Pluies de siliciumsont les substrats fondamentaux utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs. Des circuits intégrés et des capteurs MEMS aux appareils de puissance, à la photonique et aux emballages avancés,le diamètre et l'épaisseur d'une gaufre en silicium ont une influence directe sur la compatibilité des équipements, la stabilité mécanique, le rendement du procédé et le coût de production.
Parmi les substrats de silicium disponibles dans le commerce,Des plaquettes de 100 mm, 150 mm, 200 mm et 300 mmChaque diamètre est associé à des normes d'épaisseur typiques et à différents scénarios d'application.
Ce guide explique les normes communes de diamètre et d'épaisseur des plaquettes en silicium, pourquoi l'épaisseur augmente avec la taille des plaquettes,et comment choisir la bonne spécification de plaque pour différentes applications de semi-conducteurs.
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Le diamètre de la gaufre de silicium détermine la surface utilisable disponible pour la fabrication du dispositif.
Une plaque plus grande peut accueillir plus de matrices de semi-conducteurs pendant le même cycle de traitement.Cela peut améliorer considérablement l'efficacité de la production et réduire le coût de fabrication par puce.
Les diamètres de gaufre commerciaux les plus courants comprennent:
Des wafers plus petits tels que des substrats de 2 et 3 pouces sont encore utilisés dans les laboratoires de recherche et certaines applications de semi-conducteurs spécialisés, mais ils sont moins courants dans la production industrielle moderne.
La transition vers des plaquettes plus grandes s'est produite progressivement à mesure que les équipements de fabrication de semi-conducteurs sont devenus plus avancés.
Cependant, les plus grandes plaquettes nécessitent des systèmes de manutention, des procédés de polissage et des équipements de fabrication plus sophistiqués.
Pour cette raison, le choix d'un diamètre de gaufre n'est pas simplement une question de sélection de la plus grande taille disponible.
Les valeurs suivantes représentent les épaisseurs nominales couramment utilisées pour les plaquettes de silicium standard.
| Diamètre de la gaufre | Taille de pouce commune | Épaisseur typique |
|---|---|---|
| 100 mm | 4 pouces | environ 525 μm |
| 150 mm | 6 pouces | environ 675 μm |
| 200 mm | 8 pouces | environ 725 μm |
| 300 mm | 12 pouces | environ 775 μm |
Ces valeurs devraient être considérées comme des références typiques de l'industrie plutôt que comme des exigences universelles.
L'épaisseur réelle de la gaufre peut varier selon:
Les plaquettes en silicium sur mesure peuvent également être fabriquées avec des épaisseurs significativement différentes des valeurs standard.
Uneplaquettes de silicium de 100 mm, communément appeléUne gaufre en silicium de 4 pouces, reste largement utilisé pour la recherche, les MEMS, les capteurs et les dispositifs semi-conducteurs spécialisés.
L'épaisseur nominale commune est approximativement:
525 μm
Des épaisseurs personnalisées sont également souvent disponibles.
Comparées aux gaufres plus grandes, les gaufres de 100 mm offrent plusieurs avantages pratiques.
Ils nécessitent des équipements moins coûteux et sont relativement faciles à manipuler lors d'un traitement en laboratoire ou à échelle pilote.
Pour les entreprises qui développent de nouveaux appareils semi-conducteurs, l'utilisation de plaquettes de 100 mm peut réduire le coût de la production expérimentale.
Ils sont particulièrement utiles lorsque le volume de fabrication est relativement faible.
Les plaquettes en silicium de 100 mm sont fréquemment utilisées pour:
De nombreuses spécifications de plaquettes personnalisées sont également disponibles dans ce diamètre en raison du large éventail d'applications de recherche.
Uneplaquettes en silicium de 150 mm, également appeléUne galette de 6 pouces, représente une transition importante entre les substrats à l'échelle du laboratoire et les plaquettes industrielles à plus grand volume.
L'épaisseur nominale commune est approximativement:
675 μm
En fonction du procédé de fabrication, des spécifications d'épaisseur personnalisées peuvent également être demandées.
