Détails de produit
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: zmsh
Numéro de modèle: HPSI
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 1pcs
Prix: by case
Détails d'emballage: par cas adapté aux besoins du client
Délai de livraison: 15days en dedans
Capacité d'approvisionnement: 100PCS
Industrie: |
substrat de semi-conducteur |
Matériaux: |
sic cristal |
Application: |
5G, matériel de dispositif, MOCVD, l'électronique de puissance |
Type: |
4H-N, semi, aucun enduit |
Couleur: |
vert, bleu, blanc |
Hardeness: |
9,0 |
Industrie: |
substrat de semi-conducteur |
Matériaux: |
sic cristal |
Application: |
5G, matériel de dispositif, MOCVD, l'électronique de puissance |
Type: |
4H-N, semi, aucun enduit |
Couleur: |
vert, bleu, blanc |
Hardeness: |
9,0 |
Hardness9.4 le carbure de silicium transparent sans couleur de la grande pureté 4H-SEMI a sic poli la gaufrette pour l'application optique de transmittance élevée
Propriété | 4H-SiC, monocristal | 6H-SiC, monocristal |
Paramètres de trellis | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
Empilement de l'ordre | ABCB | ABCACB |
Dureté de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
Densité | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
Therm. Coefficient d'expansion | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
Index @750nm de réfraction |
aucun = 2,61 Ne = 2,66 |
aucun = 2,60 Ne = 2,65 |
Constante diélectrique | c~9.66 | c~9.66 |
ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
|
Conduction thermique (semi-isolante) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
Bande-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
Champ électrique de panne | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
Vitesse de dérive de saturation | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Propriétés physiques et électroniques sic de comparé à GaAa et à SI
Énergie large Bandgap (eV)
4H-SiC : 3,26 6H-SiC : 3,03 GaAs : SI 1,43 : 1,12
Les appareils électroniques ont formé dans sic peuvent fonctionner extrêmement à températures élevées sans douleur à partir des effets intrinsèques de conduction en raison du bandgap large d'énergie. En outre, cette propriété laisse sic émettre et détecter la lumière à ondes courtes qui fait la fabrication des diodes électroluminescentes bleues et des détecteurs photoélectriques UV aveugles presque solaires possibles.
Champ électrique de panne élevée [V/cm (pour l'opération de 1000 V)]
4H-SiC : 2,2 x 106* 6H-SiC : 2,4 x 106* GaAs : 3 x 105 SI : 2,5 x 105
Sic peut résister à un gradient de tension (ou au champ électrique) plus de huit fois plus grand que que le SI ou la GaAs sans subir la panne d'avalanche. Ce champ électrique de panne élevée permet la fabrication des dispositifs très à haute tension et de haute puissance tels que des diodes, des transitors de puissance, des thyristors de puissance et des dispositifs antiparasites de montée subite, aussi bien que des dispositifs d'hyperfréquences à grande puissance. En plus, il permet aux dispositifs d'être placés très étroitement ensemble, fournissant la densité d'intégration élevée de dispositif pour des circuits intégrés.
Conduction thermique élevée (W/cm · K @ DROITE)
4H-SiC : 3.0-3.8 6H-SiC : 3.0-3.8 GaAs : 0,5 SI : 1,5
Est sic un excellent conducteur thermique. La chaleur coulera plus aisément sic que d'autres matériaux de semi-conducteur. En fait, à la température ambiante, a sic une conduction thermique plus élevée que n'importe quel métal. Cette propriété permet sic à des dispositifs de fonctionner aux niveaux de puissance extrêmement élevée et d'absorber toujours un grand nombre de chaleur excédentaire produite.
La haute a saturé la vitesse de glissement des électrons [centimètre-seconde (@ V/cm de ≥ 2 x 105 d'E)]
4H-SiC : 2,0 x 107 6H-SiC : 2,0 x 107 GaAs : 1,0 x 107 SI : 1,0 x 107
Sic les dispositifs peuvent fonctionner aux hautes fréquences (rf et micro-onde) en raison de la haute ont saturé la vitesse de glissement des électrons de sic.
Applications
Dépôt de nitrure de *III-V Dispositifs *Optoelectronic
Dispositifs de *High-Power * dispositifs à hautes températures
2" |
3" |
4" |
6" |
|
Polytype |
4H/6H |
4H |
4H |
4H |
Diamètre |
50.80mm±0.38mm |
76.2mm±0.38mm |
100.0mm±0.5mm |
150.0mm±0.2mm |
|
FAQ :
Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?
: (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME par le GOUSSET.
Q : Comment payer ?
: T/T, à l'avance
Q : Quel est votre MOQ ?
: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 30g.
(2) pour les produits communs adaptés aux besoins du client, le MOQ est 50g
Q : Quel est le délai de livraison ?
: (1) pour les produits standard
Pour l'inventaire : la livraison est pendant 5 jours ouvrables après que vous passez la commande.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 -4 semaines après vous contact d'ordre.