Depuis plus d’une décennie, l’essor commercial du carbure de silicium est étroitement lié à une industrie majeure : les véhicules électriques.

Les onduleurs de traction à haute tension, les chargeurs embarqués et les systèmes de charge rapide ont créé un environnement idéal pour les dispositifs électriques SiC. À mesure que les véhicules électriques évoluaient vers un rendement plus élevé et une tension de système plus élevée, le carbure de silicium est passé d'un matériau semi-conducteur spécialisé à une plate-forme majeure d'électronique de puissance.

Aujourd’hui, un autre marché énorme est en train d’émerger.

Il n'a pas de roues.

Il se trouve à l’intérieur de bâtiments remplis de processeurs.

L'intelligence artificielle transforme les centres de données en charges électriques qui connaissent la croissance la plus rapide au monde.

La consommation mondiale d’électricité des centres de données était d’environ 415 TWh en 2024, selon l’Agence internationale de l’énergie. Selon son scénario de référence, la consommation pourrait atteindre environ 945 TWh d'ici 2030. La consommation d'électricité des serveurs accélérés, en grande partie pilotée par l'IA, devrait croître beaucoup plus rapidement que la consommation électrique des serveurs conventionnels.

Les États-Unis illustrent l’ampleur du changement. Une mise à jour du laboratoire national de 2026 estime que les centres de données pourraient consommer environ 11,8 % de l'électricité américaine d'ici 2030 dans son scénario de référence, avec des scénarios modélisés allant de 9,5 % à 15,3 %.

Cette explosion de la demande d’électricité soulève une question importante pour l’industrie des semi-conducteurs de puissance :

L’infrastructure d’IA pourrait-elle devenir le deuxième marché de croissance majeur pour le carbure de silicium après les véhicules électriques ?

La réponse dépend peut-être moins des processeurs d’IA eux-mêmes que de tout ce qui est nécessaire pour leur fournir de l’électricité.

L’IA n’est pas seulement une révolution informatique : elle est en train de devenir une révolution dans le domaine de l’électronique de puissance

Lorsque les gens pensent à l’infrastructure de l’IA, l’attention se porte généralement sur les processeurs, la mémoire, la mise en réseau et le refroidissement.

Mais chaque accélérateur d’IA dépend en fin de compte d’un système électrique beaucoup plus vaste.

L’électricité peut traverser plusieurs étapes avant d’atteindre le processeur :

Réseau utilitaire → Transformateur → Conversion AC/DC → UPS ou stockage d'énergie → Distribution DC haute tension → Conversion de puissance en rack → Serveur → Accélérateur AI

Chaque étape de conversion introduit des pertes électriques.

À petite échelle, une fraction de point de pourcentage peut paraître insignifiante.

À l’échelle d’un grand campus d’IA, cela devient économiquement important.

À mesure que le déploiement de l’IA se développe, les centres de données sont simultanément confrontés à :

• puissance d'installation plus élevée ;
• densité de puissance du rack plus élevée ;
• des charges de refroidissement plus élevées ;
• des systèmes d'alimentation de secours plus grands ;
• des connexions au réseau plus exigeantes ;
• et une pression plus forte pour améliorer l’efficacité énergétique.

L’AIE note que l’essor de l’IA accélère le déploiement de serveurs hautes performances et augmente la densité énergétique des centres de données. Les serveurs accélérés représentent près de la moitié de l’augmentation nette projetée de la consommation électrique mondiale des centres de données jusqu’en 2030 dans son scénario de base.

C’est exactement le type d’environnement dans lequel une électronique de puissance efficace devient stratégiquement importante.

Et c’est là que le carbure de silicium entre en scène.

Pourquoi le carbure de silicium s'adapte aux infrastructures d'IA haute puissance

Le carbure de silicium appartient à la famille des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite.

Par rapport au silicium conventionnel, les dispositifs de puissance SiC peuvent prendre en charge des conditions de conversion de puissance exigeantes impliquant une haute tension, des performances de commutation élevées et une densité de puissance élevée.

Le ministère américain de l'Énergie identifie spécifiquement les technologies à large bande interdite telles que SiC et GaN comme permettant des systèmes électroniques de puissance plus puissants et plus économes en énergie, y compris des applications dans les centres de données, les équipements industriels, les véhicules électriques et autres systèmes électrifiés.

Un avantage important est la capacité des appareils à large bande interdite à prendre en charge des fréquences de commutation plus élevées.

