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Substrat de carbure de silicium 4H pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF et l'optoélectronique UV

Sic substrat
2026-01-05
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Substrate au carbure de silicium 4H pour électronique de puissance, appareils RF et optoélectronique UV Vue d'ensemble du produit Le...Substrate 4H-SiCest un carbure de silicium monocristallin de ... Vue davantage
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