Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: zmsh
Conditions de paiement et d'expédition
Material: |
SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
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SiC Ceramic |
Size: |
Customized |
Porteur de bateau en céramique SiC personnalisé pour la manutention des gaufres
Le porte-bateaux en céramique au carbure de silicium (SiC) personnalisé est une solution de manutention de wafer haute performance conçue pour les processus de fabrication de semi-conducteurs, de photovoltaïque et de LED.Conçus pour la stabilité à haute température, résistance aux produits chimiques et contamination ultra-faible, ce support assure un transport sûr et efficace des plaquettes dans des environnements exigeants tels que les fours de diffusion et les chambres d'oxydation.
Principaux avantages du bateau en céramique SiC
Haute stabilité thermique: résiste à des températures allant jusqu'à 1 600°C sans déformation.
Inerté chimique ️ Résiste à l'érosion des acides, des alcalis et du plasma, assurant une durabilité à long terme.
Génération de particules de faible intensité
Conception personnalisable adaptée à la taille de la gaufre, à l'emplacement des fentes et aux exigences de manutention
Idéal pour les usines de semi-conducteurs, la production de MEMS et le traitement des semi-conducteurs composés
Spécification
Contenu en carbure de silicium | - | % | > 995 |
Taille moyenne du grain | - | micron | 4 à 10 |
Densité en vrac | - | Poids en kg/dm^3 | > 3.14 |
Porosité apparente | - | Vol % | Le taux de dépôt5 |
Dureté de Vickers | HV0. Je vous en prie.5 | Poids de la pâte | 2800 |
Module de rupture (3 points) | 20°C | MPa | 450 |
Résistance à la compression | 20°C | MPa | 3900 |
Module d'élasticité | 20°C | GPA | 420 |
Dureté de la fracture | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
Conductivité thermique | 20°C | Je suis désolé. | 160 |
Résistance électrique | 20°C | Ohm. centimètre | 10^6 à 10^8 |
Coefficient de dilatation thermique | a) (RT"800°C) |
K^-1*10^-6 | 4.3 |
Température maximale d'application | Atmosphère oxydée | °C | 1600 |
Température maximale d'application | Atmosphère inerte | °C | 1950 |
Applications du bateau en céramique SiC
1. Fabrication de semi-conducteurs
✔ Fours de diffusion et de recuit
- Stabilité à haute température: résiste à 1 600 °C (oxydation) / 1 950 °C (inertie) sans déformation.
- Faible expansion thermique (4,3×10−6/K) ️ empêche la déformation des plaquettes dans le traitement thermique rapide (RTP).
✔ Les maladies cardiovasculaires et l'épitaxie (croissance du SiC/GaN)
- Résistance à la corrosion par les gaz: inerte au SiH4, NH3, HCl et autres précurseurs agressifs.
- Surface exempte de particules ️ Polissée (Ra < 0,2 μm) pour un dépôt épitaxial exempt de défauts.
✔ Implantation ionique
- Résistant aux rayonnements: pas de dégradation sous bombardement ionique à haute énergie.
2. électronique de puissance (appareils SiC/GaN)
✔ Traitement des plaquettes SiC
- Matching CTE (4,3×10−6/K) ️ Réduit au minimum le stress dans une croissance épitaxielle à plus de 1 500 °C.
- Conductivité thermique élevée (160 W/m·K)
✔ Dispositifs GaN-sur-SiC
- Pas de contamination. Pas de dégagement d'ions métalliques par rapport aux bateaux à graphite.
3Production de panneaux solaires
✔ Les cellules solaires PERC et TOPCon
- Résistance à la diffusion du POCl3
- Longue durée de vie: 5 à 10 ans contre 1 à 2 ans pour les bateaux en quartz.
✔ L'énergie solaire à film mince (CIGS/CdTe)
- Résistance à la corrosion stable dans les processus de dépôt de H2Se et de CdS.
4. LED et optoélectronique
✔ Épitaxie mini/micro-LED
- Conception de fente de précision
- Compatible avec les salles blanches.
5. Recherche et applications spécialisées
✔ Synthèse de matériaux à haute température
- Aides à la frittage (par exemple, B4C, AlN)
- Croissance cristalline (p. ex. Al2O3, ZnSe)
Questions fréquentes
Quatrième question:Quelles tailles de galettes sont prises en charge?
Standard: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12"). La personnalisation est disponible sur demande.
Q2: Quel est le délai pour les conceptions personnalisées?
- Modèles standard: 4 à 6 semaines.
- entièrement personnalisé: 8 à 12 semaines (selon la complexité).