Détails de produit
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: zmsh
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: sans couleur transparent
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 10pcs
Prix: by case
Détails d'emballage: par cas adapté aux besoins du client
Délai de livraison: 30days en dedans
Conditions de paiement: T/T, T/T
Industrie: |
substrat de semi-conducteur |
Matériaux: |
sic cristal |
Application: |
Gaufrettes de graine |
Type: |
4H-N, ou grande pureté 4h-semi non dopé |
Couleur: |
Blanc |
Hardeness: |
9,4 |
Catégorie: |
Catégorie optique |
Taille: |
Peut être adapté aux besoins du client |
Conduction thermique: |
4.9w/cm.k |
Industrie: |
substrat de semi-conducteur |
Matériaux: |
sic cristal |
Application: |
Gaufrettes de graine |
Type: |
4H-N, ou grande pureté 4h-semi non dopé |
Couleur: |
Blanc |
Hardeness: |
9,4 |
Catégorie: |
Catégorie optique |
Taille: |
Peut être adapté aux besoins du client |
Conduction thermique: |
4.9w/cm.k |
épaisseur en cristal principale de la gaufrette 0.6mm de graine de carbure de silicium de SIC de la production 6inch pour sic la croissance
gaufrette sans couleur non dopée ou transparente de grande pureté de lentille sic optique pour la source lumineuse de Quantum
nous pouvons fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) à l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est un matériel de semi-conducteur de prochaine génération, avec les propriétés électriques uniques et les excellentes propriétés thermiques, comparées à la gaufrette de silicium et à la gaufrette de GaAs, sic gaufrette est plus appropriée à l'application de dispositif de haute température et de puissance élevée. Sic la gaufrette peut être fournie de diamètre 2 -6inch, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible. Veuillez nous contacter pour plus d'information produit.
application 1.material et advantagement
Applications :
• Dispositif d'épitaxie de GaN
• Dispositif optoélectronique
• Dispositif à haute fréquence
• Dispositif de puissance élevée
• Dispositif à hautes températures
• Diodes électroluminescentes
• Basse disparité de trellis
• Conduction thermique élevée
• Consommation de puissance faible
• Excellentes caractéristiques passagères
• Espace de bande élevé
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PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
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Polytype
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Monocristal 4H
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Monocristal 6H
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Paramètres de trellis
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a=3.076 Å
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a=3.073 Å
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c=10.053 Å
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c=15.117 Å
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Empilement de l'ordre
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ABCB
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ABCACB
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Bande-Gap
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eV 3,26
|
eV 3,03
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Densité
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3,21 · 103 kg/m3
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3,21 · 103 kg/m3
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Therm. Coefficient d'expansion
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4-5×10-6/K
|
4-5×10-6/K
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Index de réfraction
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aucun = 2,719
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aucun = 2,707
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Ne = 2,777
|
Ne = 2,755
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Constante diélectrique
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9,6
|
9,66
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Conduction thermique
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490 W/mK
|
490 W/mK
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Champ électrique de panne
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2 – 4 · 108 V/m
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2 – 4 · 108 V/m
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Vitesse de dérive de saturation
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2,0 · 105 m/s
|
2,0 · 105 m/s
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Mobilité des électrons
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800 cm2/V·S
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400 cm2/V·S
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mobilité de trou
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115 cm2/V·S
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90 cm2/V·S
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Dureté de Mohs
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~9
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FAQ :
Q : Quel est votre MOQ et délai de livraison ?
: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 3pcs. si 5-10pcs il est meilleur dans 10-30days
(2) pour 6inch a adapté des produits aux besoins du client, le MOQ est 10pcs dans 30-50days
Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?
: (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.
(2) il est très bien si vous avez votre propre compte exprès, sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer et transporter est conforme au règlement réel.
Q : Comment payer ?
: T/T, 100%
Q : Avez-vous les produits standard ?
: il n'y a pas de 6inch nos produits standard en stock.
mais comme comme l'épaisseur 2sp des substrats 4inch 0.33mm en ayez en stock