Une fréquence de commutation plus élevée peut réduire la taille requise des inductances, des condensateurs et d'autres composants passifs, permettant potentiellement des systèmes de convertisseurs plus petits et plus denses en puissance.

Pour l’infrastructure d’IA, cela est important pour trois raisons :

efficacité, espace et chaleur.

Un convertisseur plus efficace gaspille moins d’électricité.

Un convertisseur plus compact utilise moins d'espace physique.

Et des pertes de conversion plus faibles signifient que moins de chaleur doit être évacuée.

À l’échelle du centre de données IA, ces trois éléments sont importants.

La véritable opportunité SiC ne réside pas dans la puce IA

Il est important de clarifier un point.

L’essor de l’IA ne signifie pas nécessairement que le SiC deviendra soudainement le matériau utilisé pour fabriquer les processeurs d’IA.

Ce n’est pas la principale opportunité.

L’opportunité la plus importante réside dans l’infrastructure électrique entourant ces processeurs.

Considérez l’accélérateur d’IA comme la destination finale.

Le carbure de silicium pourrait participer à l’autoroute électrique qui l’alimente.

Les applications potentielles comprennent :

• conversion AC/DC haute puissance ;
• étapes de correction du facteur de puissance ;
• Systèmes UPS ;
• systèmes de batterie de secours;
• conversion CC haute tension ;
• interfaces de stockage d'énergie ;
• conversion moyenne tension;
• entraînements de moteurs pour systèmes de refroidissement ;
• systèmes électriques connectés au réseau ;
• et les futures architectures de distribution d'énergie à semi-conducteurs.

Cette distinction est importante.

L’opportunité SiC créée par l’IA n’est pas principalement une opportunité informatique-semi-conducteurs.

C'est une opportunité dans le domaine des semi-conducteurs de puissance.

Le 800 V CC pourrait devenir un tournant important

Le développement le plus intéressant concerne peut-être la distribution d’énergie dans les centres de données.

À mesure que la puissance du rack augmente, il devient de plus en plus difficile de distribuer d’énormes quantités d’énergie à une tension relativement basse.

La raison vient des relations électriques de base.

La puissance est d'environ :

P = V × je

Pour un même niveau de puissance, l’augmentation de la tension réduit le courant.

Et les pertes dans les conducteurs augmentent approximativement avec le carré du courant :

Perte de puissance ∝ I²R

Un courant plus faible peut donc contribuer à réduire les pertes résistives et à réduire la quantité de cuivre requise pour la distribution d’énergie.

C’est l’une des raisons pour lesquelles le secteur des infrastructures d’IA explore des tensions de distribution CC beaucoup plus élevées.

Lors d'un événement majeur de l'industrie de l'informatique ouverte en juillet 2026, les discussions ont spécifiquement identifié la distribution CC haute tension de 800 V et la fourniture d'énergie en quasi-charge comme des technologies importantes pour les centres de données d'IA de nouvelle génération. Le même événement a discuté de l'évolution vers des systèmes 800 V CC pour les racks AI de classe mégawatt.

Cette évolution devrait attirer l’attention de l’industrie du carbure de silicium.

Pourquoi?

Parce que la tension du système électrique évolue vers un territoire où le SiC devient de plus en plus attractif.

Les centres de données IA pourraient répéter une partie de l’histoire de l’architecture électrique des véhicules électriques

Il existe un parallèle intéressant entre les automobiles et les infrastructures d’IA.

Les véhicules électriques ont commencé avec des architectures à tension relativement faible.

Comme le souhaitaient les fabricants :

• charge plus rapide ;
• puissance supérieure;
• courant inférieur ;
• efficacité améliorée;
• et des systèmes électriques plus légers,

les plates-formes à haute tension sont devenues de plus en plus attractives.

Cette transition a contribué à accroître la demande de carbure de silicium.

Les centres de données IA pourraient désormais être confrontés à un problème conceptuel similaire, bien qu’à une échelle complètement différente.

À mesure que la puissance des racks augmente, les concepteurs de centres de données souhaitent également :

• tension de distribution plus élevée ;
• courant inférieur ;
• pertes électriques réduites ;
• densité de puissance plus élevée ;
• et une conversion plus efficace.

Cette similitude ne signifie pas que les centres de données IA utiliseront exactement la même électronique de puissance que les véhicules électriques.

Ils ne le feront pas.

