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4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial

Sic substrat
2024-05-29
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#sic gaufrette #sic substrat #substrat de carbure de silicium
4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial Description du produit: Le substrat SiC a également une rugosité de surface de Ra < 0,5 nm, ce qui ... Vue davantage
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