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Sic substrat
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| Lieu d'origine | La Chine |
| Nom de marque | zmsh |
| Numéro de modèle | sic-6inch 4h-n |
| Propriété | 4H-SiC, monocristal | 6H-SiC, monocristal |
| Paramètres de trellis | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Empilement de l'ordre | ABCB | ABCACB |
| Dureté de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densité | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coefficient d'expansion | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Index @750nm de réfraction |
aucun = 2,61 Ne = 2,66 |
aucun = 2,60 Ne = 2,65 |
| Constante diélectrique | c~9.66 | c~9.66 |
| ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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| Conduction thermique (semi-isolante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
| Bande-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Champ électrique de panne | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Vitesse de dérive de saturation | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
| spécifications de substrat de carbure de silicium de 6 po. de diamètre (sic) |
| Catégorie | Catégorie de Z | Catégorie de P | Catégorie de R | Catégorie de D | |
| MPD ZÉRO | Production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | ||
| Diamètre | 150mm±0.5 millimètre | ||||
| Épaisseur | 350 μm±25μm ou 500±25um ou par taille adaptée aux besoins du client | ||||
| Orientation de gaufrette | Outre de l'axe : 4.0° vers <1120> ±0.5° pour 4H-N | ||||
| Densité de Micropipe | ≤1cm-2 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤50 | |
| Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 Ω·cm | ||||
| Appartement primaire | {10-10} ±5.0° | ||||
| Longueur plate primaire | 47.5mm±2.5 millimètre | ||||
| Exclusion de bord | 3mm | ||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤40μm/≤60μm | ||||
| Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre | ||||
| CMP Ra≤0.5 nanomètre | |||||
| Aucun | Aucun | 1 laissé, ≤1 millimètre | |||
| Fissures par la lumière de forte intensité | |||||
| Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Area≤ cumulatif 1 % | Area≤ cumulatif 1 % | Area≤ cumulatif 3 % | ||
| Aucun | Area≤ cumulatif 2 % | Area≤5% cumulatif | |||
| Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | |||||
| 3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 8 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | |||
| Éraflures par la lumière de forte intensité | |||||
| Puce de bord | Aucun | 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun | 5 laissés, ≤1 millimètre chacun | ||
| Contamination par la lumière de forte intensité | Aucun | ||||
FAQ :
Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?
A : (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.
(2) il est très bien si vous avez votre propre compte exprès, sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer et
Le fret est conforme au règlement réel.
Q : Comment payer ?
A : Dépôt de T/T 100% avant la livraison.
Q : Quel est votre MOQ ?
A : (1) pour l'inventaire, le MOQ est 1pcs. si 2-5pcs il est meilleur.
(2) pour les produits communs adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs.
Q : Quel est le délai de livraison ?
A : (1) pour les produits standard
Pour l'inventaire : la livraison est pendant 5 jours ouvrables après que vous passez la commande.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 pendant -4 semaines après que vous commandez le contact.
Q : Avez-vous les produits standard ?
A : Nos produits standard en stock. comme comme les substrats 4inch 0.35mm.
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