Mais la pression technique sous-jacente est familière :

lorsque la puissance augmente considérablement, l’efficacité devient plus précieuse.

C’est dans cet environnement que SiC a historiquement gagné des parts de marché.

Un rack d'un mégawatt change l'économie

Les racks de serveurs traditionnels étaient autrefois mesurés dans des plages de kilowatts relativement modestes.

L’infrastructure de l’IA pousse l’industrie vers des densités de puissance bien plus extrêmes.

Les discussions de l’industrie en 2026 portent déjà sur les racks IA de classe MW et même sur les campus de centres de données IA à l’échelle GW, où l’alimentation électrique et le refroidissement doivent être conçus en même temps que le matériel informatique plutôt que ajoutés ultérieurement.

Cela change l’économie de la sélection des semi-conducteurs.

Supposons qu'un convertisseur fonctionne en continu à une puissance très élevée.

Une légère amélioration de l’efficacité peut permettre d’économiser seulement une infime fraction de l’énergie totale transitant par le système.

Mais lorsque le système fonctionne :

24 heures par jour × 365 jours par an × plusieurs années

ce petit pourcentage peut devenir économiquement significatif.

Et chaque watt qui n’est pas perdu dans le convertisseur est également un watt qui ne se transforme pas en chaleur indésirable.

À grande échelle, l’efficacité des semi-conducteurs influence donc :

coût de l’électricité + charge de refroidissement + taille de l’équipement + capacité de l’infrastructure.

C'est pourquoi un dispositif d'alimentation plus coûteux peut parfois donner lieu à un système global moins cher.

Les mêmes aspects économiques au niveau du système qui ont aidé le SiC à gagner du terrain dans les véhicules électriques pourraient devenir de plus en plus importants dans l’infrastructure de l’IA.

La demande de puissance de l’IA est concentrée, ce qui crée un autre problème

La consommation mondiale d’électricité des centres de données est encore relativement modeste par rapport à la consommation mondiale totale d’électricité.

Mais la demande en centres de données présente une caractéristique inhabituelle :

elle est géographiquement très concentrée.

L'AIE note que les centres de données peuvent créer des problèmes d'intégration au réseau particulièrement difficiles, car ils ont tendance à se regrouper dans des emplacements spécifiques plutôt que de répartir la demande de manière égale.

Un grand campus d’IA peut donc nécessiter d’énormes quantités d’énergie en un seul endroit.

Cela crée une demande supplémentaire pour :

• sous-stations ;
• transformateurs;
• stockage d'énergie;
• renfort de grille;
• équipement de qualité électrique ;
• alimentation de secours ;
• l'intégration des énergies renouvelables;
• et conversion de puissance haute capacité.

Cela étend les opportunités possibles du SiC au-delà du bâtiment du centre de données.

L’IA pourrait stimuler la demande de SiC dans l’ensemble de l’écosystème électrique entourant l’infrastructure informatique.

Le deuxième marché doré pourrait en réalité être plus grand que les « centres de données »

C'est là que l'histoire devient plus intéressante.

Le nouveau marché ne doit pas nécessairement être défini comme :

SiC pour les serveurs IA.

Une meilleure définition pourrait être :

SiC pour l’infrastructure énergétique de l’IA.

Envisagez un futur campus d'IA contenant :

Réseau utilitaire

↓

Génération renouvelable

↓

Sous-station de grille

↓

Stockage d'énergie par batterie

↓

Conversion haute puissance

↓

Distribution 800 V CC

↓

Racks informatiques IA

Le carbure de silicium pourrait potentiellement participer à plusieurs maillons différents de cette chaîne.

Le semi-conducteur n’a pas besoin d’apparaître dans chaque serveur pour bénéficier de la croissance de l’IA.

Si l’IA fait passer davantage d’électricité via des convertisseurs haute tension, des onduleurs, des systèmes de stockage d’énergie et des infrastructures de distribution d’énergie, le marché total adressable du SiC peut croître indirectement.

C’est fondamentalement différent du marché des véhicules électriques.

Un véhicule électrique contient généralement un nombre relativement défini de principaux systèmes de conversion de puissance.

Un campus d’IA est un projet complet d’infrastructure électrique.

Le stockage d’énergie pourrait devenir étroitement lié à l’IA

Les centres de données IA nécessitent également une alimentation fiable.

Les interruptions peuvent perturber d’importantes charges de travail informatiques et créer des problèmes opérationnels.

