Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: Substrat SiC
Conditions de paiement et d'expédition
Délai de livraison: 2 à 4 semaines
Conditions de paiement: T/T
Matériel: |
Monocristal de SiC |
Grade: |
Prime / Dummy |
orientation: |
Le nombre de personnes concernées |
Le type: |
4H-semi |
Je vous en prie.: |
10 mm |
Épaisseur: |
5 mm |
Matériel: |
Monocristal de SiC |
Grade: |
Prime / Dummy |
orientation: |
Le nombre de personnes concernées |
Le type: |
4H-semi |
Je vous en prie.: |
10 mm |
Épaisseur: |
5 mm |
- supporter les personnalisés avec des illustrations de design
- un cristal hexagonal (4H SiC), fabriqué à partir de monocristal SiC
- Haute dureté, jusqu'à 9,2 Mohs, deuxième seulement au diamant.
- une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements à haute température.
- des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.
Description du SiC 4H-SEMI
Les plaquettes 4H-Semi SiC sont des plaquettes en carbure de silicium (SiC) à semi-isolation 4H.
Ces plaquettes sont généralement fabriquées en coupant et en transformant des cristaux de 4H-SiC de haute pureté.
Le 4H-SiC est un cristal de SiC avec une structure cristalline spécifique, dans laquelle les atomes de silicium (Si) et de carbone (C) sont disposés d'une manière spécifique pour former une structure en treillis.
Les plaquettes 4H-SiC ont attiré beaucoup d'attention en raison de leur importance dans l'industrie des semi-conducteurs.
Le 4H-SiC a un large éventail d'applications dans l'électronique de puissance, les appareils RF et micro-ondes, les appareils optoélectroniques et les applications à haute température et haute pression.
Les plaquettes 4H-SiC semi-isolantes présentent généralement de faibles concentrations de porteurs et des propriétés d'isolation élevées, et conviennent à de nombreuses applications à haute puissance, haute fréquence et haute température.
Ces plaquettes 4H-Semi SiC sont souvent utilisées pour fabriquer divers types d'appareils, tels que des MOSFET de puissance, des diodes de puissance, des amplificateurs de puissance RF, des capteurs photoélectriques, etc.
Leur excellente performance, résistance à haute tension, haute conductivité thermique,et leur stabilité à haute température et à haute pression font de ces plaquettes un outil clé pour diverses applications de recherche scientifique et industrielle.
Détails du 4H-SiC
Chaque type de plaquette SiC a ses propres détails physiques.
| Propriété du substrat | Grade de production | Grade de factice |
| Diamètre | 10 mm | |
| Orientation de la surface | sur l'axe: {0001} ± 0,2° pour le type SEMI; | |
| hors axe: 4° vers <11-20> ± 0,5° pour le type N | ||
| L'orientation principale est plate | Le niveau de température de l'air doit être supérieur ou égal à ± 5 °C. | |
| Orientation à plat secondaire | 90.0 ̊ CW à partir de la source primaire ± 5,0 ̊, le silicium face vers le haut | |
| Longueur plate primaire | 160,0 mm ± 1,65 mm | |
| Longueur plate secondaire | 80,0 mm ± 1,65 mm | |
| Border de la gaufre | Chambre de nuit | |
| Densité des micropipes | ≤ 5 micropipes/cm2 | ≤ 50 micropipes/cm2 |
| Zones de polytypes par lumière à haute intensité | Aucun n'est autorisé | ≤ 10% de surface |
| Résistance | 0.015 à 0.028Ω·cm | (surface 75%) |
| 0.015 à 0.028Ω·cm | ||
| Épaisseur | 5 mm | |
| TTV | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm |
| - Je vous en prie. | ≤ 10 μm | ≤ 15 μm |
| La distorsion. | ≤ 25 μm | |
| Finition de surface | Polissage à double face, Si Face CMP (polissage chimique) | |
| Roughness de la surface | CMP Si Face Ra≤0,5 nm | N/A |
| Les fissures provoquées par la lumière de haute intensité | Aucun n'est autorisé | |
| Les éclairages diffusés permettent de créer des puces/indents de bord | Aucun n'est autorisé | Qty.2 largeur et profondeur < 1,0 mm |
| Surface utilisable totale | ≥ 90% | N/A |
| Note: Les spécifications personnalisées autres que les paramètres ci-dessus sont acceptables. | ||
*N'hésitez pas à nous contacter si vous avez d'autres exigences personnalisées
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Questions fréquentes
1Q: Quel est le procédé de fabrication des lames de coupe 4H-Semi SiC?
R: La fabrication de lames de découpe au carbure de silicium (SiC) 4H semi-isolateur nécessite une série d'étapes de processus complexes, notamment la croissance des cristaux, la découpe, le meulage et le polissage.
2Q: Quelles sont les perspectives futures de la 4H-SEMI SiC?
R: Ils semblent prometteurs en raison de leurs propriétés uniques et de la demande croissante de matériaux semi-conducteurs de haute performance dans diverses industries.
