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Gaufrette de silicium d'IC
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| Lieu d'origine | La Chine |
| Nom de marque | ZMSH |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | Silicon004 |
Nos gaufrettes de silicium de haute qualité d'IC sont faites de matériel supérieur de silicium et sont disponibles en gaufrettes de 6 pouces, de 4 pouces, de 6 pouces et de 8 pouces SOI. La surface de ces gaufrettes de silicium d'IC est exempte de tous les défauts et des gammes de résistivité de 1 à 10 ohms. D'ailleurs, la densité de particules sur la surface de ces gaufrettes de silicium de SOI est moins de 30 par cm2 et chaîne est moins que 20um. Nos gaufrettes de silicium d'IC sont très utilisées dans la production des semi-conducteurs et des circuits intégrés.
| Propriété | Valeur |
|---|---|
| Planéité | <50um> |
| Finition extérieure | SSP/DSP |
| Essai | Oui |
| Orientation | (100), (110), (111) |
| Résistivité | 1~10ohm |
| Taille | 1inch, 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch, 12inch |
| Épaisseur | 0.28/ 0,35/0,5/0,525/0,625/0,7/0,725 |
| Arc | <10um> |
| Dopant | /N-type de type p |
| Matériel | Silicium |
| Processus | LPCVD, substrat du revêtement SiO2, gaufrettes de PECVD SIO2 |
La gaufrette de silicium d'IC de ZMSH est une gaufrette performante avec une surface ultra-mince et performante. Il est extrêmement approprié à la fabrication de semi-conducteur d'IC, fournissant un substrat fiable pour la fabrication des circuits intégrés. Le modèle Silicon004 a une épaisseur de 0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725 et une quantité d'ordre minimum de 25PC. La certification de ROHS est disponible et chaque gaufrette simple a subi le contrôle de qualité strict avec une valeur de TTV de moins que 10um. Elle est disponible dans les tailles 4inch, 6inch, et 8inch, et trois orientations (100), (110), (111). La surface peut être adaptée aux besoins du client avec le revêtement SiO2. Le prix est par cas et le délai de livraison est dans 30days. Les conditions de paiement sont T/T et la capacité d'approvisionnement est 2000PC/months.
La gaufrette de silicium d'IC de ZMSH est le choix parfait pour la fabrication de semi-conducteur d'IC, avec sa surface ultra-mince et performante. C'est un substrat idéal pour des gaufrettes de 4inch, de 6inch, et de 8inch SOI, et son revêtement SiO2 assure une surface fiable et durable. Toutes les gaufrettes de silicium d'IC sont strictement examinées, sans des défauts et une valeur de TTV de moins que 10um. C'est le choix parfait pour n'importe qui qui recherche une gaufrette ultra-mince et performante pour la fabrication de semi-conducteur d'IC.
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