Substrat SiC de type 4H-N 10×10mm Petite plaquette

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Substrat SiC de type 4H-N 10×10mm Petite plaquette

sic crystal

July 30, 2025

Catégorie Connexion: Sic substrat

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La petite plaquette SiC 10×10 est un produit semi-conducteur haute performance développé sur la base du carbure de silicium (SiC) de troisième génération.Fabriqués à l'aide de procédés de transport physique des vapeurs (PVT) ou de dépôt chimique à haute température des vapeurs (HTCVD), il offre deux options de polytypes: 4H-SiC ou 6H-SiC. Avec une tolérance dimensionnelle contrôlée à ± 0,05 mm et une rugosité de surface Ra < 0,5 nm,le produit est disponible en versions dopées de type N et de type P, couvrant une gamme de résistivité de 0,01-100Ω·cm. Chaque plaquette est soumise à des contrôles de qualité rigoureux,comprenant la diffraction par rayons X (XRD) pour les essais d'intégrité du réseau et la microscopie optique pour la détection des défauts de surf

Étiquettes:

#sic gaufrette #sic substrat #substrat de carbure de silicium

Dossier: Découvrez la plaquette de substrat SiC de type 4H-N de 10x10mm, un produit semi-conducteur haute performance pour l'électronique de puissance. Avec une gestion thermique exceptionnelle et des propriétés électriques supérieures, cette plaquette est idéale pour les véhicules à énergie nouvelle, l'infrastructure 5G et les applications aérospatiales. Formes et dimensions personnalisables disponibles.

Caractéristiques Du Produit Connexes:

Substrate SiC de type 4H-N avec des dimensions de 10x10 mm et une tolérance de ±0,05 mm.
Conductivité thermique jusqu'à 490 W/m*K, trois fois supérieure à celle du silicium.
La force du champ de décomposition est de 2 à 4 MV/cm, dix fois celle du silicium.
Des performances stables à des températures allant jusqu'à 600°C avec une faible expansion thermique.
Dureté Vickers de 28-32 GPa et résistance à la flexion supérieure à 400 MPa.
Orientation cristalline, épaisseur et concentration de dopage personnalisables.
Idéal pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF et les composants optoélectroniques.
Inspections de qualité rigoureuses, notamment par diffraction des rayons X et microscopie optique.

FAQ:

Quelles sont les principales applications des plaquettes SiC de 10 × 10 mm?

Les plaquettes SiC de 10 × 10 mm sont principalement utilisées pour le prototypage d'électronique de puissance (MOSFET / diodes), de dispositifs RF et de composants optoélectroniques en raison de leur haute conductivité thermique et de leur tolérance à la tension.
Comment SiC se compare-t-il au silicium pour les applications haute puissance ?

Le carbure de silicium (SiC) offre une tension de claquage 10 fois supérieure et une conductivité thermique 3 fois meilleure que le silicium, ce qui permet de créer des dispositifs plus petits, plus efficaces, à haute température et haute fréquence.
Quelles sont les options de personnalisation disponibles pour le substrat SiC 10×10mm ?

Les options de personnalisation comprennent des formes non standard (rondes, rectangulaires), des profils de dopage spéciaux, une métallisation arrière et une orientation cristalline, une épaisseur et une concentration de dopage sur mesure.

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