calibre de 2inch AlN sur le saphir ou sic les substrats, gaufrette de nitrure de gallium de HVPE, substrats d'AlN sur GaN
Calibre de 2INCH AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir
La largeur de bande interdite (luminescente et absorption) couvrent la lumière et l'infrarouge ultra-violets et visibles.
Le calibre d'AlN est employé pour le développement des structures d'HEMT, diodes tunnel résonnantes et
dispositifs acoustoelectronic
Caractéristiques :
2" calibres d'AlN | ||
Article | AlN-T | |
Dimensions | Ф 2" | |
Substrat | Saphir, sic, GaN | |
Épaisseur | 1000nm+/- 10% | |
Orientation | ± 1° du C-axe (0001) | |
Type de conduction | Semi-isolant | |
Densité de dislocation | XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec=""> | |
XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec=""> | ||
Superficie utilisable | > 80% | |
Polonais | Norme : SSP | |
Option : DSP | ||
Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des cassettes de 25pcs ou de conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote. |
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