Détails des produits

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Carbure de silicium adapté aux besoins du client de taille polissant la pureté en céramique de la voie de roulement 98%

Nom De Marque:	zmkj
Numéro De Modèle:	ALN
MOQ:	20pcs
Prix:	by case
Délai De Livraison:	10-20days

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

Matériau:

Substrats sic en céramique

Applications:

plats en céramique pour le traitement de semi-conducteur

couleur:

Black

Taille:

taille adaptée aux besoins du client

Pureté:

98%

Détails d'emballage:

boîte de la cassette 25pcs

Capacité d'approvisionnement:

10000PCS

Mettre en évidence:

Substrat en céramique d'alumine

substrat en céramique d'aln

Description de produit

Substrat en céramique de carbure de silicium, pièces SIC en céramique, voie de roulement en céramique de polissage adaptée aux besoins du client de carbure de silicium

1. Introduction :

1. SIC Cermaic a les avantages de la dureté superbe, usage-résistance de haute,

bonne résistance à la corrosion et isolation électrique, acide-base résistante, tolérance de forte intensité, thermostable, à hautes températures, bonne isolation, de haute résistance, processus de précision, haute résistance mécanique, bonne stabilité chimique.

Bonne douceur, joint mécanique bon, surface de polissage et ainsi de suite.

2. La formation des méthodes inclut :
Pressing de séchage
Pressing isostatique
Bâti chaud de pressing

3. L'application de notre produit :

Axe en céramique, douille pour la pompe différente.
Plongeur en céramique pour le décapant à haute pression.
Wearlessness, acide-base résistante et assemblée en céramique de forte intensité

appliquez-vous au pétrole, industrie chimique.
Wearlesness, résistance à la corrosion, pièces de table de thermos appliquent à la machine de précision.

Article	SSIC
SIC pureté (%)	>98
Densité de la masse (g/cm3)	3.06-3.15
Max. Service Temp. (℃)	1800
Résistance à la pression (MPA)	≥3900
Résistance à la flexion (MPA)	400-580
Force de fracture (MPA)	3.05-4.6
Module de Young (Gpa)	380-410
Conduction thermique W/MK	102,6
Dilatation thermique a (1/℃)	4.02x10
Le coefficient de Poisson	0,14
Porosité apparente %	0

Taille normale

taille commune pour des substrats, l'autre produit d'utilisation par adapté aux besoins du client

Diamètre (millimètres)					Épaisseur (millimètre)
2" (50.8mm) De 16mm	3" (76.2mm) OF22mm	4" (100mm) De 30mm	5" (125mm) De 42.5mm	6" (150mm) De 47.5mm	0,385
					0,5
					0,65
					1,0

Service de polissage

Notre produit peut être poli (poli simple et double) par la machine avancée qui a importé

de l'étranger. L'aspérité de substrat en céramique peut atteindre à 1nm sans poreux après avoir été poli.

Il est parfaitement approprié à l'application de dispositif de petite Spéc., haute précision, câblant la densité et la bonne stabilité.

Carbure de silicium adapté aux besoins du client de taille polissant la pureté en céramique de la voie de roulement 98% 0

Étiquettes:

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de GaAs

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de GaAs

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Détails des produits

Carbure de silicium adapté aux besoins du client de taille polissant la pureté en céramique de la voie de roulement 98%

Substrat en céramique d'alumine

substrat en céramique d'aln

Substrat en céramique d'alumine

substrat en céramique d'aln

Carbure de silicium en céramique

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de GaAs

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de GaAs

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Détails des produits

Carbure de silicium adapté aux besoins du client de taille polissant la pureté en céramique de la voie de roulement 98%

Substrat en céramique d'alumine

substrat en céramique d'aln

Substrat en céramique d'alumine

substrat en céramique d'aln

Carbure de silicium en céramique

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm​​

​​Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm​​

SiC Ceramic Optical Path Board for Wafer Inspection Equipment Parallelism ≤0.02mm

Bonding-Specific SiC Vacuum Chuck Wafer Adsorption Surface Flatness ≤1μm