Production, recherche et galettes de SiC de qualité dummy peuvent avoir le même diamètre, polytype et épaisseur nominale, mais elles ne sont pas interchangeables.
Une galette de qualité dummy peut convenir à l'étalonnage d'équipement mais être peu fiable pour la croissance épitaxiale. Une galette de qualité recherche peut bien fonctionner pour des expériences de matériaux précoces mais produire des résultats trompeurs dans des études de rendement de dispositifs. Une galette de qualité production offre généralement un contrôle plus strict des défauts, de la surface et de la géométrie, mais elle peut être inutilement coûteuse pour des tests de manipulation mécanique.
Choisir la bonne qualité de galette de SiC nécessite donc plus que de comparer les prix.
Les acheteurs doivent tenir compte de :
Ce guide explique les différences pratiques entre les galettes de SiC de qualité production, recherche et dummy et fournit une liste de contrôle RFQ pour sélectionner le bon matériau.
![]()
L'une des règles d'achat les plus importantes est que les noms de qualité ne sont pas entièrement standardisés entre les fournisseurs.
Les termes peuvent inclure :
Deux fournisseurs peuvent proposer une galette de "qualité recherche" mais appliquer des limites différentes pour les micropipes, les rayures de surface, le voile, le gauchissement, l'uniformité de résistivité ou la surface utilisable.
Certains fournisseurs utilisent des qualités par lettres comme A, B, C et D, tandis que d'autres classent les galettes par densité de défauts ou par application. XKH, par exemple, propose des substrats de SiC identifiés comme qualités production, recherche et dummy pour différentes tailles de galettes et types de conductivité.
Le nom de la qualité doit donc être considéré comme un point de départ. Le bon de commande doit contenir des critères d'acceptation mesurables.
Une qualité de galette n'identifie pas sa structure matérielle complète.
Par exemple, tous les produits suivants peuvent être fournis dans différentes qualités :
Un acheteur doit spécifier la qualité ainsi que :
Une galette 4H-N de qualité production pour un MOSFET de puissance est fondamentalement différente d'un substrat 4H-SiC semi-isolant de qualité production destiné à l'épitaxie RF GaN.
La qualité production, parfois appelée qualité prime, est destinée aux processus où les défauts de la galette et les variations influencent directement le rendement des dispositifs, la fiabilité et la cohérence de la fabrication.
Ces galettes ont normalement les contrôles les plus stricts disponibles pour :
Les galettes de SiC de qualité production sont couramment sélectionnées pour :
Une RFQ de qualité production peut inclure des limites pour :
La qualité production ne signifie pas automatiquement "zéro défaut". Si une limite de zéro micropipe ou un autre défaut spécifique est requise, elle doit être indiquée séparément.
Les défauts provenant du substrat peuvent se propager dans la couche épitaxiale ou créer de nouveaux défauts de surface pendant la croissance. Les dislocations de plan basal, les défauts d'empilement, les piqûres et autres défauts étendus peuvent affecter la fuite, la stabilité de la tension directe, le comportement de claquage et la fiabilité à long terme.
Une revue de 2025 dans le Journal of Applied Physics explique comment de multiples défauts épitaxiaux de SiC peuvent contribuer à la dégradation et à la défaillance des dispositifs.
La qualité production est donc généralement justifiée lorsque le coût de l'épitaxie, du traitement des dispositifs et des puces défectueuses est bien supérieur au coût supplémentaire du substrat.
Les galettes de SiC de qualité recherche offrent un équilibre entre la qualité fonctionnelle du matériau et le coût d'achat.
Elles peuvent avoir le bon :
Cependant, elles autorisent généralement plus de défauts cristallins, d'imperfections de surface ou de variations de géométrie que le matériau de qualité production.
Les galettes de qualité recherche peuvent être appropriées pour :
Certaines galettes de qualité recherche sont fournies avec une surface CMP prête pour l'épitaxie. D'autres peuvent contenir des marques de polissage, des rayures ou des dommages sous-jacents qui les rendent impropres à une épitaxie de haute qualité.
Avant de commander, confirmez :
Une galette de recherche à faible coût avec une surface mal préparée peut entraîner de fausses conclusions lors du développement épitaxial.