Bien que de plus grandes tailles de plaquettes soient disponibles, de nombreuses lignes de production de semi-conducteurs établies continuent de fonctionner avec des équipements de 150 mm.
Le remplacement d'une ligne de fabrication de semi-conducteurs entière par un équipement de plaquettes plus grand nécessite des investissements importants.
En conséquence, les plaquettes de 150 mm restent importantes pour les technologies de semi-conducteurs matures.
Les applications courantes sont les suivantes:
Pour une production de volume moyen, les plaquettes de 150 mm peuvent fournir un équilibre efficace entre les coûts de fabrication et l'efficacité de la production.
Uneplaquettes en silicium de 200 mm, communément appeléplaquette en silicium de 8 pouces, est l'une des tailles de plaquette les plus importantes utilisées dans la fabrication de semi-conducteurs.
L'épaisseur nominale standard est généralement autour de:
725 μm
Les plaquettes de 200 mm sont largement utilisées dans les chaînes de production à volume élevé.
Bien que les usines de semi-conducteurs avancées utilisent de plus en plus des plaquettes de 300 mm, la plate-forme de 200 mm reste extrêmement importante pour les technologies de semi-conducteurs matures.
Beaucoup de produits semi-conducteurs ne nécessitent pas les derniers nœuds de processus.
Pour ces appareils, l'exploitation d'une ligne de production de 200 mm peut fournir une excellente économie de fabrication.
Les plaquettes en silicium de 200 mm sont largement utilisées dans:
La croissance des véhicules électriques, de l'automatisation industrielle et des capteurs continue de soutenir une forte demande de fabrication de semi-conducteurs de 200 mm.
Uneplaquettes en silicium de 300 mm, également appeléWafer en silicium de 12 pouces, est actuellement la plate-forme dominante pour la fabrication de semi-conducteurs avancés à haut volume.
L'épaisseur nominale standard est approximativement:
775 μm
En raison du diamètre plus grand, les plaquettes de 300 mm nécessitent une épaisseur plus grande pour maintenir la rigidité mécanique pendant le traitement.
Le principal avantage d'une plaque de 300 mm est la grande surface utilisable.
Comparé à une plaque de 200 mm, un substrat de 300 mm fournit beaucoup plus d'espace pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
Cela permet aux fabricants de produire plus de puces au cours de chaque cycle de fabrication.
Pour une production à très grand volume, cela peut réduire le coût de transformation par matériau.
Les plaquettes de 300 mm sont couramment utilisées pour:
Cependant, les lignes de fabrication de semi-conducteurs de 300 mm nécessitent une automatisation étendue et un investissement en capital très élevé.
Par conséquent, cette taille de gaufre est généralement utilisée par les fabricants de semi-conducteurs à grande échelle.
Une question courante est de savoir pourquoi les plus grandes plaquettes de silicium sont généralement plus épaisses.
La raison principale est la stabilité mécanique.
À mesure que le diamètre de la gaufre augmente, le substrat devient plus sensible à la flexion et à la déformation.
Une plaque doit rester suffisamment rigide pendant les étapes de traitement des semi-conducteurs telles que:
Si une grosse plaquette est trop mince, elle peut subir un arc, une déformation ou même une rupture mécanique excessifs.
L'augmentation de l'épaisseur des plaquettes améliore la rigidité de la structure et réduit le risque de dommages.
C'est pourquoi une plaquette de silicium typique de 300 mm est considérablement plus épaisse qu'une plaquette de 100 mm.
L'épaisseur nominale seule ne décrit pas pleinement la qualité dimensionnelle de la gaufre.
Les acheteurs devraient également prêter attentiontolérance d'épaisseuretVariation de l'épaisseur totale, communément appelée TTV.
La tolérance d'épaisseur définit l'écart autorisé par rapport à l'épaisseur cible de la gaufre.
Par exemple, une plaque peut être spécifiée comme:
725 ± 20 μm
Cela signifie que l'épaisseur de la gaufre finie doit rester dans la plage définie.
