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Substrat SiC de type 4H-N 10×10mm Petite plaquette

sic crystal
July 30, 2025
Catégorie Connexion: Sic substrat
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#sic gaufrette #sic substrat #substrat de carbure de silicium
Dossier: Vous vous êtes déjà demandé comment le substrat SiC de type 4H-N, petite plaquette de 10×10 mm, peut révolutionner l'électronique de puissance ? Cette vidéo présente ses caractéristiques de haute performance, ses options de personnalisation et ses inspections de qualité rigoureuses, ce qui le rend idéal pour les applications B2B dans les véhicules à énergie nouvelle, l'infrastructure 5G, et plus encore.
Caractéristiques Du Produit Connexes:
  • Produit à semi-conducteur haute performance à base de carbure de silicium (SiC) avec des options de polytype 4H-SiC ou 6H-SiC.
  • Tolérance dimensionnelle contrôlée à ±0,05 mm et rugosité de surface Ra < 0,5 nm pour les applications de précision.
  • Disponible en versions dopées de type N et de type P avec une plage de résistivité de 0,01 à 100 Ω*cm.
  • Gestion thermique exceptionnelle avec une conductivité thermique allant jusqu'à 490 W/m*K, trois fois supérieure à celle du silicium.
  • Propriétés électriques supérieures, notamment une rigidité diélectrique de 2 à 4 MV/cm et une vitesse de dérive de saturation des électrons de 2×10^7 cm/s.
  • Adaptabilité environnementale extrême, maintenant des performances stables à des températures allant jusqu'à 600°C.
  • Performances mécaniques exceptionnelles avec une dureté Vickers de 28-32 GPa et une résistance à la flexion supérieure à 400 MPa.
  • Services de personnalisation pour l'orientation cristalline, l'épaisseur et la concentration de dopage, basées sur les exigences du client.
FAQ:
  • Quelles sont les principales applications des plaquettes SiC de 10 × 10 mm?
    Les plaquettes SiC de 10 × 10 mm sont principalement utilisées pour le prototypage d'électronique de puissance (MOSFET / diodes), de dispositifs RF et de composants optoélectroniques en raison de leur haute conductivité thermique et de leur tolérance à la tension.
  • Comment SiC se compare-t-il au silicium pour les applications haute puissance ?
    Le carbure de silicium (SiC) offre une tension de claquage 10 fois supérieure et une conductivité thermique 3 fois meilleure que le silicium, ce qui permet de créer des dispositifs plus petits, plus efficaces, à haute température et haute fréquence.
  • Quelles sont les options de personnalisation disponibles pour le substrat SiC 10×10mm ?
    Les options de personnalisation incluent des formes non standard (rondes, rectangulaires, etc.), des profils de dopage spéciaux, une métallisation arrière et des solutions sur mesure pour l'orientation cristalline, l'épaisseur et la concentration de dopage.
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