectionné en fonction de la pureté et des exigences de l'application.

↓

2. Façonnage / Préparation de la préforme

↓

3. Frittage / Densification

↓

4. Usinage de précision
      L'usinage et la rectification CNC sont utilisés pour obtenir les dimensions requises, les trous de montage, les fentes et les caractéristiques structurelles.

↓

5. Rectification / Polissage
      Les surfaces fonctionnelles peuvent être rectifiées, rodées ou polies avec précision selon les exigences de l'application.

↓

6. Nettoyage et inspection

↓

7. Emballage protecteur et expédition
      Nos informations publiques sur les produits identifient le façonnage, le frittage et l'usinage CNC de précision comme faisant partie de la voie de fabrication et listent également la rectification/le polissage de précision comme méthodes de finition disponibles.                                       Plateau SiC personnalisé : SiC CVD SSiC plat rainuré Haute conductivité thermique Faible coefficient de dilatation thermique



Caractéristiques clés


1. Excellente stabilité à haute température
      Les plateaux en SiC conviennent aux environnements de traitement à haute température et peuvent maintenir une stabilité structurelle dans des conditions thermiques exigeantes. Vos données produit publiées spécifient une température de fonctionnement de ≤1600°C, bien que la capacité de température réelle dépende de la qualité spécifique du SiC et de l'environnement du processus.

 

2. Excellente conductivité thermique
      Le SiC offre une conductivité thermique élevée, contribuant à un transfert de chaleur efficace et à une distribution de température plus uniforme.     
                                                                                                                       
Plateau SiC personnalisé : SiC CVD SSiC plat rainuré Haute conductivité thermique Faible coefficient de dilatation thermiquePlateau SiC personnalisé : SiC CVD SSiC plat rainuré Haute conductivité thermique Faible coefficient de dilatation thermique

 


















3. Excellente résistance aux chocs thermiques
      Il est bien adapté aux applications impliquant des cycles de chauffage et de refroidissement répétés.
 

4. Haute résistance mécanique
      Les céramiques SiC offrent une résistance mécanique et une rigidité élevées, contribuant à maintenir la stabilité dimensionnelle pendant le fonctionnement à haute température à long terme.
 

5. Résistance chimique et au plasma
      Le SiC offre une bonne stabilité chimique et une bonne résistance dans les environnements de semi-conducteurs exigeants impliquant des gaz corrosifs et du plasma.
 

6. Usinage de précision
      Le plateau peut être usiné selon les dessins du client, y compris les dimensions, les fentes, les trous et les structures complexes, avec rectification ou polissage disponibles selon les exigences de l'application.

 7. Entièrement personnalisable

  • Diamètre

  • Épaisseur

  • Fentes

  • Trous de montage

  • Structure

  • Finition de surface

      Votre page produit publique prend explicitement en charge la personnalisation OEM/ODM basée sur les dessins du client ou les exigences de l'application.


​
Spécifications clés

 Paramètre  Spécification vérifiée
 Nom du produit  Plateau SiC / Plateau personnalisé en carbure de silicium
 Matériau SiC CVD / SSiC / RBSiC*
 Pureté Jusqu'à 99,9%
 Température de fonctionnement ≤1600°C
 Densité 2,3–3,9 g/cm³
 Résistance aux chocs thermiques Excellente
 Finition de surface Rectifié / Poli de précision
 Forme Rond / Anneau / Plaque / Personnalisé
 Taille Personnalisé
 Épaisseur Personnalisé
 Géométrie des fentes Personnalisé
 Trous de montage Personnalisé
 Structure Plat / Rainuré / Perforé / Complexe personnalisé
 Personnalisation OEM / ODM
 Applications Semi-conducteur / CVD / Four

     

      Nous pouvons sélectionner les matériaux en fonction des exigences du client concernant la température, l'atmosphère, la pureté et le contrôle de la contamination.


Applications
1.Fabrication de semi-conducteurs :
      Utilisé pour le support, le transport, le transfert et le traitement à haute température des semi-conducteurs.

2. Traitement CVD / PECVD :
      Convient aux systèmes de traitement CVD et PECVD.

3. Diffusion, oxydation et recuit :
      Utilisé dans les processus de diffusion, d'oxydation et de recuit à haute température des plaquettes.

4. Traitement RTP / Épitaxial
      Applicable à certains systèmes de traitement RTP et épitaxial.
Plateau SiC personnalisé : SiC CVD SSiC plat rainuré Haute conductivité thermique Faible coefficient de dilatation thermique


5. LED et optoélectronique
      Les applications comprennent le traitement des plaquettes de saphir, les systèmes de support d'épitaxie de LED et le support de substrat à haute température.

6. Four à vide et thermique
      Utilisé comme plateaux de frittage à haute température, supports de four à vide et fixations de traitement thermique.

7. Métallurgie des poudres et matériaux avancés
      Au-delà des applications de semi-conducteurs, les plateaux en SiC peuvent également être utilisés en métallurgie des poudres, en frittage de céramiques avancées et en traitement thermique de matériaux de batterie.


 

FAQ
Q1. À quoi sert un plateau en SiC ?
      Il est principalement utilisé pour supporter, transporter, positionner et traiter des plaquettes ou d'autres composants dans des processus de semi-conducteurs à haute température tels que CVD, PECVD, diffusion, oxydation, recuit et RTP.

Q2. Le plateau en SiC peut-il être personnalisé ?
      Oui. Les dimensions, l'épaisseur, la forme, la géométrie des fentes, les trous de montage et les structures complexes peuvent être personnalisés en fonction des dessins du client et des exigences de l'application.

Q3. Quelles options de matériaux sont disponibles ?
      La gamme de produits publiée comprend le SiC CVD, le SSiC et le RBSiC. Le matériau approprié doit être sélectionné en fonction de la pureté, de la température de fonctionnement, de l'atmosphère du processus, des exigences de contamination et des objectifs de coût.

Plateau SiC personnalisé : SiC CVD SSiC plat rainuré Haute conductivité thermique Faible coefficient de dilatation thermique

 


Q4. Quelles informations sont nécessaires pour un devis ?
      Matériau + Taille + Épaisseur + Structure + Détails des fentes/trous + Finition de surface + Tolérance + Quantité + Application + Température de fonctionnement
      Pour les produits non standard, un dessin 2D ou un fichier CAO 3D est fortement recommandé.


Q5. Quelle est la température de fonctionnement maximale ?
      Votre page produit actuelle de plateau SiC spécifie une température de fonctionnement de ≤1600°C. La température utilisable réelle doit être confirmée en fonction de la qualité du matériau et de l'environnement du processus.

Q6. La surface peut-elle être polie ?
      Oui. La rectification ou le polissage de précision peuvent être fournis selon les exigences de l'application.

Q7. Pouvez-vous fournir OEM/ODM ?
      Oui. La personnalisation OEM/ODM est prise en charge sur la base des dessins du client et des exigences de l'application.

Q8. Pourquoi choisir le SiC plutôt que le quartz ou le graphite ?
      Le SiC offre des avantages en termes de stabilité à haute température, de résistance mécanique, de performance thermique et de stabilité chimique. Cependant, la sélection des matériaux doit toujours être basée sur le processus réel plutôt que de supposer que le SiC est universellement supérieur au quartz ou au graphite.

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