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2' 4' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Substrats semi-conducteurs 350um 650um
  • 2' 4' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Substrats semi-conducteurs 350um 650um
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2' 4' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Substrats semi-conducteurs 350um 650um

Lieu d'origine Chine
Nom de marque ZMSH
Certification ROHS
Numéro de modèle Plaquettes de phosphure d'indium
Détails de produit
Matériel:
Phosphure d'indium
orientation:
100 +/- 0,05 degré
Diamètre:
2inch 3inch 4inch
arc:
≤10μm
Finition extérieure:
Polissés
Aspérité:
Ra < 0,2 nm
TTV:
Le taux d'humidité
Épaisseur:
350um 500um 600um
type:
Substrats
Surligner: 

Substrats de semi-conducteurs à base de phosphure d'indium

,

Wafer en phosphure d'indium de 2'

,

Plaquette de 4'

Description de produit

2' 4' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Substrats semi-conducteurs 350um 650um

 

 

 

Description du produitWafer InP:

 

Les puces InP (phosphure d'indium) sont un matériau semi-conducteur couramment utilisé pour la fabrication de dispositifs optoélectroniques hautes performances tels que les photodiodes, les lasers et les capteurs photoélectriques.

 

  • Structure cristalline: les puces InP adoptent une structure cristalline cubique avec une structure en treillis très ordonnée.

 

  • La différence d'énergie: les puces InP ont une petite différence d'énergie directe d'environ 1,35 eV, qui est un matériau semi-conducteur dans la gamme de la lumière visible.

 

  • Indice de réfraction: l'indice de réfraction d'une plaque InP varie avec la longueur d'onde de la lumière et est d'environ 3,17 dans la plage visible.

 

  • Conductivité thermique: InP a une conductivité thermique élevée d'environ 0,74 W/ ((cm·K).

 

  • Mobilité électronique: les puces InP ont une mobilité électronique élevée d'environ 5000 cm^2/(V·s).

 

  • Taille de la puce: Les puces InP sont généralement fournies sous forme de puce ronde et peuvent varier en diamètre de quelques millimètres à plusieurs pouces.

 

  • Caractéristiques de surface: la surface de la puce InP est généralement spécialement traitée pour améliorer sa planéité et sa propreté.

 

 

 

Caractéristiques duPlaquette InP:

 

La puce InP (phosphure d'indium) est largement utilisée dans le domaine des appareils optoélectroniques comme matériau de substrat des appareils semi-conducteurs. Voici quelques-uns des avantages des matériaux de substrat de puce InP:

 

  • Faille d'énergie directe: les puces InP ont une petite faille d'énergie directe (environ 1,35 eV), ce qui leur permet d'absorber et d'émettre efficacement des signaux lumineux dans la plage visible.

 

  • Mobilité électronique élevée: Les puces InP ont une mobilité électronique élevée (environ 5000 cm2 / V), ce qui les rend présentant d'excellentes propriétés électriques dans les appareils électroniques à grande vitesse.

 

  • Effets photoélectriques forts: Les puces InP ont un effet photoélectrique fort, ce qui les rend très performantes dans des appareils tels que les photodétecteurs et les photodiodes.

 

  • Stabilité et fiabilité: les puces InP ont une bonne stabilité thermique et de bonnes propriétés électriques, ce qui leur permet de fonctionner dans des environnements à haute température et à fort champ électrique.

 

  • Techniques de préparation étendues: Les plaquettes InP peuvent être cultivées par diverses techniques de préparation, telles que la dépôt de vapeur chimique métal-organique (MOCVD) et l'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE).

 

 

 

Paramètres techniques deWafer InP:

 

 

Nom de l'article Paramètre OUM
Matériel Résultats de l'enquête  
Type de conduction/Dopant Le nombre d'étoiles est le suivant:  
Grade Espèce de crétin!  
Diamètre 100.0+/-0. Je vous en prie.3 mm
Les orientations (100) +/- 0,5°  
Zone jumelle lamellaire une surface monocristalline utile avec une orientation (100) > 80%  
L'orientation principale est plate Le montant de l'allocation est calculé à partir du montant de l'allocation mm
Longueur plate primaire 32.5+/-1  
Orientation à plat secondaire Le rapport annuel de l'UE  
Longueur plate secondaire 18+/-1  

 

 

 

Applications deWafer InP:

 

 

La puce InP (phosphure d'indium), en tant que matériau de substrat des dispositifs semi-conducteurs, possède d'excellentes propriétés photoélectriques et électriques.Voici quelques-uns des principaux domaines d'application des matériaux de substrate de puce InP:

 

  • Communication optique: Il peut être utilisé pour fabriquer des émetteurs de lumière (tels que les lasers) et des récepteurs de lumière (tels que les photodiodes) dans les systèmes de communication par fibre optique.

 

  • Détection et détection optiques: Les photodétecteurs basés sur des puces InP peuvent convertir efficacement des signaux optiques en signaux électriques pour la communication optique, la mesure optique,analyse spectrale et autres applications.

 

  • Technologie laser: les lasers basés sur l'INP sont largement utilisés dans la communication optique, le stockage optique, le liDAR, le diagnostic médical et le traitement des matériaux.

 

  • Circuits intégrés optoélectroniques: les puces InP peuvent être utilisées pour fabriquer des circuits intégrés optoélectroniques (OEics),qui est l'intégration de dispositifs optoélectroniques et de dispositifs électroniques sur la même puce.

 

  • Cellules solaires: les puces InP ont un rendement de conversion photoélectrique élevé, de sorte qu'elles peuvent être utilisées pour fabriquer des cellules solaires efficaces.

 

 

 

2' 4' InP Wafer Indium Phosphide Wafer Substrats semi-conducteurs 350um 650um 0

 

 

 

 

FAQ:

 

Q1: Quelle est la marqueWafer InP?
A1: Le
Phosphure d'indiumest fabriqué par ZMSH.

 

Q2: Quel est le diamètre de laPhosphure d'indium?
A2: Le diamètre de
Phosphure d'indiumest de 2'', 3'', 4''.

 

Q3: Où se trouve lePhosphure d'indium- Je ne sais pas.
A3: Le
Phosphure d'indiumest de Chine.

 

Q4: Est-ce que lePhosphure d'indiumCertifié ROHS?
R4: Oui, le
Phosphure d'indiumest certifié ROHS.

 

Q5: Combien?Phosphure d'indiumJe peux acheter des galettes à la fois?
A5: Quantité minimale de commande de la commande
Phosphure d'indiumC'est 5 pièces.

 

 

 

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