La qualité recherche est souvent le choix le plus économique lorsque :
Pour des expériences comparatives, toutes les galettes devraient idéalement provenir d'une qualité et d'un lot cohérents. Le mélange de différentes qualités peut rendre difficile de déterminer si les changements de performance proviennent du processus expérimental ou du substrat.
Les galettes de SiC de qualité dummy sont principalement destinées aux tests mécaniques, d'équipement ou de processus non liés aux dispositifs.
Elles peuvent avoir le diamètre nominal et l'épaisseur corrects mais des exigences assouplies pour :
Les galettes de qualité dummy sont couramment utilisées pour :
Sauf si le fournisseur fournit des garanties supplémentaires, la qualité dummy ne doit normalement pas être utilisée pour :
Une galette dummy peut survivre au processus de manipulation mais contenir encore des défauts qui rendent une évaluation électrique significative impossible.
| Article | Qualité Production | Qualité Recherche | Qualité Dummy |
|---|---|---|---|
| Objectif principal | Dispositifs commerciaux et épitaxie qualifiée | R&D et développement de prototypes | Tests d'équipement et mécaniques |
| Contrôle des défauts cristallins | Le plus strict | Modérée | Assoupli ou non entièrement spécifié |
| Limites micropipe/BPD/TSD | Normalement requis | Peut être assoupli | Peut ne pas être garanti |
| Contrôle de la résistivité | Plage et uniformité strictes | Fonctionnel mais variation plus large | Peut ne pas être garanti |
| Finition de surface | Normalement CMP prête pour l'épitaxie | Prête pour l'épitaxie ou polissage standard | Rodée, polie ou cosmétique |
| Rayures de surface | Strictement limité | Certains défauts peuvent être acceptés | Plus de défauts peuvent être autorisés |
| TTV, voile et gauchissement | Strict | Modérée | Assoupli |
| Surface utilisable | Élevée | Modérée | Pas toujours spécifié |
| Rapport d'inspection | Détaillé ou disponible | Basique ou optionnel | Limité |
| Traçabilité des lots | Normalement requis | Souvent disponible | Peut être limité |
| Prix relatif | Le plus élevé | Moyen | Le plus bas |
| Convient à la production de dispositifs | Oui | Uniquement après qualification | Normalement non |
| Convient aux tests destructifs | Possible mais coûteux | Oui | Oui |
| Convient à l'étalonnage d'équipement | Inutilement coûteux | Possible | Recommandé |
Les limites exactes doivent être confirmées avec le fournisseur car la terminologie des qualités peut varier.
Les micropipes sont des défauts à cœur creux qui peuvent gravement affecter les dispositifs haute tension. Les galettes de production modernes peuvent avoir une densité de micropipes spécifiée très faible ou nulle.
Les qualités recherche et dummy peuvent autoriser une densité plus élevée.
Demander :
Les BPD peuvent se propager dans la couche épitaxiale ou contribuer à la formation de défauts d'empilement dans les dispositifs bipolaires.
Les défauts étendus dans les couches épitaxiales de SiC ont été liés à une réduction du rendement des dispositifs et de la fiabilité, rendant les limites BPD importantes pour les galettes de production de haute valeur. Étude des défauts de SiC affectant le rendement
Les TSD peuvent être associées à des piqûres de surface, des chemins de fuite et des défaillances locales de dispositifs. Le matériau de production nécessite normalement une densité maximale mesurable.
Une galette de SiC 4H doit maintenir le polytype 4H requis sur toute la surface utilisable. Des inclusions locales 3C ou 6H peuvent affecter l'épitaxie et les performances des dispositifs.
Les inclusions riches en carbone provenant de la croissance cristalline peuvent produire des défauts de surface après découpe et polissage ou influencer la formation de défauts épitaxiaux.
Une surface peut sembler polie miroir tout en contenant des dommages de polissage sous la surface. Ces défauts peuvent devenir visibles après gravure à l'hydrogène ou croissance épitaxiale.
Pour l'épitaxie, demandez si la galette est :
TTV, voile et gauchissement influencent :
Même une galette dummy nécessite une géométrie adéquate si elle doit être utilisée pour qualifier des équipements de manipulation automatisés.
Une galette de qualité dummy peut être fabriquée comme un nouveau matériau mais classée avec des limites de défauts assouplies.
Une galette reconditionnée a déjà été utilisée puis traitée à nouveau par des étapes telles que :
Les galettes reconditionnées peuvent avoir une épaisseur réduite, une histoire de surface modifiée ou des risques de contamination inconnus.
