Porteur de bateau en céramique SiC personnalisé pour la manutention des gaufres
Le porte-bateaux en céramique au carbure de silicium (SiC) personnalisé est une solution de manutention de wafer haute performance conçue pour les processus de fabrication de semi-conducteurs, de photovoltaïque et de LED.Conçus pour la stabilité à haute température, résistance aux produits chimiques et contamination ultra-faible, ce support assure un transport sûr et efficace des plaquettes dans des environnements exigeants tels que les fours de diffusion et les chambres d'oxydation.
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Principaux avantages du bateau en céramique SiC
Haute stabilité thermique: résiste à des températures allant jusqu'à 1 600°C sans déformation.
Inerté chimique ️ Résiste à l'érosion des acides, des alcalis et du plasma, assurant une durabilité à long terme.
Génération de particules de faible intensité
Conception personnalisable adaptée à la taille de la gaufre, à l'emplacement des fentes et aux exigences de manutention
Idéal pour les usines de semi-conducteurs, la production de MEMS et le traitement des semi-conducteurs composés
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Spécification
| Contenu en carbure de silicium | - | % | > 995 |
| Taille moyenne du grain | - | micron | 4 à 10 |
| Densité en vrac | - | Poids en kg/dm^3 | > 3.14 |
| Porosité apparente | - | Vol % | Le taux de dépôt5 |
| Dureté de Vickers | HV0. Je vous en prie.5 | Poids de la pâte | 2800 |
| Module de rupture (3 points) | 20°C | MPa | 450 |
| Résistance à la compression | 20°C | MPa | 3900 |
| Module d'élasticité | 20°C | GPA | 420 |
| Dureté de la fracture | - | MPa/m^1/2 | 3.5 |
| Conductivité thermique | 20°C | Je suis désolé. | 160 |
| Résistance électrique | 20°C | Ohm. centimètre | 10^6 à 10^8 |
| Coefficient de dilatation thermique | a) (RT"800°C) | K^-1*10^-6 | 4.3 |
| Température maximale d'application | Atmosphère oxydée | °C | 1600 |
| Température maximale d'application | Atmosphère inerte | °C | 1950 |
Applications du bateau en céramique SiC
1. Fabrication de semi-conducteurs
✔ Fours de diffusion et de recuit
- Stabilité à haute température: résiste à 1 600 °C (oxydation) / 1 950 °C (inertie) sans déformation.
- Faible expansion thermique (4,3×10−6/K) ️ empêche la déformation des plaquettes dans le traitement thermique rapide (RTP).
✔ Les maladies cardiovasculaires et l'épitaxie (croissance du SiC/GaN)
- Résistance à la corrosion par les gaz: inerte au SiH4, NH3, HCl et autres précurseurs agressifs.
- Surface exempte de particules ️ Polissée (Ra < 0,2 μm) pour un dépôt épitaxial exempt de défauts.
✔ Implantation ionique
- Résistant aux rayonnements: pas de dégradation sous bombardement ionique à haute énergie.
2. électronique de puissance (appareils SiC/GaN)
✔ Traitement des plaquettes SiC
- Matching CTE (4,3×10−6/K) ️ Réduit au minimum le stress dans une croissance épitaxielle à plus de 1 500 °C.
- Conductivité thermique élevée (160 W/m·K)
✔ Dispositifs GaN-sur-SiC
- Pas de contamination. Pas de dégagement d'ions métalliques par rapport aux bateaux à graphite.
3Production de panneaux solaires
✔ Les cellules solaires PERC et TOPCon
- Résistance à la diffusion du POCl3
- Longue durée de vie: 5 à 10 ans contre 1 à 2 ans pour les bateaux en quartz.
✔ L'énergie solaire à film mince (CIGS/CdTe)
- Résistance à la corrosion stable dans les processus de dépôt de H2Se et de CdS.
4. LED et optoélectronique
✔ Épitaxie mini/micro-LED
- Conception de fente de précision
- Compatible avec les salles blanches.
5. Recherche et applications spécialisées
✔ Synthèse de matériaux à haute température
- Aides à la frittage (par exemple, B4C, AlN)
- Croissance cristalline (p. ex. Al2O3, ZnSe)
Questions fréquentes
Quatrième question:Quelles tailles de galettes sont prises en charge?
Standard: 150mm (6"), 200mm (8"), 300mm (12"). La personnalisation est disponible sur demande.
Q2: Quel est le délai pour les conceptions personnalisées?
- Modèles standard: 4 à 6 semaines.
- entièrement personnalisé: 8 à 12 semaines (selon la complexité).