Les systèmes de stockage d’énergie et de sauvegarde par batterie deviennent donc des éléments de plus en plus importants dans la conception des centres de données.

Cela crée une autre voie pour le SiC.

Les systèmes de batterie nécessitent une conversion de puissance bidirectionnelle :

Réseau / Bus DC → Batterie pendant la charge

et

Batterie → Bus DC pendant la décharge

Les systèmes de stockage de haute puissance nécessitent donc des convertisseurs capables de gérer efficacement des courants et des tensions élevés.

À mesure que les campus d’IA s’agrandissent, les systèmes de batterie de secours pourraient eux-mêmes devenir des installations électroniques de puissance majeures.

Le résultat est un cycle de renforcement :

Croissance de l'IA → demande d'électricité plus élevée → plus de stockage d'énergie → plus de conversion de puissance → plus d'opportunités pour les semi-conducteurs de puissance à haut rendement.

Le réseau pourrait devenir une opportunité SiC encore plus grande

Les centres de données ne peuvent pas se développer indéfiniment sans une infrastructure de réseau adéquate.

La production d’électricité n’est qu’une partie du défi.

Le pouvoir doit également être transmis, transformé, converti et distribué.

Les futurs systèmes de réseau pourraient nécessiter une plus grande utilisation de :

• conversion de puissance flexible ;
• convertisseurs moyenne tension;
• onduleurs pour énergies renouvelables;
• convertisseurs de stockage sur batterie ;
• équipement de qualité électrique ;
• Distribution CC ;
• et potentiellement des technologies de transformateurs à semi-conducteurs.

Les dispositifs à large bande interdite sont étudiés précisément pour ces types d’architectures électroniques de puissance avancées. Le cadre stratégique du ministère américain de l'Énergie indique que les dispositifs WBG peuvent permettre des fréquences de commutation considérablement plus élevées et des conceptions de convertisseurs plus denses en énergie, bien que la fiabilité, les composants passifs et l'ingénierie au niveau du système restent des défis importants.

Ainsi, la connexion AI-SiC peut s’étendre de :

Grille → Centre de données → Rack

plutôt que simplement :

Alimentation → Serveur

Il s’agit d’un concept de marché beaucoup plus vaste.

Qu’est-ce que cela pourrait signifier pour l’industrie des plaquettes SiC ?

PourFournisseurs de substrats SiC, l’émergence de l’infrastructure de l’IA est importante car elle pourrait diversifier la demande au-delà de l’électronique de puissance automobile.

Les exigences sous-jacentes des dispositifs peuvent varier, mais de nombreux dispositifs d'alimentation verticaux haute tension sont construits à l'aide de substrats conducteurs en 4H-SiC suivis d'une croissance épitaxiale.

Si la demande de conversion haute puissance augmente de manière significative, les fabricants d’appareils pourraient avoir besoin de plus grands volumes de matériau SiC cohérent.

Cela remet l’économie des plaquettes au centre de l’attention.

Pour la fabrication de dispositifs électriques à grande échelle, les acheteurs ne se soucient de plus en plus que de savoir si une tranche peut être produite.

Ils se soucient de :

• densité des défauts ;
• cohérence de la résistivité ;
• orientation des cristaux ;
• épaisseur de la plaquette ;
• TTV ;
• arc;
• chaîne;
• rugosité de la surface ;
• dommages de polissage ;
• contamination par des particules ;
• et la répétabilité lot à lot.

La raison est simple.

L’infrastructure d’IA ne récompensera pas les tranches coûteuses qui produisent un faible rendement.

Si le SiC veut devenir un matériau de centre de données à grande échelle, l’économie de la fabrication doit continuer à s’améliorer.

Le SiC de 200 mm pourrait devenir de plus en plus important

C’est aussi pourquoi le passage du SiC 150 mm au SiC 200 mm reste important.

Une plaquette de 200 mm a environ 1,78 fois la surface géométrique d'une plaquette de 150 mm.

En principe, cela permet de traiter beaucoup plus de dispositifs au cours de chaque cycle de fabrication de tranche.

Mais l’avantage n’existe que lorsque :

• la qualité des cristaux reste acceptable ;
• la géométrie de la plaquette est contrôlée ;
• l'uniformité épitaxiale est suffisante ;
• et le rendement de l'appareil reste élevé.

Si l’infrastructure d’IA crée un autre marché à volume élevé pour les dispositifs SiC, elle pourrait renforcer l’incitation économique à orienter davantage la fabrication vers des plates-formes de 200 mm.