Lors de l'achat de galettes à faible coût, demandez si le matériau est :
Ces catégories ne doivent pas être considérées comme équivalentes.
Point de départ recommandé :
Galette SiC 4H-N de qualité production
Spécifier :
Point de départ recommandé :
Substrat SiC 4H semi-isolant de haute pureté de qualité production
Spécifier :
Point de départ recommandé :
Galette de qualité recherche avec une surface garantie prête pour l'épitaxie
Utiliser des galettes de référence de qualité production aux côtés du matériau de qualité recherche lorsqu'un point de référence fiable est requis.
Point de départ recommandé :
Galette de qualité recherche ou coupons SiC découpés
Confirmer que les défauts dans la zone de test n'invalideront pas l'expérience.
Point de départ recommandé :
Qualité dummy
Prioriser :
Les spécifications électriques et de défauts cristallins peuvent être inutiles.
Point de départ recommandé :
Qualité dummy ou recherche
Choisir la qualité dummy pour la configuration de la machine et la qualité recherche si l'expérience doit refléter un comportement monocristallin ou une qualité de surface réaliste.
Un prix de galette plus bas ne réduit pas toujours le coût total du projet.
Les coûts cachés potentiels comprennent :
Si une galette dummy entraîne la perte d'une série épitaxiale coûteuse, l'économie sur le substrat devient insignifiante.
Les acheteurs doivent comparer le coût total de l'expérience ou de la production plutôt que le seul prix par galette.
| Article RFQ | Informations à spécifier |
| Application | Production de dispositifs, épitaxie, R&D ou test d'équipement |
| Qualité | Production, recherche ou dummy |
| État du matériau | Neuf, reconditionné ou recyclé |
| Polytype | 4H, 6H ou autre |
| Conductivité | Type N, type P ou semi-isolant |
| Dopant | Azote, vanadium, haute pureté non dopé ou autre |
| Diamètre | 2, 3, 4, 6, 8 pouces ou personnalisé |
| Épaisseur | Valeur nominale et tolérance |
| Orientation | Sur axe ou décalé |
| Décalage | Angle, direction et tolérance |
| Face de la galette | Face Si ou face C |
| Résistivité | Plage ou valeur minimale |
| Surface | SSP, DSP, CMP, rodée ou prête pour l'épitaxie |
| Rugosité | Ra maximale |
| MPD | Densité maximale |
| BPD | Densité maximale |
| TSD/TED | Densité maximale |
| Inclusions | Limites de carbone et de polytype |
| TTV | Valeur maximale |
| Voile et gauchissement | Valeurs maximales |
| Qualité du bord | Biseau, éclats et fissures |
| Surface utilisable | Pourcentage minimum |
| Inspection | Carte des défauts, XRD, AFM et rapport de géométrie |
| Emballage | Boîte à galette unique ou cassette |
| Quantité | Volume de qualification et de production |
Application : Production de MOSFET SiC
Qualité : Qualité production
Matériau : SiC 4H-N
Diamètre : 150 mm
Orientation : Décalage de 4° vers ⟨11-20⟩
Surface : CMP Si-face prête pour l'épitaxie
Résistivité : Plage de production définie
Défauts : Limites MPD, BPD, TSD et TED requises
Géométrie : Limites TTV, voile et gauchissement requises
Inspection : Rapport complet sur les défauts et la géométrie de la galette
Quantité : Lot de qualification suivi d'une production mensuelle
Application : Développement de processus épitaxiaux CVD
Qualité : Qualité recherche
Matériau : SiC 4H-N
Diamètre : 100 mm
Surface : CMP Si-face prête pour l'épitaxie
Défauts acceptés : Limites de défauts cristallins assouplies
Exigence critique : Pas de rayures profondes dans la zone de test centrale
Inspection : Rapport basique sur la surface et la géométrie
Quantité : 10 pièces
Application : Étalonnage de robot de manipulation de galettes
Qualité : Nouvelle qualité dummy
Diamètre : 150 mm
Épaisseur : Correspondant aux galettes de production
Exigences critiques : Diamètre, épaisseur, voile et gauchissement, et profil du bord
Surface : Polissage standard suffisant
Propriétés électriques : Non requis
Quantité : 25 pièces
Oui, à condition que la galette ait une surface prête pour l'épitaxie et que ses niveaux de défauts soient acceptables pour l'expérience. Un rendement de niveau production ne doit pas être supposé.
