Maison
>
PRODUITS
>
Pièces de saphir
>
|
| Lieu d'origine | La Chine |
| Nom de marque | zmkj |
| Numéro de modèle | tige de graine |
la tige de graine de saphir pour l'élevage en cristal de saphir, verre du monocristal Al2O3, les lingots en verre optique de saphir, 20x20mm a adapté les tiges aux besoins du client optiques de saphir, bâton optique de saphir, la lentille en verre du monocristal Al2O3, lingots en verre optique par le saphir, tiges optiques polies de saphir
Spécifications communes pour la graine Rods de saphir
Diamètre 0.2-300mm ou personnalisation (20x20mm, 10x10mml, dia20mm)
Tolérance +/-0.1mm de diamètre à +/-0.01mm
Épaisseur 0.10-100mm (150mm)
± 0.1mm ou +/-0.01mm de tolérance d'épaisseur
Qualité extérieure (éraflure et fouille) 60/40, 40/20 ou better20/10
Exactitude extérieure λ/10, λ/2, λ
Ouverture claire >85%, >90%
Parallélisme +/--3 ', +/--30 »
Degré 0.1~0.3mm×45 biseauté
d'où est-ce que le saphir est ?
Le saphir synthétique est une forme de monocristal de corindon, Al2O3, égalementconnusous le nom d'alpha-alumine, alumine,
et Al2O3de monocristal. Lesaphirestl'oxyde d'aluminiumsouslaformela plus puresanslaporositéoulesjoints de grain, la rendantthéoriquementdense. Lacombinaisondespropriétésfavorablesdeproduit chimique, électriques, mécaniques, optiques, extérieures, thermiques, etdelongévitéfontàsaphirunmatérielpréférépourdesconceptionsdesystèmeetdecomposantdehauteperformance. Pourdifférentesapplicationsdesemi-conducteur, lesaphirestlemeilleurchoixen comparaisond'autressimple-cristauxsynthétiques.
Propriétés principales de saphir :
| Formule chimique | Al2O3 |
| Classe en cristal | Système hexagonal, classe rhomboidal 3m |
| Constantes de trellis, A | a=4.785, c=12.991 |
| Densité, g/cm3 | 3,98 |
| Point de fusion, °K | 2303 |
| Dureté | Knoop (daN/mm2) : parallèle 1800 au C-axe, perpendiculaire 2200 au C-axe, Mohs : 9 |
| Gamme de transmission optique, µm | 0.17 - 5,5 |
| Indice de réfraction à 0,532 µm | n0=1.7717, nord-est =1.76355 |
| Absorption d'eau | zéro |
| Jeune module, Gpa | 345 |
| Module de cisaillement, Gpa | 145 |
| Module de compressibilité, Gpa | 240 |
| Module de recourbement (module de la rupture), MPA | 420 à 20°C, 280 à 500°C |
| Coefficient élastique | C11=496, C12=164, C13=115, C33=498, C44=148 |
| Coefficient de Poisson | 0.25-0.30 |
| Coefficient de frottement | 0,15 sur l'acier, 0,10 sur le saphir |
| Résistance à la traction, MPA | 400 à 25°, 275 à 500°, 345 à 1000° |
| Résistance à la flexion, daN/mm2 | 35 à 39 |
| Résistance à la pression, GPa | 2,0 |
| Module de Young E, daN/mm2 | 3,6 x 104 à 4,4 x 104 |
| La chaleur spécifique, j (kilogramme X K) | 105 à 91°K, 761 à 291°K |
| Coefficient thermique d'expansion linéaire, K-1, à323K | parallèle 6,66 x 10-6 à l'axe optique, perpendiculaire 5 x 10-6 à l'axe optique |
| Conduction thermique, avec (m X K) à 300K | parallèle 23,1 à l'axe optique, perpendiculaire 25,2 à l'axe optique |
| Résistivité, ohm X cm | 1016 (25°), 1011 (500°), 106 (1000°) |
| Constante diélectrique | 11,5 (103 - 109 hertz, 25°) parallèles à C-axe, (103 - 109 hertz, 25°) perpendiculaire 9,3 au C-axe |
| Résistance diélectrique, V/cm | 4 x 105 |
| Tangente de perte | 1 x 10-4 |
| Solubilité - dans l'eau - en HNO3, H2TELLEMENT4, HCL, à haute fréquence - dans les alcalis - dans les fontes de métaux magnésium, Al, Cr, Co, Ni, Na, K, Bi, Zn, Cs |
insoluble insoluble à 300°C insoluble à 800°C insoluble à 800-1000°C |
| g - stabilité de rayonnement | Aucun changement de transmission au-dessus de 2,5 millimètres après exposition à 107 rads. Aucune coloration évidente après exposition à 108 Rads/hr pendant 60 minutes - à 195°C |
| Stabilité de rayonnement de Proton | Aucun changement de transmission en-dessous de 0,3 µm après exposition à 1012 protons/à cm2 de dose totale |
| Résistance chimique |
Le saphir est fortement inerte et résistant à l'attaque dans la plupart des environnements de processus comprenant l'acide fluorhydrique et les applications de plasma de fluor a généralement trouvé dans le traitement de gaufrette de semi-conducteur (NF3, CF4) |
quel est advantagement de saphir ?
1-Thinner et vitraux plus fortement que standard
longueurs d'onde 2-Transmits s'étendant d'UV à Mi-infrarouge
dureté 3-Features extérieure extrême et résistance chimique
quelles sont des demandes de saphir ?
Substrats/gaufrettes de saphir : disques EPI-poli, optiquement poli, enroulé ou de comme-coupe de saphir,
fenêtres, substrats, blancs aussi bien que structures épitaxiales « silicium-sur-saphir » (SOS).
échantillon 3,0
4.We peut assurer le service adapté aux besoins du client par professionnel à temps et fournir la coopération
et appui d'appareil de développement et de technologie de produit nouveau comprenant autre
gaufrettes de matériaux de semi-conducteur et lentille optique comme like~
emballage et livraison de 5,0
Contactez-nous à tout moment
