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LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y

Détails de produit

Lieu d'origine: La Chine

Nom de marque: zmkj

Numéro de modèle: LT-001

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 25pcs

Prix: by case

Détails d'emballage: Films d'ANIMAL FAMILIER ou cas du casstle 25pcs par la pièce de nettoyage de 100 catégories

Délai de livraison: 15-30days

Capacité d'approvisionnement: 5000pcs/month

Obtenez le meilleur prix
Mettre en évidence:

gaufrette de 4inch LiTaO3

,

Gaufrettes de LT Lithium Tantalate Thin

,

Gaufrette du semi-conducteur LiNbO3

Matériaux:
Monocristal de LT LN
Industrie:
la gaufrette de semi-conducteur, a vu la gaufrette, gaufrette optique
Application:
5G, dispositif de SCIE, verre optique,
Couleur:
jaune, rouge, noir
Taille:
4inch
orientation:
Terrain communal de Y-42°
Matériaux:
Monocristal de LT LN
Industrie:
la gaufrette de semi-conducteur, a vu la gaufrette, gaufrette optique
Application:
5G, dispositif de SCIE, verre optique,
Couleur:
jaune, rouge, noir
Taille:
4inch
orientation:
Terrain communal de Y-42°
LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y

LT Thin Films Wafers 42°Y des gaufrettes LN de LiTaO3 LiNbO3

Gaufrette de LT et de LN

Le principe de base des dispositifs de SCIE est la génération des vagues extérieures élastiques des signaux électriques et de leur reconversion. Le matériel de substrat est un cristal piézoélectrique un tel quartz (SiO2), tantalate de lithium (LiTaO3) ou niobate de lithium (LiNbO3). Ce sont des matériaux de monocristal, qui sont coupés après le processus de croissance avec une orientation définie à une gaufrette. NQW a produit cette gaufrette pour la fabrication de SCIE et les centres de R&D. Veuillez trouver au-dessous des conditions typiques de spécifications.

Application

Principalement utilisé dans domaines photoélectriques et autres

Spécifications

  • Gaufrette size4 " 6" 4" 6"
  • Diamètre (millimètre) 100,0 ± 0,2 du ± 0.2150.0 du ± 0.2100.0 du ± 0.2150.0
  • Épaisseur (μm) 350 ± 20 du ± 20200/350 du ± 20200/350 du ± 20500
  • Y tourné par Orientation128º axis128º a tourné Y Y tourné par axis36-50º axis36-50º a tourné l'axe des ordonnées
  • Appartement d'orientation (millimètre) 32,5 ± 1,0 du ± 1.047.5 du ± 1.032.5 du ± 1.047.5
  • NTV (μm) ≦4≦4≦4≦4
  • PLNTV (≦0.5μm, taille 5mm) (%) de site 100100100100
  • Sori (μm) ≦50≦50≦50≦75/≦50
  • Surface : Avant sidePolishedPolishedPolishedPolished
  • Surface : De retour sideLapped
  • (CHROMATOGRAPHIE GAZEUSE #2000) enroulé
  • (CHROMATOGRAPHIE GAZEUSE #2000) enroulé
  • (GC#1000) enroulé
  • (GC#2000/GC#1000)

Affichage de produit

LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y 0

LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y 1

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FAQ

Q. Avez-vous des actions de gaufrette ou de lingots ?

oui, 3inch aslike, gaufrettes communes de substrats de la taille 4inch sont en stock.


Q. Où votre société est localisée ?
Notre société située à Changhaï, Chine. l'usine est dans la ville de Wuxi.

Q. combien de temps prendra pour obtenir les produits ?
Généralement il prendra 1~4 semaines pour traiter et puis livraison.

Il est de dépendre de la quantité et de la taille des produits.

Q : Que diriez-vous de du terme et de la livraison de salaire ?

T/T 50%deposit et partie gauche avant la livraison par le GOUSSET.