Substrats en carbure de silicium SiC semi-isolants de type 4H-N

Les substrats de type 4H-N et en carbure de silicium semi-isolant (SiC) sont des tranches monocristallines de haute pureté fabriquées à l'aide de la méthode de transport physique de vapeur (PVT). Ces substrats présentent des propriétés électriques et thermiques exceptionnelles, notamment des caractéristiques de large bande interdite, un champ électrique de claquage élevé et une conductivité thermique exceptionnelle. Idéals pour la croissance épitaxiale de matériaux SiC ou III-nitrure, ils servent de composants fondamentaux clés dans les dispositifs électroniques haute puissance, haute fréquence et haute température.

• Excellentes propriétés électriques:
  • Type 4H-N : Résistivité 0,015–0,028 Ω·cm
  • Type semi-isolant : Résistivité ≥10⁵ Ω·cm
• Qualité géométrique supérieure:
  • Variation d'épaisseur totale (TTV) ≤ 15 µm
  • Arc ≤ 40 µm, Chaîne ≤ 60 µm
• Contrôle précis de l'orientation:
  • Orientation sur l'axe : <±0,5°
  • Coupe hors axe : 4°±0,5° vers la direction [11-20]
• Finition de surface contrôlée:
  • Surface polie standard : Ra ≤ 1 nm
  • Surface polie CMP : Ra ≤ 0,5 nm

• Électronique de puissance: Diodes à barrière Schottky (SBD), MOSFET, IGBT
• Appareils RF et micro-ondes: Amplificateurs de puissance haute fréquence, MMIC
• Optoélectronique: Substrats épitaxiaux LED et laser à base de GaN
• Capteurs haute température: Applications dans les secteurs de l'automobile, de l'aérospatiale et de l'énergie

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L'industrie du carbure de silicium englobe la préparation des substrats, la croissance épitaxiale, la fabrication de dispositifs et les applications finales. Grâce à la méthode PVT, des substrats SiC monocristallins de haute qualité sont produits, servant de base au dépôt épitaxial (via CVD) et à la fabrication ultérieure du dispositif. ZMSH fournit des plaquettes SiC de 100 mm et 150 mm qui répondent à des exigences industrielles strictes pour les applications haute puissance et haute fréquence.