Les galettes dummy sont normalement destinées à la manipulation, à l'équipement ou aux tests de processus destructifs. La fabrication de dispositifs n'est pas recommandée à moins que le fournisseur ne fournisse des garanties électriques, cristallines et de surface appropriées.
Pas toujours. Zéro-MPD peut être une qualité supérieure ou définie séparément. Le bon de commande doit indiquer la limite de densité de micropipes réelle.
Oui. C'est souvent le choix le plus rentable pour les études de matériaux, le développement de processus et les prototypes de petite surface.
Oui, lorsqu'elles sont utilisées pour tester la manipulation par robot, les cassettes, les ports de chargement, les mandrins à vide ou le dégagement de l'équipement.
Non. Le matériau dummy peut être une nouvelle galette avec des spécifications assouplies. Confirmez toujours si les galettes sont neuves, reconditionnées ou recyclées.
Le substrat SiC 4H semi-isolant de haute pureté de qualité production est normalement le point de départ le plus sûr pour une épitaxie RF qualifiée. La qualité recherche peut convenir au développement précoce.
Les galettes de SiC de qualité production, recherche et dummy servent des objectifs différents.
La qualité production offre le contrôle le plus strict des défauts, de l'état de surface, de la géométrie et de l'uniformité électrique. C'est le choix approprié pour l'épitaxie commerciale, la fabrication de dispositifs et les applications de haute fiabilité.
La qualité recherche offre un équilibre pratique entre qualité et coût pour le développement de processus, les tests de laboratoire et la fabrication de prototypes.
La qualité dummy est le choix le plus économique pour la qualification d'équipement, l'étalonnage de robots, les essais de découpe et autres processus mécaniques ou sacrificiels.
La décision d'achat correcte doit être basée sur le risque total du processus, et non simplement sur le prix le plus bas de la galette.
Lors de la demande de devis, les acheteurs doivent fournir :
Une spécification complète permet au fournisseur de recommander la qualité la moins chère qui puisse néanmoins fonctionner de manière fiable dans le processus prévu.
Production, recherche et galettes de SiC de qualité dummy peuvent avoir le même diamètre, polytype et épaisseur nominale, mais elles ne sont pas interchangeables.
Une galette de qualité dummy peut convenir à l'étalonnage d'équipement mais être peu fiable pour la croissance épitaxiale. Une galette de qualité recherche peut bien fonctionner pour des expériences de matériaux précoces mais produire des résultats trompeurs dans des études de rendement de dispositifs. Une galette de qualité production offre généralement un contrôle plus strict des défauts, de la surface et de la géométrie, mais elle peut être inutilement coûteuse pour des tests de manipulation mécanique.
Choisir la bonne qualité de galette de SiC nécessite donc plus que de comparer les prix.
Les acheteurs doivent tenir compte de :
Ce guide explique les différences pratiques entre les galettes de SiC de qualité production, recherche et dummy et fournit une liste de contrôle RFQ pour sélectionner le bon matériau.
![]()
L'une des règles d'achat les plus importantes est que les noms de qualité ne sont pas entièrement standardisés entre les fournisseurs.
Les termes peuvent inclure :
Deux fournisseurs peuvent proposer une galette de "qualité recherche" mais appliquer des limites différentes pour les micropipes, les rayures de surface, le voile, le gauchissement, l'uniformité de résistivité ou la surface utilisable.
Certains fournisseurs utilisent des qualités par lettres comme A, B, C et D, tandis que d'autres classent les galettes par densité de défauts ou par application. XKH, par exemple, propose des substrats de SiC identifiés comme qualités production, recherche et dummy pour différentes tailles de galettes et types de conductivité.
Le nom de la qualité doit donc être considéré comme un point de départ. Le bon de commande doit contenir des critères d'acceptation mesurables.
Une qualité de galette n'identifie pas sa structure matérielle complète.
Par exemple, tous les produits suivants peuvent être fournis dans différentes qualités :
Un acheteur doit spécifier la qualité ainsi que :
Une galette 4H-N de qualité production pour un MOSFET de puissance est fondamentalement différente d'un substrat 4H-SiC semi-isolant de qualité production destiné à l'épitaxie RF GaN.
