Détails de produit
Lieu d'origine: LA CHINE
Nom de marque: zmsh
Certification: ROHS
Numéro de modèle: Gaufrette de 6INCH GaAs
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 10pcs
Prix: by case
Détails d'emballage: Film d'ANIMAL FAMILIER dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Délai de livraison: 1-4weeks
Capacité d'approvisionnement: 500PCS/Month
Matériel: |
Monocristal GaAs |
industrie: |
gaufrette de semicondutor pour le LD ou menée |
Application: |
le substrat de semi-conducteur, a mené la puce, vitrail optique, substrats de dispositif |
méthode: |
LA CZ |
Taille: |
2inch~6inch |
Épaisseur: |
0.425mm |
Surface: |
CMP/gravé à l'eau-forte |
enduit: |
SI-enduit |
MOQ: |
10PCS |
Catégorie: |
catégorie de recherches/catégorie factice |
Matériel: |
Monocristal GaAs |
industrie: |
gaufrette de semicondutor pour le LD ou menée |
Application: |
le substrat de semi-conducteur, a mené la puce, vitrail optique, substrats de dispositif |
méthode: |
LA CZ |
Taille: |
2inch~6inch |
Épaisseur: |
0.425mm |
Surface: |
CMP/gravé à l'eau-forte |
enduit: |
SI-enduit |
MOQ: |
10PCS |
Catégorie: |
catégorie de recherches/catégorie factice |
substrats DSP d'arséniure de gallium de gaufrettes de 4Inch GaAs
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Gaufrette de GaAs
L'arséniure de gallium (GaAs) est un des importante et mûreⅢ - des matériaux de semi-conducteur composé de Ⅴ, qui sont très utilisée dans le domaine de l'optoélectronique et de la microélectronique. Des matériaux d'arséniure de gallium sont principalement divisés en deux catégories : matériaux semi-isolés d'arséniure de gallium et matériaux d'arséniure de gallium de semi-conducteur. des matériaux Semi-isolés d'arséniure de gallium sont principalement employés pour produire des circuits intégrés avec des structures de MESFET, d'HEMT et de HBT. Principalement utilisé dans le radar, la communication d'onde millimétrique de micro-onde et, l'ordinateur ultra-haut de vitesse et la communication de fibre optique et d'autres champs. Des matériaux d'arséniure de gallium de semi-conducteur sont principalement employés en lasers de semi-conducteur (LD), diodes électroluminescentes de semi-conducteur (LED), lasers proche-infrarouges, de quantum lasers de haute puissance bien et piles solaires à haute efficacité.
| Type/导电类型/掺杂元素 de dopant | Semi-isolé | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| 应用 d'application | Eletronic micro | LED | Diode laser | |
| 长晶方式 de méthode de croissance | VGF | |||
| 直径 de diamètre | 2", 3", 4", 6" | |||
| 晶向 d'orientation | (100) ±0.5° | |||
| 厚度 d'épaisseur (µm) | 350-625um±25um | |||
| 参考边 d'OF/IF | Les USA EJ ou entaille | |||
| 载流子浓度 de concentration en transporteur | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| 电阻率 de résistivité (ohm-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| 电子迁移率 de mobilité (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| 位错密度 de densité de lancement gravure à l'eau forte (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| 平整度 de TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| 平整度 de TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| 翘曲度 de chaîne (µm) | <10> | |||
| 表面加工 de finition extérieur | P/P, P/E, E/E | |||
AU SUJET DE NOTRE ZMKJ
Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs-30pcs.
Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de détail pour nos produits.