Le TTV mesure la différence entre l'épaisseur maximale et minimale de la plaque sur l'ensemble du substrat.
Un TTV inférieur est particulièrement important dans les applications impliquant:
Une gaufre peut avoir l'épaisseur moyenne correcte tout en ayant une variation d'épaisseur excessive.
Par conséquent, l'épaisseur nominale et la TTV devraient être incluses dans les spécifications critiques des plaquettes.
Les spécifications d'épaisseur doivent généralement être évaluées en même temps que l'arête et la déformation des plaquettes.
L'arc décrit l'écart du centre de la gaufre par rapport à un plan de référence.
La distorsion représente l'écart global de la surface de la gaufre par rapport à un plan de référence plat.
L'excès de courbure ou de déformation peut causer des problèmes pendant:
Les gaufres plus grandes sont particulièrement sensibles à ces paramètres géométriques.
Par conséquent, les applications de semi-conducteurs de précision peuvent exiger des limites strictes pour le TTV, l'arc et la déformation.
Les épaisseurs standard des plaquettes sont pratiques car elles sont compatibles avec les équipements de semi-conducteurs courants.
Cependant, de nombreuses applications nécessitent une épaisseur personnalisée.
Les plaquettes de silicium sur mesure peuvent être produites pour des applications telles que:
Selon l'application, les plaquettes peuvent être broyées mécaniquement, gravées chimiquement ou polies pour obtenir l'épaisseur finale requise.
Les plaquettes ultra-minces nécessitent souvent une liaison temporaire à une plaquette porteuse car leur résistance mécanique devient insuffisante pour la manutention conventionnelle.
Le diamètre et l'épaisseur ne sont qu'une partie de la spécification complète des plaquettes de silicium.
L'orientation des cristaux est un autre paramètre important.
Les deux orientations de silicium les plus courantes sont:
Si (100)
et
Si (111)
(100) le silicium est largement utilisé dans la fabrication de CMOS, MEMS et de nombreuses applications générales de semi-conducteurs.
(111) Le silicium est fréquemment choisi pour les dispositifs semi-conducteurs spécialisés, la recherche et certaines structures MEMS.
L'orientation correcte dépend de la structure du dispositif et du processus de fabrication.
Les plaquettes de silicium peuvent également être classées selon le type de conductivité.
Les plaquettes de type P sont généralement dopées de bore.
Ils contiennent des trous en tant que porteurs de charge majoritaires.
Les plaquettes de silicium de type N peuvent être dotées d'éléments tels que:
Les électrons sont les principaux porteurs de charge.
Le choix entre le silicium de type P et le silicium de type N dépend de l'architecture du dispositif semi-conducteur.
La résistivité électrique est un autre paramètre d'achat important.
La résistivité des plaquettes de silicium peut aller de très faibles valeurs pour les substrats fortement dopés à des valeurs extrêmement élevées pour les applications à haute résistivité.
Les applications typiques nécessitant une résistivité soigneusement contrôlée comprennent:
Lorsqu'ils demandent un devis, les acheteurs doivent préciser la fourchette de résistivité requise plutôt que de simplement demander un matériau de type P ou N.
Les plaquettes de silicium sont généralement disponibles sous les formes suivantes:
L'une des surfaces est polie tandis que la face opposée reste relativement rugueuse.
Les plaquettes SSP sont couramment utilisées pour le traitement standard des semi-conducteurs et de nombreuses applications de recherche.
Les deux surfaces sont polies.
Les plaquettes DSP sont souvent nécessaires pour:
Les exigences en matière de rugosité de surface doivent également être précisées lorsque le polissage de haute qualité est nécessaire.
L'identification du bord de la gaufre a évolué à mesure que le diamètre de la gaufre augmentait.
Les plus petites plaquettes en silicium utilisent souvent des plaquettes pour l'identification de l'orientation.
Les gaufres plus grandes utilisent généralement une encoche.
Par exemple:
L'encoche ou le plan permet à l'équipement de semi-conducteurs de déterminer l'orientation du cristal et l'alignement de la plaque.
