Puce SiC à substrat rectangulaire en carbure de silicium pour l'électronique avancée

Présentation du produit :

Le substrat rectangulaire en carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur monocristallin avancé conçu pour répondre aux exigences strictes de l'électronique de puissance moderne, des dispositifs optoélectroniques et des applications haute fréquence. Le SiC est reconnu pour son excellente conductivité thermique, sa large bande interdite électronique et sa résistance mécanique exceptionnelle, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans des environnements extrêmes, tels que des températures élevées, une haute tension et des fréquences de commutation élevées. Ce substrat SiC est couramment utilisé dans les laboratoires de R&D, le développement de prototypes et la fabrication de dispositifs spécialisés.

Processus de fabrication de puces à substrat de carbure de silicium (SiC)

La production de substrats en carbure de silicium (SiC) fait appel à des techniques avancées de croissance cristalline telles que le transport physique de vapeur (PVT) ou la sublimation. Le processus comprend :

• Préparation des matières premières :La poudre de SiC ultra pure est placée dans un creuset en graphite haute densité pour sublimation.

• Croissance cristalline :À des températures supérieures à 2 000 °C, le matériau SiC se sublime et se recondense sur un germe cristallin pour former une grande boule de SiC monocristalline.

• Tranchage de lingots :Des scies à fil diamanté sont utilisées pour couper la boule en fines tranches ou en copeaux de formes rectangulaires.

• Rodage et meulage :La planarisation de la surface garantit une épaisseur uniforme et élimine les marques de tranchage.

• Polissage Mécanique Chimique (CMP) :Le substrat est poli pour obtenir une finition lisse comme un miroir, adaptée au dépôt de couches épitaxiales.

• Dopage facultatif :Un dopage de type N ou de type P est disponible pour ajuster les propriétés électriques selon les besoins de l'application.

• Assurance qualité:Des tests rigoureux de planéité, de densité de défauts et d'épaisseur garantissent la conformité aux normes sur les semi-conducteurs.

Propriétés matérielles du carbure de silicium (SiC)

Le SiC est principalement disponible dans les structures cristallines 4H-SiC et 6H-SiC, chacune optimisée pour des applications spécifiques :

• 4H-SiC :Offre une mobilité électronique plus élevée et est idéal pour l’électronique de puissance haute tension telle que les MOSFET et les diodes Schottky.

• 6H-SiC :Idéal pour les applications RF et micro-ondes, offrant une perte de puissance moindre dans les opérations à haute fréquence.

Les principaux avantages des substrats SiC sont les suivants :

• Large bande interdite :Environ 3,2 à 3,3 eV, offrant une tension de claquage et une efficacité élevées dans les dispositifs électriques.

• Conductivité thermique :3,0 à 4,9 W/cm·K, garantissant une excellente dissipation thermique dans les applications de puissance.

• Résistance mécanique :Dureté Mohs d'environ 9,2, ce qui rend le SiC très résistant à l'usure.

Applications des puces à substrat rectangulaire en carbure de silicium (SiC)

• Électronique de puissance :Idéal pour les MOSFET, les IGBT et les diodes Schottky utilisés dans les groupes motopropulseurs de véhicules électriques, les systèmes de stockage d'énergie et la conversion de puissance.

• Appareils haute fréquence et RF :Parfait pour les systèmes radar, les communications par satellite et les stations de base 5G.

• Optoélectronique :Convient aux LED UV, aux diodes laser et aux photodétecteurs grâce à une excellente transparence UV.

• Aérospatiale et défense :Permet un fonctionnement dans des environnements sujets aux radiations et à haute température.

• Recherche académique et industrielle :Excellent pour développer de nouveaux matériaux, prototypes et appareils.

Spécifications techniques :

Options de personnalisation :

• Dimensions personnalisées :Disponible dans une variété de tailles et de formes, y compris des formats rectangulaires personnalisés.

• Profils de dopage :Dopage de type N ou de type P disponible pour des performances électriques sur mesure.

• Traitements de surfaces :Polissage simple face ou double face, ainsi que couches épitaxiales sur mesure.

Emballage et livraison :

• Conditionnement:Solutions d'emballage personnalisées pour garantir une livraison en toute sécurité.

• Délai de livraison:Généralement dans les 30 jours suivant la confirmation de la commande.

FAQ – Puces à substrat rectangulaire en carbure de silicium (SiC)

• Q1 : Pourquoi choisir des substrats SiC plutôt que du silicium traditionnel ?
  Le SiC offre des performances thermiques supérieures, une résistance au claquage plus élevée et des pertes de commutation nettement inférieures à celles du silicium, ce qui le rend idéal pour les applications à haut rendement et haute puissance.

• Q2 : Ces substrats peuvent-ils être dotés de couches épitaxiales ?
  Oui, nous proposons des options d'épitaxie prêtes à l'emploi et personnalisées pour les applications de dispositifs haute puissance, RF ou optoélectroniques.

• Q3 : Pouvez-vous personnaliser les dimensions et le dopage ?
  Absolument. Des tailles personnalisées, des profils de dopage et des traitements de surface sont disponibles pour répondre aux besoins spécifiques des applications.

• Q4 : Comment les substrats SiC fonctionnent-ils dans des conditions extrêmes ?
  Les substrats SiC conservent leur intégrité structurelle et leur stabilité électrique à des températures supérieures à 600 °C, ce qui les rend adaptés aux environnements difficiles tels que l'aérospatiale, la défense et les applications industrielles de haute puissance.

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