La qualité production, parfois appelée qualité prime, est destinée aux processus où les défauts de la galette et les variations influencent directement le rendement des dispositifs, la fiabilité et la cohérence de la fabrication.
Ces galettes ont normalement les contrôles les plus stricts disponibles pour :
Les galettes de SiC de qualité production sont couramment sélectionnées pour :
Une RFQ de qualité production peut inclure des limites pour :
La qualité production ne signifie pas automatiquement "zéro défaut". Si une limite de zéro micropipe ou un autre défaut spécifique est requise, elle doit être indiquée séparément.
Les défauts provenant du substrat peuvent se propager dans la couche épitaxiale ou créer de nouveaux défauts de surface pendant la croissance. Les dislocations de plan basal, les défauts d'empilement, les piqûres et autres défauts étendus peuvent affecter la fuite, la stabilité de la tension directe, le comportement de claquage et la fiabilité à long terme.
Une revue de 2025 dans le Journal of Applied Physics explique comment de multiples défauts épitaxiaux de SiC peuvent contribuer à la dégradation et à la défaillance des dispositifs.
La qualité production est donc généralement justifiée lorsque le coût de l'épitaxie, du traitement des dispositifs et des puces défectueuses est bien supérieur au coût supplémentaire du substrat.
Les galettes de SiC de qualité recherche offrent un équilibre entre la qualité fonctionnelle du matériau et le coût d'achat.
Elles peuvent avoir le bon :
Cependant, elles autorisent généralement plus de défauts cristallins, d'imperfections de surface ou de variations de géométrie que le matériau de qualité production.
Les galettes de qualité recherche peuvent être appropriées pour :
Certaines galettes de qualité recherche sont fournies avec une surface CMP prête pour l'épitaxie. D'autres peuvent contenir des marques de polissage, des rayures ou des dommages sous-jacents qui les rendent impropres à une épitaxie de haute qualité.
Avant de commander, confirmez :
Une galette de recherche à faible coût avec une surface mal préparée peut entraîner de fausses conclusions lors du développement épitaxial.
La qualité recherche est souvent le choix le plus économique lorsque :
Pour des expériences comparatives, toutes les galettes devraient idéalement provenir d'une qualité et d'un lot cohérents. Le mélange de différentes qualités peut rendre difficile de déterminer si les changements de performance proviennent du processus expérimental ou du substrat.
Les galettes de SiC de qualité dummy sont principalement destinées aux tests mécaniques, d'équipement ou de processus non liés aux dispositifs.
Elles peuvent avoir le diamètre nominal et l'épaisseur corrects mais des exigences assouplies pour :
Les galettes de qualité dummy sont couramment utilisées pour :
Sauf si le fournisseur fournit des garanties supplémentaires, la qualité dummy ne doit normalement pas être utilisée pour :
Une galette dummy peut survivre au processus de manipulation mais contenir encore des défauts qui rendent une évaluation électrique significative impossible.
| Article | Qualité Production | Qualité Recherche | Qualité Dummy |
|---|---|---|---|
| Objectif principal | Dispositifs commerciaux et épitaxie qualifiée | R&D et développement de prototypes | Tests d'équipement et mécaniques |
| Contrôle des défauts cristallins | Le plus strict | Modérée | Assoupli ou non entièrement spécifié |
| Limites micropipe/BPD/TSD | Normalement requis | Peut être assoupli | Peut ne pas être garanti |
| Contrôle de la résistivité | Plage et uniformité strictes | Fonctionnel mais variation plus large | Peut ne pas être garanti |
| Finition de surface | Normalement CMP prête pour l'épitaxie | Prête pour l'épitaxie ou polissage standard | Rodée, polie ou cosmétique |
| Rayures de surface | Strictement limité | Certains défauts peuvent être acceptés | Plus de défauts peuvent être autorisés |
| TTV, voile et gauchissement | Strict | Modérée | Assoupli |
| Surface utilisable | Élevée | Modérée | Pas toujours spécifié |
| Rapport d'inspection | Détaillé ou disponible | Basique ou optionnel | Limité |
| Traçabilité des lots | Normalement requis | Souvent disponible | Peut être limité |
| Prix relatif | Le plus élevé | Moyen | Le plus bas |
| Convient à la production de dispositifs | Oui | Uniquement après qualification | Normalement non |
| Convient aux tests destructifs | Possible mais coûteux | Oui | Oui |
| Convient à l'étalonnage d'équipement | Inutilement coûteux | Possible | Recommandé |
Les limites exactes doivent être confirmées avec le fournisseur car la terminologie des qualités peut varier.
