Découvrez le substrat en carbure de silicium (SiC) 4H-SEMI, une plaquette haute performance idéale pour l'électronique de puissance, l'électronique automobile et les dispositifs RF. Disponible en diamètre de 2 pouces avec des options d'épaisseur de 350um ou 500um, ce substrat de qualité prime ou factice offre une dureté et une fiabilité exceptionnelles pour les applications exigeantes.