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Détails des produits

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Sic substrat
Created with Pixso. Substrat SiC HPSI 3 pouces Épaisseur 500um Qualité Recherche Prime Factice Qualité Optique Translucide pour Lunettes AR

Substrat SiC HPSI 3 pouces Épaisseur 500um Qualité Recherche Prime Factice Qualité Optique Translucide pour Lunettes AR

Nom De Marque: ZMSH
Numéro De Modèle: Substrat SiC
Délai De Livraison: 2 à 4 semaines
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Matériel:
Monocristal de SiC
Dia:
3 pouces
Grade:
Grade P ou D
Épaisseur:
500 mm
Orientation:
Sur l'axe: <0001> +/- 0,5 degré
Résistivité:
≥1E5 Ω·cm
Mettre en évidence:

Substrate SiC de qualité supérieure

,

Substrate à SiC de 500um

,

Substrate SiC de 3 pouces

Description de produit

3 pouces HPSI SiC épaisseur du substrat 500um Prime Dummy qualité de recherche qualité optique translucide pour les lunettes AR


 

 

À propos de HPSI

 

La plaque HPSI SiC est un matériau semi-conducteur avancé largement utilisé dans les appareils électroniques dans des environnements à haute puissance, haute fréquence et haute température.propriétés semi-isolantesIl peut être appliqué dans l'électronique de puissance, les appareils RF, les capteurs à haute température.

Les plaquettes SiC HPSI sont devenues des matériaux importants pour les appareils électroniques de haute technologie modernes en raison de leurs excellentes propriétés électriques et thermiques.son champ d'application continuera à s'élargir.

 

Substrat SiC HPSI 3 pouces Épaisseur 500um Qualité Recherche Prime Factice Qualité Optique Translucide pour Lunettes AR 0

Je suis désolée.


 

Propriétés du SiC 4H-SEMI

 

- Haute pureté: les plaquettes SiC HPSI réduisent l'impact des impuretés et améliorent les performances et la fiabilité de l'appareil.

 

- Propriétés semi-isolantes: Cette plaque a de bonnes propriétés semi-isolantes, qui peuvent supprimer efficacement les courants parasites et convient aux applications à haute fréquence.

 

-L'écart de bande large: Le SiC a un écart de bande large (environ 3,3 eV), ce qui le rend excellent dans les environnements à haute température, à haute puissance et à rayonnement.

 

- Haute conductivité thermique: le carbure de silicium a une haute conductivité thermique, ce qui contribue à dissiper la chaleur et à améliorer la stabilité de fonctionnement et la durée de vie de l'appareil.

 

- Résistance à haute température: le SiC peut fonctionner de manière stable à haute température et convient aux applications dans des environnements extrêmes.

 

Substrat SiC HPSI 3 pouces Épaisseur 500um Qualité Recherche Prime Factice Qualité Optique Translucide pour Lunettes AR 1Substrat SiC HPSI 3 pouces Épaisseur 500um Qualité Recherche Prime Factice Qualité Optique Translucide pour Lunettes AR 2

 

 


 

 

Caractéristiques duHPSI SiC


Substrat SiC HPSI 3 pouces Épaisseur 500um Qualité Recherche Prime Factice Qualité Optique Translucide pour Lunettes AR 3

 

*N'hésitez pas à nous contacter si vous avez des demandes personnalisées.


 

 

Application de l'IPSH

 

- électronique de puissance: utilisée pour la fabrication de convertisseurs et d'onduleurs de puissance efficaces, largement utilisés dans les véhicules électriques, les énergies renouvelables et les systèmes de transmission d'énergie.

 

- Dispositifs RF: Dans les systèmes de communication et de radar, les plaquettes SiC peuvent améliorer la puissance de traitement du signal et la réponse en fréquence.

 

- Capteurs de température élevée: capteurs de température élevée pour le pétrole, le gaz et l'aérospatiale.

 


 

Questions fréquentes



1. Q est:Quelle est la différence entre SI et SiC?

A: Je suis désolé.SiC est un semi-conducteur à bande large avec une bande passante de 2,2 à 3,3 électronvolts (eV).

 

2- Je ne sais pas.Pourquoi le carbure de silicium est-il si cher?

R: Parce que sLa fabrication de produits à base de carbure de silicium est difficile et nécessite des processus de production complexes tels que la haute température et la haute pression.

 


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