Plaquette de carbure de silicium monocristallin SiC de 12 pouces 300 mm 4H 6H pour dispositifs de puissance et LED

Aperçu du produit :

ZMSH fournit des plaquettes de carbure de silicium (SiC) monocristallin de 12 pouces (300 mm) de haute qualité, cultivées à l'aide de la méthode de transport de vapeur physique (PVT). Le carbure de silicium est un semi-conducteur à large bande interdite avec d'excellentes propriétés électriques et thermiques, notamment une conductivité thermique élevée, une tension de claquage élevée, une mobilité élevée des électrons et une vitesse de dérive saturée élevée, ce qui le rend idéal pour l'électronique de puissance avancée, les MOSFET haute tension, les diodes Schottky, les IGBT et les dispositifs optoélectroniques à base de GaN.

Les plaquettes de SiC de 12 pouces de ZMSH sont optimisées pour une faible densité de dislocations du plan basal (BPD), ce qui permet d'obtenir des performances et une fiabilité supérieures des dispositifs. Nos plaquettes sont largement utilisées dans les applications haute puissance, haute température et haute fréquence dans les environnements industriels et de recherche.

Principales caractéristiques

Applications

1. Électronique de puissance :

• MOSFET SiC, diodes PiN, diodes Schottky (SBD), diodes JBS, IGBT et BJT SiC.

• Redresseurs haute tension (3 kV–12 kV) et modules d'alimentation à haut rendement.

• Permet des systèmes électroniques de puissance plus petits, plus légers et plus efficaces par rapport aux dispositifs à base de silicium.

2. Dispositifs optoélectroniques :

• LED et diodes laser à base de GaN.

• Une excellente adaptation du réseau avec les couches épitaxiales de GaN garantit une efficacité d'extraction de la lumière élevée et une durée de vie plus longue des dispositifs.

• Une conductivité thermique supérieure (10× saphir) permet une meilleure dissipation de la chaleur dans les LED haute puissance.

3. Recherche et dispositifs avancés :

• Dispositifs électroniques haute fréquence et haute température.

• Matériau pour les études expérimentales sur la réduction des BPD, le contrôle des dislocations et les dispositifs SiC de nouvelle génération.

Avantages

1. Faible densité de BPD :

   • La croissance PVT optimisée, la liaison des germes et les processus de refroidissement réduisent la densité des dislocations du plan basal, améliorant ainsi la fiabilité des dispositifs.

   • Les résultats expérimentaux montrent que les densités de BPD peuvent être réduites en dessous de 1000 cm⁻² dans les plaquettes de grand diamètre.

2. Hautes performances thermiques et électriques :

   • Une conductivité thermique et des propriétés diélectriques élevées permettent une diffusion efficace de la chaleur et un fonctionnement stable sous haute tension.

   • Une mobilité élevée des électrons et une large bande interdite garantissent de faibles pertes d'énergie et des performances supérieures à haute température.

3. Grande taille de plaquette de 12 pouces :

   • Prend en charge les modules d'alimentation et les substrats LED de nouvelle génération.

   • Épaisseur, orientation et résistivité personnalisables pour des exigences spécifiques en matière de dispositifs.

4. Surface et polissage de haute qualité :

   • Options polies simple face ou double face avec une rugosité de surface ultra-faible (Ra ≤ 5Å).

   • Minimise les défauts et maximise l'uniformité de la croissance épitaxiale.

5. Emballage en salle blanche :

   • Chaque plaquette est emballée individuellement dans un environnement propre de classe 100 pour éviter toute contamination.

Engagement de ZMSH

ZMSH se consacre à la fourniture de plaquettes de SiC de 12 pouces haute performance avec une densité de dislocations contrôlée et une reproductibilité élevée. Nos plaquettes sont idéales pour l'électronique de puissance, l'optoélectronique et la recherche sur les semi-conducteurs de nouvelle génération. Nous prenons en charge des spécifications personnalisées pour répondre à vos besoins d'applications industrielles ou de recherche.

FAQ

Q1 : Quelle est la densité typique des dislocations du plan basal (BPD) des plaquettes de SiC de 12 pouces de ZMSH ?
R1 : Nos plaquettes de 4H-SiC et 6H-SiC de 12 pouces sont cultivées à l'aide de processus PVT optimisés avec des vitesses de refroidissement contrôlées, une liaison des germes et une sélection de creusets en graphite. Cela garantit que la densité de BPD peut être réduite en dessous de 1000 cm⁻², ce qui améliore considérablement la fiabilité des dispositifs dans les applications haute puissance et haute tension.

Q2 : L'épaisseur, l'orientation ou la résistivité de la plaquette peuvent-elles être personnalisées ?
R2 : Oui. ZMSH prend en charge des spécifications de plaquettes entièrement personnalisables, notamment l'épaisseur (0,35–1,0 mm), l'orientation hors axe (<0001> 4° ou autres angles) et la résistivité (type N 0,015–0,028 Ω·cm ou semi-isolant >1×10⁵ Ω·cm). Cette flexibilité permet aux plaquettes de répondre aux exigences spécifiques des dispositifs d'alimentation, des LED ou de la recherche expérimentale.

Q3 : Comment les plaquettes de SiC de 12 pouces de ZMSH profitent-elles aux applications de diodes laser et de LED à base de GaN ?
R3 : Les substrats SiC offrent une excellente adaptation du réseau et une compatibilité thermique avec les couches épitaxiales de GaN. Par rapport au saphir, le SiC offre une conductivité thermique plus élevée, une capacité de substrat conducteur pour les structures de dispositifs verticaux et aucune couche de diffusion de courant, ce qui se traduit par une efficacité d'extraction de la lumière plus élevée, une meilleure dissipation de la chaleur et une durée de vie plus longue des dispositifs.

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