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Substrate SiC au carbure de silicium 4H-SEMI épaisseur 2 pouces Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice de 350um 500um

Sic substrat
2024-08-15
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Les produits doivent être présentés sous forme d'une plaque de carbure de silicium, de carbure de silicium, d'un substrat de silicium, d'un substrat de carbure de silicium, de qualité P, de qualité D, ... Vue davantage
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