Un volume plus élevé encourage :

plaquettes plus grandes → plus grande automatisation → utilisation plus élevée de l'équipement → coût de l'appareil réduit.

Ce processus pourrait éventuellement contribuer à rendre le SiC compétitif dans encore plus d’applications.

Le coût déterminera si l’IA deviendra un véritable marché doré du SiC

L’adéquation technique à elle seule ne garantit pas une adoption massive.

Le silicium reste profondément implanté dans l’électronique de puissance.

D’autres technologies à large bande interdite sont également en concurrence dans certaines étapes de conversion de puissance.

Le SiC doit donc justifier son coût au niveau du système.

Il est peu probable qu’un concepteur de centre de données IA choisisse le SiC simplement parce qu’il possède des propriétés matérielles attrayantes.

Le vrai calcul est plus pratique :

Le coût supplémentaire des semi-conducteurs réduit-il suffisamment les pertes totales d’électricité, les besoins en refroidissement, la taille du convertisseur ou le coût de l’infrastructure pour créer un meilleur système global ?

À de faibles niveaux de puissance, la réponse peut parfois être non.

À des niveaux de puissance extrêmement élevés, l’équation devient beaucoup plus intéressante.

C’est pourquoi l’infrastructure de l’IA pourrait être particulièrement importante.

L’IA pousse la densité de puissance vers le haut au moment précis où l’industrie du SiC tente de réduire les coûts des plaquettes et des dispositifs.

Ces deux tendances pourraient se rencontrer.

L'IA pourrait contribuer à réduire la dépendance de l'industrie du SiC à l'égard de la demande automobile

Un marché des semi-conducteurs sain bénéficie généralement de la présence de plusieurs marchés finaux majeurs.

Une forte dépendance à l’égard d’une seule industrie crée des risques.

Depuis des années, les investissements dans le SiC ont été fortement influencés par les attentes en matière de véhicules électriques.

Mais la demande automobile peut fluctuer avec :

• la demande des consommateurs ;
• tarification des véhicules ;
• les incitations gouvernementales ;
• infrastructures de recharge ;
• cycles d'inventaire ;
• et les conditions économiques régionales.

L’infrastructure d’IA suit un cycle de demande différent.

Le stockage d’énergie en suit un autre.

Les investissements dans les réseaux électriques en suivent un autre.

Les énergies renouvelables en suivent une autre.

Si tous ces secteurs utilisent de plus en plus l’électronique de puissance SiC, la chaîne d’approvisionnement SiC deviendra moins dépendante d’une seule application.

Cela pourrait à terme être l’une des conséquences les plus importantes de la croissance de l’IA.

Le marché de l’IA n’a pas besoin de « remplacer » les véhicules électriques.

Il lui suffit de devenir une deuxième source substantielle de demande.

Du « SiC par véhicule » au « SiC par mégawatt »

La façon dont l’industrie envisage la demande de carbure de silicium pourrait éventuellement changer.

La demande de SiC automobile est souvent comprise conceptuellement comme :

nombre de véhicules × contenu en semi-conducteurs par véhicule

L'infrastructure d'IA introduit un modèle différent :

puissance de calcul installée × infrastructure électrique par mégawatt

Il s’agit d’un changement important.

Un campus d'IA peut nécessiter de l'électronique de puissance non seulement pour les racks informatiques, mais également pour :

• interfaces utilitaires ;
• systèmes de sauvegarde ;
• stockage d'énergie;
• équipement de refroidissement;
• distribution haute tension;
• systèmes d'énergies renouvelables;
• et prise en charge de la grille.

Au lieu de se demander combien de dispositifs SiC existent dans une machine, l'industrie peut de plus en plus se demander :

Quelle quantité d’électronique de puissance SiC est nécessaire pour fournir un mégawatt de capacité de calcul fiable pour l’IA ?

Cela pourrait devenir une mesure importante pour la prochaine génération d’analyses de marché SiC.

La vraie course est « De la grille à la puce IA »

L’industrie des semi-conducteurs a passé des années à améliorer les performances des processeurs d’IA.

Le prochain défi consiste à fournir suffisamment d’électricité à ces transformateurs.

Cela crée une course technologique totalement différente :

Grille → Conversion → Stockage → Distribution → Rack → Processeur

Chaque étape doit devenir :

• plus efficace;
• plus compact;
• plus fiable;
• et capable de gérer une puissance plus élevée.

