Envoyer le message
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Courrier : eric_wang@zmsh-materials.com Téléphone : 86-1580-1942596
Maison > PRODUITS > Sic substrat >
Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic
  • Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic
  • Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic
  • Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic
  • Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic
  • Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic
  • Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic

Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic

Lieu d'origine La Chine
Nom de marque ZMSH
Certification ROHS
Numéro de modèle 6h-n 2inch
Détails de produit
Matériel:
sic en cristal
Taille:
2inch
Épaisseur:
350um ou 330um
Surface:
CMP au SI-visage, MP de c-visage
Couleur:
Transparent
Type:
6h-n
Résistivité:
0.015~0.028ohm.cm
Ra:
<0>
Surligner: 

sic gaufrette du substrat 2inch

,

De silicium de carbure substrat sic

,

6 H-N Silicon Carbide Wafer

Description de produit

 

gaufrette de carbure de silicium de 10x10x0.5mm sic 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC

de 2inch 0.33mm 0.43mm 6H-N 4H-N sic de substrats de silicium de carbure gaufrette sic

Qualité en cristal élevée pour l'électronique de puissance exigeante

Comme le transport, l'énergie et les marchés industriels évoluent, exigez pour l'électronique de puissance de performance fiable et haute continue à se développer. Pour répondre aux besoins de représentation améliorée de semi-conducteur, les fabricants de dispositif regardent aux matériaux larges de semi-conducteur de bandgap, tels que notre catégorie 4H sic principale des gaufrettes de type de carbure de silicium de 4H n (sic).

Fonctionnalités clé

  • Optimizes a visé la représentation et le coût total de la propriété pour des dispositifs de l'électronique de puissance de prochaine génération
  • Gaufrettes de grand diamètre pour des économies d'échelle améliorées à la fabrication de semi-conducteur
  • Gamme des seuils de tolérance pour répondre aux besoins spécifiques de fabrication de dispositif
  • Qualité en cristal élevée
  • Basses densités de défaut

Classé pour la production améliorée

Avec la taille de gaufrette de 150 millimètres, nous offrons à des fabricants la capacité d'accroître des économies d'échelle améliorées comparées à 100 millimètres de fabrication de dispositif. Nos gaufrettes de 150 millimètres sic offrir des caractéristiques mécaniques uniformément excellentes pour assurer la compatibilité avec des processus existants et se développants de fabrication de dispositif.

Adapté aux besoins du client pour répondre à vos besoins

Notre sic matériel peut être adapté aux besoins du client pour répondre aux exigences de représentation et de coût des besoins de conception de dispositif. Nous avons la capacité pour produire les gaufrettes de haute qualité pour des dispositifs de prochaine génération avec de basses densités de défaut aussi basses que le ≤ de MPD 0,1 cm-2, ≤ 400 cm de DST2 et ≤ 1 500 cm de baril par jour-2.

Apprenez plus de notre pdf technique sur des gaufrettes de carbure de silicium de 150 millimètres

Spécifications
Propriété
4H-SiC, monocristal
6H-SiC, monocristal
Paramètres de trellis
a=3.076 Å c=10.053 Å
a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre
ABCB
ABCACB
Dureté de Mohs
≈9.2
≈9.2
Densité
3,21 g/cm3
3,21 g/cm3
Therm. Coefficient d'expansion
4-5×10-6/K
4-5×10-6/K
Index @750nm de réfraction
aucun = 2,61
Ne = 2,66
aucun = 2,60
Ne = 2,65
Constante diélectrique
c~9.66
c~9.66
ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique
a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K
 
Conduction thermique (semi-isolante)
a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K
a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K
Bande-Gap
eV 3,23
eV 3,02
Champ électrique de panne
3-5×106V/cm
3-5×106V/cm
Vitesse de dérive de saturation
2.0×105m/s
2.0×105m/s

Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic 0Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic 1Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic 2

Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic 3Gaufrette de carbure de silicium des substrats 2inch 0.33mm 0.43mm de 6H-N 4H-N sic 4

Gaufrettes relatives de SIC en stock :

catégorie factice de Prodcution de catégorie de recherches de catégorie de gaufrettes de 2inch 330um 4H-N/4H-Semi/6H-Semi sic

 

catégorie factice de Prodcution de catégorie de recherches de catégorie de gaufrettes de 3inch 350um 4H-N/4H-Semi HPSI sic

catégorie factice de Prodcution de catégorie de recherches de catégorie de gaufrettes de 4inch 350um 4H-N/500um HPSI 4H-Semi sic

catégorie factice de Prodcution de catégorie de recherches de catégorie de gaufrettes de 6inch 350um 4H-N/500um 4H-Semi sic

Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?

(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre compte exprès, il est grand.

Q : Comment payer ?

(1) T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram et
Paiement d'assurance sur Alibaba et etc….
(2) honoraires de banque : Union≤USD1000.00 occidental),
T/T - : au-dessus de 1000usd, svp par t/t

Q : Quel est pour fournir le temps ?

(1) pour l'inventaire : le délai de livraison est 5 jours ouvrables.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client : le délai de livraison est 7 à 25 jours ouvrables. Selon la quantité.

Q : Est-ce que je peux adapter les produits aux besoins du client basés sur mon besoin ?

Oui, nous pouvons adapter le matériel, les caractéristiques et le revêtement aux besoins du client optique pour vos composants optiques basés sur vos besoins.

Contactez-nous à tout moment

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenue de Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Changhaï, CHINE
Envoyez-votre enquête directement nous