Mettre en évidence:
Type gaufrette de P d'arséniure de gallium
, gaufrettes de 6inch GaAs
, Gaufrettes du semi-conducteur GaAs
type substrats de la méthode P de croissance de 6Inch VGF des gaufrettes GaAs de GaAs
type substrats de la méthode P de croissance de 6inch VGF des gaufrettes GaAs de GaAs
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Gaufrette de GaAs
Les gaufrettes GaAs de substrat des gaufrettes GaAs de substrat des gaufrettes GaAs de GaAs est un matériel de semi-conducteur avec les propriétés supérieures de la migration à haute fréquence et élevée d'électron, de la représentation élevée d'électron, du bas bruit salivaire et de la qualité linéaire. Il est très utilisé dans les industries d'optoélectronique et de microélectronique. Dans l'industrie d'optoélectronique, des gaufrettes de substrat de GaAs peuvent être employées pour fabriquer LED (tube luminescent), LD (jardin léger de enseignement), dispositifs photovoltaïques, etc. Dans le domaine de l'industrie de la microélectronique, il peut être employé pour faire MESFET (tube de cuir d'effet de gisement de semi-conducteur en métal), HEMT (haut transistor de mobilité des électrons), HBT (transistor bipolaire d'hétérojonction), IC, diode à micro-ondes, dispositif de hall, etc.
Application
Diode à micro-ondes, diode de Gunn, varactor, etc.
Transistors à micro-ondes : transistor à effet de champ (FET), haut transistor de mobilité des électrons (HEMT), transistor bipolaire d'hétérojonction (HBT), etc.
Circuit intégré : circuit intégré monolithique à micro-ondes (MMIC), circuit intégré ultra-haut de vitesse (circuit intégré à très grande vitesse), etc.
Élément de hall
Détail de spécifications
| GaAs (arséniure de gallium) pour des applications de LED |
| Article |
Caractéristiques |
Remarques |
| Type de conduction |
SC/n-type |
|
| Méthode de croissance |
VGF |
|
| Dopant |
Silicium |
|
| Gaufrette Diamter |
2, 3 et 4 pouces |
Lingot ou comme-coupe disponible |
| Crystal Orientation |
(100) 2°/6°/15° outre de (110) |
L'autre misorientation disponible |
| DE |
EJ ou les USA |
|
| Concentration en transporteur |
(0.4~2.5) E18/cm3 |
|
| Résistivité à la droite |
(1.5~9) E-3 Ohm.cm |
|
| Mobilité |
1500~3000 cm2/V.sec |
|
| Gravure à l'eau forte Pit Density |
<500> | |
| Inscription de laser |
sur demande |
|
| Finition extérieure |
P/E ou P/P |
|
| Épaisseur |
220~350um |
|
| Épitaxie prête |
Oui |
|
| Paquet |
Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
|
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