Les micropipes sont des défauts à cœur creux qui peuvent gravement affecter les dispositifs haute tension. Les galettes de production modernes peuvent avoir une densité de micropipes spécifiée très faible ou nulle.
Les qualités recherche et dummy peuvent autoriser une densité plus élevée.
Demander :
Les BPD peuvent se propager dans la couche épitaxiale ou contribuer à la formation de défauts d'empilement dans les dispositifs bipolaires.
Les défauts étendus dans les couches épitaxiales de SiC ont été liés à une réduction du rendement des dispositifs et de la fiabilité, rendant les limites BPD importantes pour les galettes de production de haute valeur. Étude des défauts de SiC affectant le rendement
Les TSD peuvent être associées à des piqûres de surface, des chemins de fuite et des défaillances locales de dispositifs. Le matériau de production nécessite normalement une densité maximale mesurable.
Une galette de SiC 4H doit maintenir le polytype 4H requis sur toute la surface utilisable. Des inclusions locales 3C ou 6H peuvent affecter l'épitaxie et les performances des dispositifs.
Les inclusions riches en carbone provenant de la croissance cristalline peuvent produire des défauts de surface après découpe et polissage ou influencer la formation de défauts épitaxiaux.
Une surface peut sembler polie miroir tout en contenant des dommages de polissage sous la surface. Ces défauts peuvent devenir visibles après gravure à l'hydrogène ou croissance épitaxiale.
Pour l'épitaxie, demandez si la galette est :
TTV, voile et gauchissement influencent :
Même une galette dummy nécessite une géométrie adéquate si elle doit être utilisée pour qualifier des équipements de manipulation automatisés.
Une galette de qualité dummy peut être fabriquée comme un nouveau matériau mais classée avec des limites de défauts assouplies.
Une galette reconditionnée a déjà été utilisée puis traitée à nouveau par des étapes telles que :
Les galettes reconditionnées peuvent avoir une épaisseur réduite, une histoire de surface modifiée ou des risques de contamination inconnus.
Lors de l'achat de galettes à faible coût, demandez si le matériau est :
Ces catégories ne doivent pas être considérées comme équivalentes.
Point de départ recommandé :
Galette SiC 4H-N de qualité production
Spécifier :
Point de départ recommandé :
Substrat SiC 4H semi-isolant de haute pureté de qualité production
Spécifier :
Point de départ recommandé :
Galette de qualité recherche avec une surface garantie prête pour l'épitaxie
Utiliser des galettes de référence de qualité production aux côtés du matériau de qualité recherche lorsqu'un point de référence fiable est requis.
Point de départ recommandé :
Galette de qualité recherche ou coupons SiC découpés
Confirmer que les défauts dans la zone de test n'invalideront pas l'expérience.
Point de départ recommandé :
Qualité dummy
Prioriser :
Les spécifications électriques et de défauts cristallins peuvent être inutiles.
Point de départ recommandé :
Qualité dummy ou recherche
Choisir la qualité dummy pour la configuration de la machine et la qualité recherche si l'expérience doit refléter un comportement monocristallin ou une qualité de surface réaliste.
Un prix de galette plus bas ne réduit pas toujours le coût total du projet.
Les coûts cachés potentiels comprennent :
Si une galette dummy entraîne la perte d'une série épitaxiale coûteuse, l'économie sur le substrat devient insignifiante.
Les acheteurs doivent comparer le coût total de l'expérience ou de la production plutôt que le seul prix par galette.
