| Nom De Marque: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Délai De Livraison: | 2-4 SEMAINES |
| Conditions De Paiement: | T/T |
Ce composant en céramique au carbure de silicium personnalisé présente une géométrie de plaque circulaire avec un bord en trempette usiné de précision.La structure en degrés permet un positionnement axial précis et une intégration stable dans les chambres de procédés de semi-conducteurs et les systèmes thermiques avancés.
Fabriqué à partir de céramique SiC de haute pureté, le composant offre une excellente résistance aux températures élevées, à l'exposition au plasma, à la corrosion chimique et aux chocs thermiques.La surface n'est pas polie intentionnellement., car le composant est conçu pour une utilisation fonctionnelle et structurelle plutôt que pour des applications optiques ou électroniques.
Les utilisations typiques comprennent les couvercles de chambre, les bouchons de revêtement, les plaques de support,et composants structurels de protection dans les équipements de fabrication de semi-conducteurs où la stabilité dimensionnelle à long terme et la fiabilité des matériaux sont essentielles.
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Matériau céramique de carbure de silicium de haute pureté
Conception de bords à marches pour un positionnement et un montage précis
Surfaces non polies moulues optimisées pour des performances fonctionnelles
Excellente stabilité thermique et faible déformation thermique
Résistance supérieure au plasma, aux produits chimiques et aux gaz corrosifs
Haute résistance mécanique et rigidité
Convient pour les environnements sous vide et propres
Dimensions et géométries sur mesure disponibles
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Matériel | Carbure de silicium (SiC) |
| La pureté | ≥ 99% (typique) |
| Densité | 3.10 3,20 g/cm3 |
| Dureté | ≥ 2500 HV |
| Résistance à la flexion | ≥ 350 MPa |
| Module élastique | ~410 GPa |
| Conductivité thermique | 120 ¢ 200 W/m·K |
| Coefficient de dilatation thermique (CTE) | ~4,0 × 10−6 /K |
| Température de fonctionnement maximale | > 1600°C (dans une atmosphère inerte) |
| Température de fonctionnement maximale (air) | ~ 1400°C |
| Résistance électrique | Haute teneur en matière isolante disponible |
| Finition de surface | Déchiqueté ou non poli |
| Plateur | Tolérance personnalisée disponible |
| Condition du bord | D'une épaisseur n'excédant pas 1 mm |
| Compatibilité avec l'environnement | Vacuum, plasma, gaz corrosifs |
Note: Les paramètres peuvent varier en fonction de la teneur en SiC, de la méthode de formage et des exigences d'usinage.
Chambres de procédé à semi-conducteurs (CVD, PECVD, LPCVD, systèmes de gravure)
Couvercles de chambres et couvercles de doublure
Plaques de support structurelles dans les équipements à haute température
Composants céramiques en face de plasma ou adjacents au plasma
Systèmes de traitement sous vide avancés
Parties structurelles en céramique sur mesure pour équipements semi-conducteurs et optoélectroniques
Diamètre extérieur et épaisseur personnalisés
Hauteur et largeur personnalisées des marches
Le broyage ou le polissage fin sont facultatifs sur demande
Machinerie selon les dessins ou échantillons du client
Production de petits lots, de prototypes et en série soutenue
A: Je suis désolé.
Ce composant est principalement utilisé comme pièce céramique structurelle ou fonctionnelle, telle qu'un couvercle de chambre, une plaque de support ou un bouchon de doublure, dans les équipements de procédés à semi-conducteurs et à haute température.La conception en étapes permet un positionnement précis et un montage stable dans les structures de l'équipement.
A: Je suis désolé.
La surface non polie est délibérée. Ce composant n'est pas utilisé pour des fonctions optiques ou électroniques, mais à des fins structurelles et de protection.Les surfaces de sol sont suffisantes et souvent préférées pour améliorer la stabilité mécanique et réduire les coûts de fabrication dans les applications de chambre de procédé.
A: Je suis désolé.
Le carbure de silicium offre une excellente résistance à l'érosion du plasma et à la corrosion chimique, ce qui le rend approprié pour des applications de plasma ou adjacentes au plasma dans les chambres de processus de semi-conducteurs.
A: Je suis désolé.
Le matériau et le procédé de fabrication sont compatibles avec les environnements sous vide.La céramique SiC présente une faible dégazation et maintient une stabilité dimensionnelle dans le vide et dans des conditions de cycle thermique.
A: Je suis désolé.
Le diamètre extérieur, l'épaisseur, la hauteur de l'étape, la largeur de l'étape et les caractéristiques des bords peuvent tous être personnalisés selon les dessins du client ou les exigences de l'application.
A: Je suis désolé.
Une finition de surface facultative, y compris le meulage fin ou le polissage, peut être fournie sur demande.
A: Je suis désolé.
Ce type de composant céramique SiC est couramment utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs, l'optoélectronique, les systèmes de vide avancés et les équipements de traitement industriel à haute température.