Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance

La petite plaquette de 10*10 mm de type 4H-N SiC est un substrat semi-conducteur haute performance basé sur le carbure de silicium (SiC), un matériau semi-conducteur de troisième génération. Fabriqué par Transport de Vapeur Physique (PVT) ou Dépôt Chimique en Phase Vapeur à Haute Température (HTCVD), il est disponible en polytypes 4H-SiC ou 6H-SiC et en configurations de dopage de type N ou de type P. Avec des tolérances dimensionnelles de ±0,05 mm et une rugosité de surface Ra < 0,5 nm, chaque plaquette est prête pour l'épitaxie et subit une inspection rigoureuse, y compris la validation de la cristallinité par XRD et l'analyse des défauts par microscopie optique.

• Haute conductivité thermique: 490 W/m·K, trois fois celle du silicium, permettant une dissipation thermique efficace.
• Tension de claquage: 2,4 MV/cm, supportant un fonctionnement haute tension et haute fréquence.
• Stabilité à haute température: Fonctionnement jusqu'à 600°C avec une faible dilatation thermique (4,0*10⁻⁶/K).
• Durabilité mécanique: Dureté Vickers 28–32 GPa, résistance à la flexion >400 MPa.
• Support de personnalisation: Orientation, épaisseur, dopage et géométrie réglables.

• Onduleurs de puissance pour véhicules électriques (gain d'efficacité de 3–5 %)
• Amplificateurs de puissance RF 5G (bandes 24–39 GHz)
• Convertisseurs CC haute tension de réseau intelligent et entraînements de moteurs industriels
• Capteurs aérospatiaux et systèmes d'alimentation par satellite
• LED UV et diodes laser

1. Substrat 4H-N SiC, 5*5 mm, 350 μm (Qualité Prime/Factice)
2. Plaquettes SiC de forme personnalisée avec métallisation arrière

Q : Quelles sont les applications typiques des plaquettes SiC de 10*10 mm ?

R : Idéales pour le prototypage de dispositifs de puissance (MOSFET/diodes), de composants RF et d'optoélectronique à haute température.

Q : Comment le SiC se compare-t-il au silicium ?

R : Le SiC offre une tension de claquage 10* supérieure, une conductivité thermique 3* meilleure et des performances supérieures à haute température.

1. Chaîne de production complète, de la découpe au nettoyage final et à l'emballage.
2. Capacité à récupérer des plaquettes de 4 à 12 pouces de diamètre.
3. 20 ans d'expérience dans la fabrication et la récupération de matériaux électroniques monocristallins

ZMSH Technology peut fournir aux clients des substrats SiC conducteurs de haute qualité, semi-isolants de 2 à 6 pouces et HPSI (High Purity Semi-insulating) importés et nationaux en lots ; De plus, elle peut fournir aux clients des feuilles épitaxiales en carbure de silicium homogènes et hétérogènes, et peut également être personnalisée en fonction des besoins spécifiques des clients, sans quantité minimale de commande.

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