Figure 1. Wafer à semi-conducteurs 3C-SiC de haute pureté

Construit pour des performances extrêmes:
Nos substrats 3C-SiC de type N sont méticuleusement conçus pour la prochaine générationcomposants de puissance à haute fréquenceetéchangeurs électriques automobilesIls surpassent largement le silicium traditionnel en offrant une stabilité thermique extraordinaire (jusqu'à 1 600°C) et une conductivité thermique supérieure (49 W/m·K).Fabriqué selon des normes internationales rigoureuses pour l'aérospatiale, ces plaquettes garantissent une fiabilité inébranlable dans les environnements opérationnels les plus exigeants.

• Formats standard:Disponible en diamètres de 2", 4", 6" et 8".
• Géométrie sur mesure:Le dimensionnement personnalisé commence par des micro-dimensions de 5 × 5 mm jusqu'à des mises en page spécifiques au client.

• La densité des microvoïdes est strictement maintenue en dessous0.1 cm−2.
• Un contrôle exceptionnel de la résistivité (≤ 0,0006 Ω·cm) assure le rendement et la fiabilité maximaux du dispositif.

• Optimisé pour les étapes de fabrication intenses comme l'oxydation à haute température et la lithographie avancée.
• La planéité supérieure de la surface est obtenue àL'échantillon doit contenir les données suivantes:.

Elle possède une remarquable mobilité électronique de1,100 cm2/V·s, notre 3C-SiC éclipsent de manière significative le standard 4H-SiC (900 cm2/V·s), ce qui se traduit par des pertes de conduction minimales..

d'une épaisseur maximale de 0,01 mm49 W/m·KIl permet aux appareils de fonctionner en toute sécurité dans des environnements de température extrêmes, de -200°C cryogéniques à 1 600°C.

Il est hautement imperméable aux acides agressifs, aux alcalis forts et aux rayonnements ionisants intenses, ce qui en fait le matériau de choix pour les infrastructures nucléaires et les modules aérospatiaux de l'espace profond.

Q1: Qu'est-ce qu'un substrat 3C-SiC exactement?

R: 3C-SiC fait référence au carbure de silicium cubique. C'est un matériau semi-conducteur hautement spécialisé caractérisé par une structure cristalline cubique. Il offre une mobilité électronique phénoménale (1,100 cm2/V·s) et une conductivité thermique robuste (49 W/m·K), ce qui en fait le premier choix pour les circuits à température extrême et haute fréquence.

Q2: Quelles industries utilisent principalement la technologie 3C-SiC?

R: En raison de sa faible perte de signal et de sa dureté radiologique, le 3C-SiC est largement utilisé dans la fabricationModules de communication RF 5G, à haut rendementInvertisseurs pour véhicules électriques, et électronique résistante pourApplications dans l'aérospatiale et par satellite.