L'identification correcte de l'orientation est particulièrement importante dans les systèmes automatisés de manutention des plaquettes.
Le diamètre approprié de la gaufre dépend principalement de l'équipement de fabrication et du volume de production.
Dans la plupart des cas, la compatibilité des équipements est le premier facteur qui détermine le diamètre de la gaufre.
Avant d'acheter des plaquettes en silicium, il est utile de préparer une spécification technique complète.
Les paramètres importants sont les suivants:
La fourniture de ces paramètres aide le fabricant de gaufres à évaluer si le matériau de stock standard peut être utilisé ou si un traitement personnalisé est nécessaire.
Le diamètre et l'épaisseur des plaquettes de silicium sont parmi les paramètres les plus fondamentaux mais les plus importants dans la sélection du substrat de semi-conducteur.
Les tailles de gaufres les plus utilisées sont100 mm, 150 mm, 200 mm et 300 mm, avec une épaisseur nominale typique d'environ525 μm, 675 μm, 725 μm et 775 μm, respectivement.
Les plus petites plaquettes restent précieuses pour la recherche, les MEMS et la production de semi-conducteurs spécialisés, tandis que les plaquettes de 200 mm continuent de prendre en charge une grande partie de la fabrication industrielle de semi-conducteurs matures.En attendant., les plaquettes de 300 mm dominent la fabrication avancée de semi-conducteurs à volume élevé.
Cependant, pour choisir la bonne gaufre, il ne suffit pas de choisir le diamètre et l'épaisseur.
L'orientation cristalline, le type de conductivité, la résistivité, l'état de polissage, le TTV, l'arc, la déformation et la qualité de la surface doivent tous être considérés ensemble.
Pour les fabricants de semi-conducteurs, les laboratoires de recherche et les développeurs de dispositifs,La définition claire de ces spécifications permet de s'assurer que la plaque de silicium sélectionnée est entièrement compatible avec le processus de fabrication et les exigences du dispositif final..
Pluies de siliciumsont les substrats fondamentaux utilisés dans la fabrication de semi-conducteurs. Des circuits intégrés et des capteurs MEMS aux appareils de puissance, à la photonique et aux emballages avancés,le diamètre et l'épaisseur d'une gaufre en silicium ont une influence directe sur la compatibilité des équipements, la stabilité mécanique, le rendement du procédé et le coût de production.
Parmi les substrats de silicium disponibles dans le commerce,Des plaquettes de 100 mm, 150 mm, 200 mm et 300 mmChaque diamètre est associé à des normes d'épaisseur typiques et à différents scénarios d'application.
Ce guide explique les normes communes de diamètre et d'épaisseur des plaquettes en silicium, pourquoi l'épaisseur augmente avec la taille des plaquettes,et comment choisir la bonne spécification de plaque pour différentes applications de semi-conducteurs.
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Le diamètre de la gaufre de silicium détermine la surface utilisable disponible pour la fabrication du dispositif.
Une plaque plus grande peut accueillir plus de matrices de semi-conducteurs pendant le même cycle de traitement.Cela peut améliorer considérablement l'efficacité de la production et réduire le coût de fabrication par puce.
Les diamètres de gaufre commerciaux les plus courants comprennent:
Des wafers plus petits tels que des substrats de 2 et 3 pouces sont encore utilisés dans les laboratoires de recherche et certaines applications de semi-conducteurs spécialisés, mais ils sont moins courants dans la production industrielle moderne.
La transition vers des plaquettes plus grandes s'est produite progressivement à mesure que les équipements de fabrication de semi-conducteurs sont devenus plus avancés.
Cependant, les plus grandes plaquettes nécessitent des systèmes de manutention, des procédés de polissage et des équipements de fabrication plus sophistiqués.
Pour cette raison, le choix d'un diamètre de gaufre n'est pas simplement une question de sélection de la plus grande taille disponible.
