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Maison > PRODUITS > Emballage de laboratoire > 2 pouces 3 pouces 4 pouces Germanium Substrats Wafers semi-conducteurs personnalisés CZ <100><110><111>

2 pouces 3 pouces 4 pouces Germanium Substrats Wafers semi-conducteurs personnalisés CZ <100><110><111>

Détails de produit

Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Numéro de modèle: Substrats de germanium

Conditions de paiement et d'expédition

Délai de livraison: 2 à 4 semaines

Conditions de paiement: T/T

Obtenez le meilleur prix
Mettre en évidence:

Substrats de germanium semi-conducteurs

,

Tailles sur mesure Substrats de germanium

,

Formes sur mesure Substrats de germanium

Matériaux::
Monocristal de GE
Le diamètre::
0.5~150mm
Épaisseur::
0.5 mm
Le type::
Type N/Type P/Non dopé
Surfaces::
Polissé/etc.
Résistivité ::
0.1 à 60 ohm.cm
Industrie ::
substrats de semi-conducteur, dispositif, optique
Matériaux::
Monocristal de GE
Le diamètre::
0.5~150mm
Épaisseur::
0.5 mm
Le type::
Type N/Type P/Non dopé
Surfaces::
Polissé/etc.
Résistivité ::
0.1 à 60 ohm.cm
Industrie ::
substrats de semi-conducteur, dispositif, optique
2 pouces 3 pouces 4 pouces Germanium Substrats Wafers semi-conducteurs personnalisés CZ <100><110><111>

Description du produit

2 pouces 3 pouces 4 pouces Germanium Substrats Wafers semi-conducteurs personnalisés CZ <100><110><111>

Le germanium de haute pureté est dopé avec des éléments trivalents (par exemple, indium, gallium, bore) pour obtenir des semi-conducteurs de germanium de type P,et les éléments pentavalents (eIls ont une grande mobilité électronique et une grande mobilité de trou.Des substrats de germanium de haute qualité peuvent être utilisés dans le photovoltaïque concentré (CPV), les panneaux solaires spatiaux et les applications de diodes élec­triques à haute luminosité (LED).

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Caractéristiques

- La constante de réseau est supérieure à celle du silicium, ce qui est propice à la construction d'hétérostructures.

- La mobilité électronique élevée, environ 3 fois supérieure à celle du silicium, est propice à la fabrication d'appareils électroniques à grande vitesse.

- La petite largeur de bande (0,67 eV) le rend adapté aux applications de détection photoélectrique infrarouge et d'émission.

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Il est plus sensible aux radiations et convient aux équipements électroniques sensibles aux radiations.

La technologie de traitement est relativement complexe et le coût est élevé.


Paramètres techniques

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Applications

1- électronique analogique et RF à haute fréquence: diodes à micro-ondes, transistors, circuits intégrés; équipement électronique dans la bande de fréquences à micro-ondes, tel que radar et communications.

2Détection et émission photoélectrique infrarouge: détecteur infrarouge, appareil thermique; diodes émettrices infrarouges, diodes laser.

3Équipement électronique sensible aux rayonnements: hétérostructure composée de semi-conducteurs: système d'avionique aérospatiale; centrales nucléaires et équipements électroniques dans le domaine militaire.

4- Hétérostructure composée des semi-conducteurs: matériaux de substrat pour les composés III-V tels que les GaAs, InP, etc.; cellules solaires à structure hétérogène, diodes laser, etc.

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Nos services

1- Fabrication directe et vente.

2Des citations rapides et précises.

3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.

4. ODM: la conception sur mesure est disponible.

5Rapide et précieux.


Questions fréquentes

1. Q: Comment payer?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Paiement sécurisé et commerce
Assurance sur et ainsi de suite

2.Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications pour vos composants optiques
en fonction de vos besoins.

3.Q: Quel est votre MOQ?
R: (1) Pour l'inventaire, le MOQ est de 3 pièces.
(2) Pour les produits personnalisés, le MOQ est de 25 pièces.

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