Cet équipement permet un amincissement précis de matériaux semi-conducteurs fragiles de 4" à 12", notamment le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), l'arséniure de gallium (GaAs) et les substrats de saphir, en atteignant une précision de contrôle de l'épaisseur de ±1 μm et une variation d'épaisseur totale (TTV) ≤2 μm pour répondre aux exigences rigoureuses de l'emballage avancé et de la fabrication de dispositifs de puissance.
Dossier: Découvrez le système d'amincissement de gaufres équipement d'amincissement de précision, compatible avec 4-12 pouces SiC, Si, GaAs, et des gaufres de saphir.Réaliser un contrôle de l'épaisseur de ±1 μm et une TTV ≤2 μm pour la fabrication d'emballages avancés et de dispositifs de puissanceOptimisé pour les semi-conducteurs à large bande comme le SiC.
Caractéristiques Du Produit Connexes:
Amincissement de précision pour matériaux semi-conducteurs fragiles de 4 à 12 pouces, y compris Si, SiC, GaAs et saphir.
Réalise une précision de contrôle de l'épaisseur de ±1 μm et un TTV ≤2 μm.
Optimisation des paramètres de broyage et des procédés de polissage pour les différentes propriétés des matériaux.
Surveillance intégrée de l'épaisseur en temps réel pour des performances stables.
Des solutions de chuck sous vide personnalisables pour les produits irréguliers.
Le broyage à fuseau In-Feed de haute précision avec une précision d'usinage supérieure.
Opération conviviale avec interface humaine ergonomique et contrôle précis de l'axe Z.
Prend en charge les modes de fonctionnement automatique et semi-automatique avec mesure de l'épaisseur en temps réel.
FAQ:
L'équipement d'amincissement des plaquettes prend-il en charge la personnalisation?
Oui, nous proposons des solutions entièrement personnalisées, notamment des mandrins spécialisés pour les plaquettes irrégulières et le développement de recettes de procédés sur mesure.
Quelle précision de contrôle de l'épaisseur les machines d'amincissement de plaquettes peuvent-elles atteindre ?
Les modèles haut de gamme atteignent une homogénéité d'épaisseur de ± 0,5 μm avec TTV≤1 μm (système de surveillance de l'épaisseur par interférométrie laser).
Quels matériaux sont compatibles avec le système d'amincissement de plaquettes ?
Le système est compatible avec les matériaux semi-conducteurs fragiles de 4 à 12 pouces, y compris le silicium (Si), le carbure de silicium (SiC), l'arsenide de gallium (GaAs) et les substrats de saphir.