| Article RFQ | Informations à spécifier |
| Application | Production de dispositifs, épitaxie, R&D ou test d'équipement |
| Qualité | Production, recherche ou dummy |
| État du matériau | Neuf, reconditionné ou recyclé |
| Polytype | 4H, 6H ou autre |
| Conductivité | Type N, type P ou semi-isolant |
| Dopant | Azote, vanadium, haute pureté non dopé ou autre |
| Diamètre | 2, 3, 4, 6, 8 pouces ou personnalisé |
| Épaisseur | Valeur nominale et tolérance |
| Orientation | Sur axe ou décalé |
| Décalage | Angle, direction et tolérance |
| Face de la galette | Face Si ou face C |
| Résistivité | Plage ou valeur minimale |
| Surface | SSP, DSP, CMP, rodée ou prête pour l'épitaxie |
| Rugosité | Ra maximale |
| MPD | Densité maximale |
| BPD | Densité maximale |
| TSD/TED | Densité maximale |
| Inclusions | Limites de carbone et de polytype |
| TTV | Valeur maximale |
| Voile et gauchissement | Valeurs maximales |
| Qualité du bord | Biseau, éclats et fissures |
| Surface utilisable | Pourcentage minimum |
| Inspection | Carte des défauts, XRD, AFM et rapport de géométrie |
| Emballage | Boîte à galette unique ou cassette |
| Quantité | Volume de qualification et de production |
Application : Production de MOSFET SiC
Qualité : Qualité production
Matériau : SiC 4H-N
Diamètre : 150 mm
Orientation : Décalage de 4° vers ⟨11-20⟩
Surface : CMP Si-face prête pour l'épitaxie
Résistivité : Plage de production définie
Défauts : Limites MPD, BPD, TSD et TED requises
Géométrie : Limites TTV, voile et gauchissement requises
Inspection : Rapport complet sur les défauts et la géométrie de la galette
Quantité : Lot de qualification suivi d'une production mensuelle
Application : Développement de processus épitaxiaux CVD
Qualité : Qualité recherche
Matériau : SiC 4H-N
Diamètre : 100 mm
Surface : CMP Si-face prête pour l'épitaxie
Défauts acceptés : Limites de défauts cristallins assouplies
Exigence critique : Pas de rayures profondes dans la zone de test centrale
Inspection : Rapport basique sur la surface et la géométrie
Quantité : 10 pièces
Application : Étalonnage de robot de manipulation de galettes
Qualité : Nouvelle qualité dummy
Diamètre : 150 mm
Épaisseur : Correspondant aux galettes de production
Exigences critiques : Diamètre, épaisseur, voile et gauchissement, et profil du bord
Surface : Polissage standard suffisant
Propriétés électriques : Non requis
Quantité : 25 pièces
Oui, à condition que la galette ait une surface prête pour l'épitaxie et que ses niveaux de défauts soient acceptables pour l'expérience. Un rendement de niveau production ne doit pas être supposé.
Les galettes dummy sont normalement destinées à la manipulation, à l'équipement ou aux tests de processus destructifs. La fabrication de dispositifs n'est pas recommandée à moins que le fournisseur ne fournisse des garanties électriques, cristallines et de surface appropriées.
Pas toujours. Zéro-MPD peut être une qualité supérieure ou définie séparément. Le bon de commande doit indiquer la limite de densité de micropipes réelle.
Oui. C'est souvent le choix le plus rentable pour les études de matériaux, le développement de processus et les prototypes de petite surface.
Oui, lorsqu'elles sont utilisées pour tester la manipulation par robot, les cassettes, les ports de chargement, les mandrins à vide ou le dégagement de l'équipement.
Non. Le matériau dummy peut être une nouvelle galette avec des spécifications assouplies. Confirmez toujours si les galettes sont neuves, reconditionnées ou recyclées.
Le substrat SiC 4H semi-isolant de haute pureté de qualité production est normalement le point de départ le plus sûr pour une épitaxie RF qualifiée. La qualité recherche peut convenir au développement précoce.
Les galettes de SiC de qualité production, recherche et dummy servent des objectifs différents.
La qualité production offre le contrôle le plus strict des défauts, de l'état de surface, de la géométrie et de l'uniformité électrique. C'est le choix approprié pour l'épitaxie commerciale, la fabrication de dispositifs et les applications de haute fiabilité.
La qualité recherche offre un équilibre pratique entre qualité et coût pour le développement de processus, les tests de laboratoire et la fabrication de prototypes.
La qualité dummy est le choix le plus économique pour la qualification d'équipement, l'étalonnage de robots, les essais de découpe et autres processus mécaniques ou sacrificiels.
La décision d'achat correcte doit être basée sur le risque total du processus, et non simplement sur le prix le plus bas de la galette.
Lors de la demande de devis, les acheteurs doivent fournir :
Une spécification complète permet au fournisseur de recommander la qualité la moins chère qui puisse néanmoins fonctionner de manière fiable dans le processus prévu.