Le carbure de silicium ne dominera pas toutes les étapes.

Ce n’est pas nécessaire.

S’il devient un semi-conducteur préféré même dans plusieurs des étapes de conversion les plus hautes tensions et les plus puissantes, l’infrastructure d’IA pourrait devenir une source importante de demande à long terme.

C’est pourquoi le boom de l’IA mérite l’attention de l’industrie SiC.

Conclusion : les véhicules électriques ont créé le premier boom SiC. L'IA pourrait aider à créer le second.

Les véhicules électriques ont démontré que le carbure de silicium pouvait dépasser les applications industrielles de niche et devenir une technologie de semi-conducteurs à grand volume.

L’IA pourrait créer la prochaine opportunité.

La raison n’est pas simplement que les serveurs d’IA consomment de l’électricité.

La véritable opportunité vient de l’ampleur, de la concentration et de la densité de puissance de cette demande d’électricité.

La consommation mondiale d’électricité des centres de données devrait doubler d’ici 2030, le calcul accéléré piloté par l’IA étant responsable d’une grande part de cette augmentation.

Dans le même temps, l’industrie discute déjà de la distribution 800 V CC, des racks de classe mégawatt et de l’infrastructure d’IA à l’échelle du gigawatt.

Ces évolutions augmentent la valeur de :

haute tension + haute efficacité + densité de puissance élevée + conversion de puissance avancée.

C’est précisément dans ces conditions que le carbure de silicium devient intéressant.

Le premier marché en or du SiC s’est construit autour du déplacement plus efficace des véhicules.

La seconde pourrait être construite autour d’un transport plus efficace de l’électricité.

Et si l’IA continue de se développer au rythme actuel, la question la plus importante pour l’industrie du carbure de silicium pourrait ne plus être :

Combien de véhicules électriques utiliseront le SiC ?

Cela peut devenir :

Quelle part de l’électricité alimentant l’infrastructure mondiale d’IA finira par passer par des dispositifs d’alimentation SiC ?

Cette question pourrait définir le prochain chapitre du marché du carbure de silicium.

FAQ

Pourquoi les centres de données IA pourraient-ils devenir un marché important pour le SiC ?

L’infrastructure d’IA nécessite des quantités d’électricité en augmentation rapide et une densité de puissance de plus en plus élevée. Le SiC est intéressant pour les étapes de conversion haute tension et haute puissance où l'efficacité, la gestion thermique et la densité de puissance sont importantes.

Le carbure de silicium est-il utilisé pour fabriquer des processeurs d’IA ?

En général, ce n’est pas la principale opportunité évoquée ici. La principale opportunité du SiC réside dans l'électronique de puissance entourant l'informatique IA, notamment les convertisseurs AC/DC, les systèmes UPS, le stockage sur batterie, la conversion DC haute tension et l'infrastructure de réseau.

Pourquoi le 800 V CC est-il important pour les futurs centres de données IA ?

Une tension de distribution plus élevée permet de fournir la même quantité de puissance avec un courant plus faible, ce qui contribue à réduire les pertes de conducteurs et à prendre en charge une densité de puissance de rack plus élevée. Les discussions de l’industrie en 2026 explorent déjà les architectures 800 V CC pour les racks IA de nouvelle génération de classe MW.

L’IA pourrait-elle augmenter la demande de plaquettes 4H-SiC ?

Potentiellement. Si l’infrastructure d’IA augmente la demande de dispositifs d’alimentation SiC haute tension, elle pourrait indirectement augmenter la demande de substrats conducteurs 4H-SiC et de tranches épitaxiales utilisées pour fabriquer ces dispositifs.

L’IA remplacera-t-elle les véhicules électriques comme principal marché du SiC ?

Cela n’est pas encore établi et ne doit pas être présumé. Un scénario plus réaliste serait que l'infrastructure d'IA devienne une application majeure supplémentaire, réduisant ainsi la dépendance de l'industrie SiC à l'égard de la demande automobile.

Quels paramètres des plaquettes SiC sont importants pour la fabrication de dispositifs haute puissance ?

Une demande d'offre pratique peut inclure le diamètre de la tranche, le polytype, le type de conductivité, la résistivité, l'orientation des cristaux, l'angle hors axe, l'épaisseur, le TTV, l'arc, la déformation, les exigences en matière de défauts, la rugosité de la surface, l'état des bords, la qualité du polissage et la cohérence d'un lot à l'autre.