Les valeurs suivantes représentent les épaisseurs nominales couramment utilisées pour les plaquettes de silicium standard.
| Diamètre de la gaufre | Taille de pouce commune | Épaisseur typique |
|---|---|---|
| 100 mm | 4 pouces | environ 525 μm |
| 150 mm | 6 pouces | environ 675 μm |
| 200 mm | 8 pouces | environ 725 μm |
| 300 mm | 12 pouces | environ 775 μm |
Ces valeurs devraient être considérées comme des références typiques de l'industrie plutôt que comme des exigences universelles.
L'épaisseur réelle de la gaufre peut varier selon:
Les plaquettes en silicium sur mesure peuvent également être fabriquées avec des épaisseurs significativement différentes des valeurs standard.
Uneplaquettes de silicium de 100 mm, communément appeléUne gaufre en silicium de 4 pouces, reste largement utilisé pour la recherche, les MEMS, les capteurs et les dispositifs semi-conducteurs spécialisés.
L'épaisseur nominale commune est approximativement:
525 μm
Des épaisseurs personnalisées sont également souvent disponibles.
Comparées aux gaufres plus grandes, les gaufres de 100 mm offrent plusieurs avantages pratiques.
Ils nécessitent des équipements moins coûteux et sont relativement faciles à manipuler lors d'un traitement en laboratoire ou à échelle pilote.
Pour les entreprises qui développent de nouveaux appareils semi-conducteurs, l'utilisation de plaquettes de 100 mm peut réduire le coût de la production expérimentale.
Ils sont particulièrement utiles lorsque le volume de fabrication est relativement faible.
Les plaquettes en silicium de 100 mm sont fréquemment utilisées pour:
De nombreuses spécifications de plaquettes personnalisées sont également disponibles dans ce diamètre en raison du large éventail d'applications de recherche.
Uneplaquettes en silicium de 150 mm, également appeléUne galette de 6 pouces, représente une transition importante entre les substrats à l'échelle du laboratoire et les plaquettes industrielles à plus grand volume.
L'épaisseur nominale commune est approximativement:
675 μm
En fonction du procédé de fabrication, des spécifications d'épaisseur personnalisées peuvent également être demandées.
Bien que de plus grandes tailles de plaquettes soient disponibles, de nombreuses lignes de production de semi-conducteurs établies continuent de fonctionner avec des équipements de 150 mm.
Le remplacement d'une ligne de fabrication de semi-conducteurs entière par un équipement de plaquettes plus grand nécessite des investissements importants.
En conséquence, les plaquettes de 150 mm restent importantes pour les technologies de semi-conducteurs matures.
Les applications courantes sont les suivantes:
Pour une production de volume moyen, les plaquettes de 150 mm peuvent fournir un équilibre efficace entre les coûts de fabrication et l'efficacité de la production.
Uneplaquettes en silicium de 200 mm, communément appeléplaquette en silicium de 8 pouces, est l'une des tailles de plaquette les plus importantes utilisées dans la fabrication de semi-conducteurs.
L'épaisseur nominale standard est généralement autour de:
725 μm
Les plaquettes de 200 mm sont largement utilisées dans les chaînes de production à volume élevé.
Bien que les usines de semi-conducteurs avancées utilisent de plus en plus des plaquettes de 300 mm, la plate-forme de 200 mm reste extrêmement importante pour les technologies de semi-conducteurs matures.
Beaucoup de produits semi-conducteurs ne nécessitent pas les derniers nœuds de processus.
Pour ces appareils, l'exploitation d'une ligne de production de 200 mm peut fournir une excellente économie de fabrication.
Les plaquettes en silicium de 200 mm sont largement utilisées dans:
La croissance des véhicules électriques, de l'automatisation industrielle et des capteurs continue de soutenir une forte demande de fabrication de semi-conducteurs de 200 mm.
Uneplaquettes en silicium de 300 mm, également appeléWafer en silicium de 12 pouces, est actuellement la plate-forme dominante pour la fabrication de semi-conducteurs avancés à haut volume.
L'épaisseur nominale standard est approximativement:
775 μm
En raison du diamètre plus grand, les plaquettes de 300 mm nécessitent une épaisseur plus grande pour maintenir la rigidité mécanique pendant le traitement.
