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Gaufrette de saphir
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| Lieu d'origine | LA CHINE |
| Nom de marque | zmkj |
| Certification | Cz/ Rohs/ GSG |
| Numéro de modèle | 4.125/6.125/6inch/8inch |
monocristal Al2O3 de 6inch Sapphire Wafer Orientation 0001
le côté simple ou double de C-avion de 4inch Sapphire Wafer a poli le monocristal Al2O3
avion Crystal Sapphire Wafer simple de 4inch Dia100mm A
axe Crystal Sapphire Wafer Sapphire Substrates simple de 2inch Dia50mm C
8inch diamètre 159mm Crystal Sapphire Wafer For Epi simple - transporteur prêt
la gaufrette de saphir du R-axe de c-avion de 4inch/5inch/6inch/6.125inch/8inch (1-102) (10-10), les substrats de saphir de dia200mm, gaufrette de saphir polie double par côté du C-axe 2-6inch pour epi-prêt mené, substrats de saphir, la lentille Al2O3 optique en cristal, double côté a poli la surface 8" de SSP Sapphire Carrier
Orientation
Des substrats de saphir d'Un-avion - sont habituellement employés pour des applications microélectroniques hybrides exigeant une constante diélectrique uniforme et isolant fortement des caractéristiques.
Des substrats de C-avion - tendez à être employé pour des composés de lll-V et de ll-Vl, tels que GaN, pour la LED lumineuse et les diodes lasers bleues et vertes.
Substrats de R-avion - ceux-ci sont préférés pour le dépôt hétéro-épitaxial du silicium utilisé dans des applications microélectroniques d'IC.
Caractéristique
Caractéristiques de Sapphire Wafer, 6 pouces, C-avion (0001), catégorie principale
| Matériel | Grande pureté, >99.99%, Al2O3de monocristal |
| Dimension | 150,0 millimètre +/- 0,05 millimètres |
| Épaisseur | 1300 um +/- 25 um (SSP), 600 um +/- 25 um (DSP) |
| Orientation | Avion de C (0001) outre de degré de l'avion 0,2 +/- 0,05 de M (1-100) |
| Orientation plate primaire | Un-avion +/- 1 degré |
| Variation totale d'épaisseur (TTV) | <20um> |
| Arc | <25um> |
| Chaîne | <25um> |
| Coefficient de dilatation thermique | 6,66 x 10-6 / parallèle de °C à l'axe de C, 5 x 10-6/°C |
| Résistance diélectrique | 4,8 x 105 V/cm |
| Constante diélectrique | 11,5 (1 mégahertz) le long de l'axe de C, 9,3 perpendiculaire (1 mégahertz) à l'axe de C |
| Tangente de perte diélectrique (a.k.a facteur de dissipation) | moins de 1 x 10- 4 |
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Transmittance : |
88% +/- 1 % @460 nanomètre |
Propriétés électriques de saphir
Résistivité, ohm X cm au °C 200-500 : 1011 - 1016
Constante diélectrique : 10,0
Résistance diélectrique, V/cm : 4 x 105
Tangente de perte : 1 x 10-4
Application
Affichage de produit
Emballage des gaufrettes de saphir
FAQ :
Q : Quel est votre MOQ ?
: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 10pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 25pcs.
Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?
: (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.
(2) si vous avez votre propre compte exprès, il est grand. Sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer.
Le fret est conforme au règlement réel.
Q : Quel est le délai de livraison ?
Pour l'inventaire : la livraison est pendant 5 jours ouvrables après que vous passez la commande.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou pendant 3 semaines après que vous passez la commande.
Q : Avez-vous les produits standard ?
: Nos produits standard dans stock.as comme 4inch 0.65mm, gaufrette polie par 0.5mm.
Q : Comment payer ?
: 50%deposit, laissé avant la livraison T/T,
Q : Est-ce que je peux adapter les produits aux besoins du client basés sur mon besoin ?
: Oui, nous pouvons adapter le matériel, les caractéristiques et le revêtement aux besoins du client optique pour votre optique
composants basés sur vos besoins.
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