Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Certification: ROHS
Numéro de modèle: Le système de surveillance de la sécurité des véhicules doit être conforme à l'annexe I.
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 25pcs
Prix: Négociable
Détails d'emballage: boîte adaptée aux besoins du client
Délai de livraison: en 30 jours
Conditions de paiement: T/T
le matériel: |
Le système de surveillance de la sécurité des véhicules doit être conforme à l'annexe I. |
Grade: |
P |
Diamètre: |
4'' |
Épaisseur: |
500 ± 25 μm |
orientation: |
Le nombre de personnes concernées |
TTV: |
≤5μm |
arc: |
-15 μm à 15 μm |
chaîne: |
≤10μm |
Application du projet: |
Substrats de l'EPI |
le matériel: |
Le système de surveillance de la sécurité des véhicules doit être conforme à l'annexe I. |
Grade: |
P |
Diamètre: |
4'' |
Épaisseur: |
500 ± 25 μm |
orientation: |
Le nombre de personnes concernées |
TTV: |
≤5μm |
arc: |
-15 μm à 15 μm |
chaîne: |
≤10μm |
Application du projet: |
Substrats de l'EPI |
1Les gaufres à haute pureté semi-isolantes 4H-SiC (carbure de silicium) sont des matériaux semi-conducteurs très idéaux.
2La feuille 4H-SiC semi-isolée est préparée par pyrolyse à haute température, croissance cristalline et processus de coupe.
3Les feuilles 4H-SiC semi-isolées de haute pureté ont des concentrations de transporteurs plus faibles et des propriétés d'isolation plus élevées.
4Le 4H-SiC est une grille hexagonale dont la structure cristalline lui confère d'excellentes propriétés physiques et électriques.
5Le procédé nécessite une grande pureté des matières premières et une précision pour assurer à la gaufre de silicium une structure cohérente.
Caractéristiquesde HP 4H semi-SIC:
La feuille semi-isolée 4H-SiC (carbure de silicium) de haute pureté est un matériau semi-conducteur idéal:
1Largeur d'écart de bande: Généralement, le 4H-SiC a une largeur d'écart de bande d'environ 3,26 électronvolts (eV).
2En raison de sa stabilité thermique et de ses propriétés isolantes, le 4H-SiC peut fonctionner dans une large plage de températures.
3Le 4H-SiC a une résistance élevée aux radiations utilisées dans les expériences d'énergie nucléaire et de physique à haute énergie.
4Le 4H-SiC a une dureté et une résistance mécanique élevées, ce qui lui confère une excellente stabilité et fiabilité.
5. le 4H-SiC a une mobilité électronique élevée dans la gamme de 100 à 800 centimètres carrés / (V · seconde) (cm^2/ (V · s).
6- Haute conductivité thermique: le 4H-SiC a une conductivité thermique très élevée, d'environ 490 à 530 watts/m-kelle (W/m·K).
7. Résistance à haute tension: le 4H-SiC a une excellente résistance à la tension, ce qui le rend approprié pour les applications à haute tension.
Paramètres techniques deSIC HP 4H-semi:
|
Production |
La recherche |
Espèce de crétin! |
Le type |
4 heures |
4 heures |
4 heures |
Résistance9Ohm·cm) |
≥ 1E9 |
100% de surface>1E5 |
70% de surface> 1E5 |
Diamètre |
99.5 à 100 mm |
99.5 à 100 mm |
99.5 à 100 mm |
Épaisseur |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
Sur l'axe |
Le nombre de personnes concernées |
Le nombre de personnes concernées |
Le nombre de personnes concernées |
En dehors de l'axe |
0 ± 0,25° |
0 ± 0,25° |
0 ± 0,25° |
Longueur plate secondaire |
18 ± 1,5 mm |
18 ± 1,5 mm |
18 ± 1,5 mm |
TTV |
≤ 5 μm |
≤ 10 μm |
≤ 20 μm |
VTT |
≤ 2 μm ((5 mm*5 mm) |
≤ 5 μm ((5 mm*5 mm) |
N.A. |
Faites une fleur. |
-15 μm à 15 μm |
- 35 μm à 35 μm |
- 45 μm à 45 μm |
La distorsion. |
≤ 20 μm |
≤ 45 μm |
≤ 50 μm |
Ra5 μm*5 μm |
Ra≤0,2 nm |
Ra≤0,2 nm |
Ra≤0,2 nm |
Densité des micropipes |
≤ 1ea/cm2 |
≤ 5ea/cm2 |
≤ 10ea/cm2 |
Le bord |
Chambre de nuit |
Chambre de nuit |
Chambre de nuit |
Les feuilles semi-isolées 4H-SiC (carbure de silicium) de haute pureté sont largement utilisées dans de nombreux domaines:
1Les dispositifs optoélectroniques: le 4H-SiC semi-isolé est largement utilisé dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques.
2- Les appareils RF et micro-ondes: les caractéristiques de mobilité électronique élevée et de faible perte du 4H-SiC semi-isolé.
3Autres domaines: Le 4H-SiC semi-isolé a également des applications dans d'autres domaines, tels que les détecteurs d'irradiation.
4En raison de la conductivité thermique élevée et de l'excellente résistance mécanique du 4H-semi SiCà température extrême.
5Les appareils électroniques de puissance: le 4H-SiC semi-isolé est largement utilisé dans la fabrication d'appareils de puissance élevée.
Questions fréquemment posées au sujet de l'HPSISIC 4H-semi:
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R: La quantité deLa valeur de l'indicateur de fréquence est calculée en fonction de la fréquence de l'indicateur de fréquence.C'est 25 pièces à la fois.