Le principal avantage d'une plaque de 300 mm est la grande surface utilisable.
Comparé à une plaque de 200 mm, un substrat de 300 mm fournit beaucoup plus d'espace pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs.
Cela permet aux fabricants de produire plus de puces au cours de chaque cycle de fabrication.
Pour une production à très grand volume, cela peut réduire le coût de transformation par matériau.
Les plaquettes de 300 mm sont couramment utilisées pour:
Cependant, les lignes de fabrication de semi-conducteurs de 300 mm nécessitent une automatisation étendue et un investissement en capital très élevé.
Par conséquent, cette taille de gaufre est généralement utilisée par les fabricants de semi-conducteurs à grande échelle.
Une question courante est de savoir pourquoi les plus grandes plaquettes de silicium sont généralement plus épaisses.
La raison principale est la stabilité mécanique.
À mesure que le diamètre de la gaufre augmente, le substrat devient plus sensible à la flexion et à la déformation.
Une plaque doit rester suffisamment rigide pendant les étapes de traitement des semi-conducteurs telles que:
Si une grosse plaquette est trop mince, elle peut subir un arc, une déformation ou même une rupture mécanique excessifs.
L'augmentation de l'épaisseur des plaquettes améliore la rigidité de la structure et réduit le risque de dommages.
C'est pourquoi une plaquette de silicium typique de 300 mm est considérablement plus épaisse qu'une plaquette de 100 mm.
L'épaisseur nominale seule ne décrit pas pleinement la qualité dimensionnelle de la gaufre.
Les acheteurs devraient également prêter attentiontolérance d'épaisseuretVariation de l'épaisseur totale, communément appelée TTV.
La tolérance d'épaisseur définit l'écart autorisé par rapport à l'épaisseur cible de la gaufre.
Par exemple, une plaque peut être spécifiée comme:
725 ± 20 μm
Cela signifie que l'épaisseur de la gaufre finie doit rester dans la plage définie.
Le TTV mesure la différence entre l'épaisseur maximale et minimale de la plaque sur l'ensemble du substrat.
Un TTV inférieur est particulièrement important dans les applications impliquant:
Une gaufre peut avoir l'épaisseur moyenne correcte tout en ayant une variation d'épaisseur excessive.
Par conséquent, l'épaisseur nominale et la TTV devraient être incluses dans les spécifications critiques des plaquettes.
Les spécifications d'épaisseur doivent généralement être évaluées en même temps que l'arête et la déformation des plaquettes.
L'arc décrit l'écart du centre de la gaufre par rapport à un plan de référence.
La distorsion représente l'écart global de la surface de la gaufre par rapport à un plan de référence plat.
L'excès de courbure ou de déformation peut causer des problèmes pendant:
Les gaufres plus grandes sont particulièrement sensibles à ces paramètres géométriques.
Par conséquent, les applications de semi-conducteurs de précision peuvent exiger des limites strictes pour le TTV, l'arc et la déformation.
Les épaisseurs standard des plaquettes sont pratiques car elles sont compatibles avec les équipements de semi-conducteurs courants.
Cependant, de nombreuses applications nécessitent une épaisseur personnalisée.
Les plaquettes de silicium sur mesure peuvent être produites pour des applications telles que:
Selon l'application, les plaquettes peuvent être broyées mécaniquement, gravées chimiquement ou polies pour obtenir l'épaisseur finale requise.
Les plaquettes ultra-minces nécessitent souvent une liaison temporaire à une plaquette porteuse car leur résistance mécanique devient insuffisante pour la manutention conventionnelle.
Le diamètre et l'épaisseur ne sont qu'une partie de la spécification complète des plaquettes de silicium.
L'orientation des cristaux est un autre paramètre important.
Les deux orientations de silicium les plus courantes sont:
Si (100)
et
Si (111)
(100) le silicium est largement utilisé dans la fabrication de CMOS, MEMS et de nombreuses applications générales de semi-conducteurs.
