Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance

Substrat SiC de type 4H-N 10×10mm Petit wafer Forme et dimensions personnalisables

Le petit wafer SiC 10×10 est un produit semi-conducteur haute performance développé à partir du carbure de silicium (SiC), un matériau semi-conducteur de troisième génération. Fabriqué à l'aide des procédés de transport en phase vapeur physique (PVT) ou de dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HTCVD), il offre deux options de polytype : 4H-SiC ou 6H-SiC. Avec une tolérance dimensionnelle contrôlée à ±0,05 mm et une rugosité de surface Ra < 0,5 nm, le produit est disponible en versions dopées de type N et de type P, couvrant une plage de résistivité de 0,01 à 100 Ω·cm. Chaque wafer est soumis à des inspections de qualité rigoureuses, notamment la diffraction des rayons X (DRX) pour le test de l'intégrité du réseau et la microscopie optique pour la détection des défauts de surface, garantissant la conformité aux normes de qualité des semi-conducteurs.

Spécifications techniques du substrat SiC 10×10mm

Principales caractéristiques techniques du substrat SiC 10×10mm

• Gestion thermique exceptionnelle : Conductivité thermique du substrat SiC 10×10mm jusqu'à 490 W/m·K, trois fois supérieure à celle du silicium, réduisant considérablement la température de fonctionnement des dispositifs et améliorant la fiabilité du système.

• Propriétés électriques supérieures : Le substrat SiC 10×10mm a une résistance diélectrique de 2 à 4 MV/cm, dix fois supérieure à celle du silicium, ce qui permet un fonctionnement à haute tension ; la vitesse de dérive de saturation des électrons atteint 2×10^7 cm/s, ce qui le rend idéal pour les applications à haute fréquence.

• Adaptabilité environnementale extrême : Le substrat SiC 10×10mm maintient des performances stables à des températures allant jusqu'à 600°C, avec un faible coefficient de dilatation thermique de 4,0×10^-6/K, assurant une stabilité dimensionnelle dans des conditions de température élevée.

• Performances mécaniques exceptionnelles : Dureté Vickers de 28 à 32 GPa, résistance à la flexion supérieure à 400 MPa et résistance à l'usure exceptionnelle, le substrat SiC 10×10mm offre une durée de vie 5 à 10 fois supérieure à celle des matériaux conventionnels.

• Services de personnalisation : Solutions sur mesure pour le substrat SiC 10×10mm disponibles pour l'orientation cristalline (par exemple, 0001, 11-20), l'épaisseur (100-500μm) et la concentration de dopage (10^15-10^19 cm^-3) en fonction des exigences du client.

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Principaux domaines d'application du substrat SiC 10×10mm

 

1. Groupes motopropulseurs de véhicules à énergie nouvelle : Le substrat SiC 10×10mm est utilisé dans les MOSFET et les diodes SiC de qualité automobile, améliorant l'efficacité de l'onduleur de 3 à 5 % et augmentant l'autonomie des véhicules électriques.

 

 

2. Infrastructure de communication 5G : Le substrat SiC 10×10mm sert de substrat pour les amplificateurs de puissance RF (RF PA), prenant en charge les applications en bande millimétrique (24-39 GHz) et réduisant la consommation d'énergie des stations de base de plus de 20 %.

 

 

3. Équipement de réseau intelligent : Le substrat SiC 10×10mm est appliqué dans les systèmes à courant continu haute tension (CCHT) pour les transformateurs et les disjoncteurs à semi-conducteurs, améliorant l'efficacité de la transmission d'énergie.

 

 

4. Automatisation industrielle : Le substrat SiC 10×10mm permet des entraînements de moteurs industriels haute puissance avec des fréquences de commutation supérieures à 100 kHz, réduisant la taille des dispositifs de 50 %.

 

 

5. Électronique aérospatiale : Le substrat SiC 10×10mm répond aux exigences de fiabilité des systèmes d'alimentation des satellites et des systèmes de contrôle des moteurs d'avion dans des environnements extrêmes.

 

 

6. Dispositifs optoélectroniques haut de gamme : Le substrat SiC 10×10mm est un matériau de substrat idéal pour les LED UV, les diodes laser et autres composants optoélectroniques.