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6" Silicium de haute pureté 4H-Semi SIC Wafers semi-conducteurs de qualité factice LED de qualité 5G D
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6" Silicium de haute pureté 4H-Semi SIC Wafers semi-conducteurs de qualité factice LED de qualité 5G D

Lieu d'origine Chine
Nom de marque ZMSH
Certification ROHS
Numéro de modèle 4H-Semi SIC
Détails de produit
le matériel:
Le système de surveillance de la sécurité des véhicules doit être conforme à l'annexe I.
Grade:
D
Diamètre:
150 ± 0,2 mm
Épaisseur:
500 ± 25 μm
VTT:
≤ 10 μm ((5 mm*5 mm)
TTV:
≤ 20 μm
arc:
- 45 μm à 45 μm
chaîne:
≤ 55 μm
Résistivité:
70% de surface > 1 E5 ohm·cm
Surligner: 

Plaquettes de semi-conducteurs de qualité défectueuse

,

Substrate SIC à base de silicium 4H

,

Plaquettes à semi-conducteurs LED

Description de produit

6 ̊ Silicium de haute pureté 4H-Semi SIC Wafers semi-conducteurs de qualité factice 5G LED

 

 

Définition:

 

D'une épaisseur n'excédant pas 1 mm4H-SIC) est un type spécial de carbure de silicium.Dans la structure cristalline, le SIC à semi-conducteurs 4H a des propriétés de semi-conducteur, tandis que le carbure de silicium à semi-conducteurs 4H semi-isolé a des caractéristiques de résistance plus élevées,présentant des propriétés similaires à celles des isolants.à haute résistanceCarbure de silicium à semi-conducteur 4Ha des applications importantes dansélectroniquela fabrication d'appareils, en particulier dans les applications à haute puissance et à haute température.Silicium semi-isolé carburepeut être utilisé comme résistance, couche d'isolation ousous-produitspour aider à réduire l'interconnexion de courant et les interférences entre les appareils.4 heuresindique la structure cristalline decarbure de silicium.4H-carbure de siliciumest une forme de structure cristalline dans laquelle les atomes de silicium et de carbone forment une structure cristalline stable.

 

 

Caractéristiques:

 

 

Caractéristiques

Décrits

Propriété à haute température

Le carbure de silicium 4H semi-conducteur présente d'excellentes caractéristiques à haute température et peut fonctionner dans des environnements à haute température.

Résistance à haute pression

Le carbure de silicium à semi-conducteurs 4H a une résistance élevée au champ électrique de décomposition et une résistance à la tension.

Résistance à la requérance élevée

Le carbure de silicium à semi-conducteurs 4H présente une grande mobilité électronique et de faibles caractéristiques de capacité, permettant une commutation à grande vitesse et une conversion de puissance à faible perte.

Faible perte d'allumage

Le SIC 4H-semi a une faible perte d'allumage-arrêt, c'est-à-dire moins de perte d'énergie à l'état conducteur, ce qui réduit les pertes de chaleur dans la conversion d'énergie.

Haute résistance aux rayonnements

Les SIC à semi-H 4 ont une résistance élevée aux rayonnements et peuvent maintenir des performances stables dans des environnements à haut rayonnement.

Bonne conductivité thermique

Les SIC à semi-H 4 ont une bonne conductivité thermique et peuvent transférer et disperser efficacement la chaleur.

Résistance chimique élevée

Le SIC 4H-semi a une résistance élevée à la corrosion chimique et à l'oxydation pour maintenir des performances stables dans des environnements difficiles.

 

 

 

Paramètres techniques:

 

 

Production

La recherche

Espèce de crétin!

Le type

4 heures

4 heures

4 heures

Résistance (ohm·cm)

≥ 1E9

100% de surface>1E5

70% de surface> 1E5

Diamètre

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

Épaisseur

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

Axe

Le nombre de personnes concernées

Le nombre de personnes concernées

Le nombre de personnes concernées

TTV

≤ 5 μm

≤ 10 μm

≤ 20 μm

LTV ((5 mm*5 mm)

≤ 3 μm

≤ 5 μm

≤ 10 μm

Faites une fleur.

- 25 μm à 25 μm

- 35 μm à 35 μm

- 45 μm à 45 μm

La distorsion.

≤ 35 μm

≤ 45 μm

≤ 55 μm

Pour les appareils à moteur à combustion

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Ra≤0,2 nm

Densité des micropipes

≤ 1ea/cm2

≤ 10ea/cm2

≤ 15ea/cm2

 

 

 

 

Applications:


1Le substrat SIC à haute pureté 4H-semi peut être utilisé dans les appareils électroniques de puissance.


2Le SIC à haute pureté 4H-semi peut être utilisé pour fabriquer des appareils optoélectroniques.


3Les SIC à haute pureté 4H peuvent être utilisés comme amplificateurs de puissance à haute fréquence.

 

4Une SIC à haute pureté 4H peut être utilisée pour fabriquer des cellules solaires efficaces.


5Le SIC à haute pureté 4H-semi peut être utilisé pour fabriquer des dispositifs LED (diodes électroluminescentes).


6Le SIC à haute pureté 4H-semi a des applications importantes dans les appareils électroniques à haute température.


7. La SIC à haute pureté 4H-semi peut être utilisée peut être utilisée pour fabriquer divers types de capteurs

 

 

6" Silicium de haute pureté 4H-Semi SIC Wafers semi-conducteurs de qualité factice LED de qualité 5G D 0

 

 

 

 

Autres produits connexes:

 

4H-N SIC

 

 

6" Silicium de haute pureté 4H-Semi SIC Wafers semi-conducteurs de qualité factice LED de qualité 5G D 1

 

 

 

Questions fréquentes:

 

Q: Quelle est la certification deLa valeur de l'indicateur de fréquence est calculée en fonction de la fréquence de l'indicateur de fréquence.?

A: La certification deLa valeur de l'indicateur de fréquence est calculée en fonction de la fréquence de l'indicateur de fréquence.est ROHS.

 

Q: Quelle est la marque deLa valeur de l'indicateur de fréquence est calculée en fonction de la fréquence de l'indicateur de fréquence.?

A: Nom de marqueLa valeur de l'indicateur de fréquence est calculée en fonction de la fréquence de l'indicateur de fréquence.est ZMSH.

 

Q: Quel est le lieu d'origine deLa valeur de l'indicateur de fréquence est calculée en fonction de la fréquence de l'indicateur de fréquence.?

A: Le lieu d'origine deLa valeur de l'indicateur de fréquence est calculée en fonction de la fréquence de l'indicateur de fréquence.est la Chine.

 

Q: Quel est le MOQ deHPSI 4h-semi SIC à la fois?

R: La quantité deLa valeur de l'indicateur de fréquence est calculée en fonction de la fréquence de l'indicateur de fréquence.C'est 25 pièces à la fois.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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