(111) Le silicium est fréquemment choisi pour les dispositifs semi-conducteurs spécialisés, la recherche et certaines structures MEMS.
L'orientation correcte dépend de la structure du dispositif et du processus de fabrication.
Les plaquettes de silicium peuvent également être classées selon le type de conductivité.
Les plaquettes de type P sont généralement dopées de bore.
Ils contiennent des trous en tant que porteurs de charge majoritaires.
Les plaquettes de silicium de type N peuvent être dotées d'éléments tels que:
Les électrons sont les principaux porteurs de charge.
Le choix entre le silicium de type P et le silicium de type N dépend de l'architecture du dispositif semi-conducteur.
La résistivité électrique est un autre paramètre d'achat important.
La résistivité des plaquettes de silicium peut aller de très faibles valeurs pour les substrats fortement dopés à des valeurs extrêmement élevées pour les applications à haute résistivité.
Les applications typiques nécessitant une résistivité soigneusement contrôlée comprennent:
Lorsqu'ils demandent un devis, les acheteurs doivent préciser la fourchette de résistivité requise plutôt que de simplement demander un matériau de type P ou N.
Les plaquettes de silicium sont généralement disponibles sous les formes suivantes:
L'une des surfaces est polie tandis que la face opposée reste relativement rugueuse.
Les plaquettes SSP sont couramment utilisées pour le traitement standard des semi-conducteurs et de nombreuses applications de recherche.
Les deux surfaces sont polies.
Les plaquettes DSP sont souvent nécessaires pour:
Les exigences en matière de rugosité de surface doivent également être précisées lorsque le polissage de haute qualité est nécessaire.
L'identification du bord de la gaufre a évolué à mesure que le diamètre de la gaufre augmentait.
Les plus petites plaquettes en silicium utilisent souvent des plaquettes pour l'identification de l'orientation.
Les gaufres plus grandes utilisent généralement une encoche.
Par exemple:
L'encoche ou le plan permet à l'équipement de semi-conducteurs de déterminer l'orientation du cristal et l'alignement de la plaque.
L'identification correcte de l'orientation est particulièrement importante dans les systèmes automatisés de manutention des plaquettes.
Le diamètre approprié de la gaufre dépend principalement de l'équipement de fabrication et du volume de production.
Dans la plupart des cas, la compatibilité des équipements est le premier facteur qui détermine le diamètre de la gaufre.
Avant d'acheter des plaquettes en silicium, il est utile de préparer une spécification technique complète.
Les paramètres importants sont les suivants:
La fourniture de ces paramètres aide le fabricant de gaufres à évaluer si le matériau de stock standard peut être utilisé ou si un traitement personnalisé est nécessaire.
Le diamètre et l'épaisseur des plaquettes de silicium sont parmi les paramètres les plus fondamentaux mais les plus importants dans la sélection du substrat de semi-conducteur.
Les tailles de gaufres les plus utilisées sont100 mm, 150 mm, 200 mm et 300 mm, avec une épaisseur nominale typique d'environ525 μm, 675 μm, 725 μm et 775 μm, respectivement.
Les plus petites plaquettes restent précieuses pour la recherche, les MEMS et la production de semi-conducteurs spécialisés, tandis que les plaquettes de 200 mm continuent de prendre en charge une grande partie de la fabrication industrielle de semi-conducteurs matures.En attendant., les plaquettes de 300 mm dominent la fabrication avancée de semi-conducteurs à volume élevé.
Cependant, pour choisir la bonne gaufre, il ne suffit pas de choisir le diamètre et l'épaisseur.
L'orientation cristalline, le type de conductivité, la résistivité, l'état de polissage, le TTV, l'arc, la déformation et la qualité de la surface doivent tous être considérés ensemble.
Pour les fabricants de semi-conducteurs, les laboratoires de recherche et les développeurs de dispositifs,La définition claire de ces spécifications permet de s'assurer que la plaque de silicium sélectionnée est entièrement compatible avec le processus de fabrication et les exigences du dispositif final..